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一种等离子体处理室，包括表面暴露在处理室内部空间的粉浆浇注部件。粉浆浇注部件包括其内所含的游离硅和表面的保护层，该保护层保护硅免受处理室内部空间中的等离子体轰击。粉浆浇注部件可由粉浆浇注碳化硅制成，表面涂有ＣＶＤ碳化硅。粉浆浇注部件包括处理...
该专利属于兰姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过兰姆研究公司授权不得商用。

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