批量式等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种批量式的等离子体处理装置，具有封闭端和与此相对的开口端，同时包括具有收纳被处理基板的处理区域的筒状的处理容器，处理容器具有筒状的绝缘性主体。装置还包括：隔开间隔保持被处理基板的保持具、对处理容器内搬入搬出保持具的装载机构、和配置在装载机构上并气密地关闭开口端的盖部。在处理容器的封闭端配置第一电极，在盖部配置第二电极，第一和第二电极构成平行平板电极对。在第一和第二电极的一方连接有施加等离子体生成用的高频电力的高频电源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于对半导体晶片等的被处理基板实施使用等离子体 的成膜处理或者蚀刻处理等的等离子体处理的批量式的等离子体处理 装置，尤其是涉及在半导体处理领域中使用的技术。在此，所谓半导体处理是用于，通过在半导体晶片或者LCD (Liquid Crystal Display) 那样的FPD (Flat Panel Display)用的玻璃基板等的被处理基板上按照 规定的图形形成半导体层、绝缘层、导电层等，而在该被处理基板上 实施用于制造包括半导体器件、与半导体器件连接的配线、电极等的 构造物的各种处理。
技术介绍
为了制造半导体集成电路，对由硅基板等构成的半导体晶片实施成膜、蚀刻、氧化、扩散、改质、自然氧化膜的除去等的各种处理。有关对这样的半导体晶片实施如上所述的处理，公知的有对半导体晶 片一个一个实施处理的单片式的处理装置、和一次对多个半导体晶片同时实施处理的批量式的处理装置。近年来，伴随半导体集成电路的更高集成化和更高精细化的要求， 需要使晶片温度在更低的温度下进行处理。这是为了防止掺杂的杂质 的轮廓(profile)的变化、或者防止代表低介电常数绝缘膜的层间绝缘 膜等的膜质的劣本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种批量式的等离子体处理装置，其对多个被处理基板一起实施等离子体处理，其特征在于，具备：　筒状的处理容器，具有封闭端和与此相对的开口端，并且在所述封闭端和所述开口端之间具有收纳所述被处理基板的处理区域，所述处理容器具有筒状的绝缘性主体；　保持具，平行地且隔开间隔地保持所述被处理基板，并且能够将其从所述开口端收纳到所述处理容器内；　装载机构，相对于所述处理容器内搬入和搬出所述保持具；　盖部，配置在所述装载机构上并气密地关闭所述开口端；　气体供给系统，向所述处理容器内供给处理气体；　排气系统，对所述处理容器内进行排气；　第一电极，配置在所述处理容器的所述封闭端；　第二电极，配置在所述盖部上，所述第...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高桥俊树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]