【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一般的半导体装置的制造、特别是涉及在半导体装置 的制造工序中使用的光源装置以及具备这样的光源装置的基板处理装 置。
技术介绍
在包含液晶显示装置的半导体装置的制造工序中，紫外光源通过 紫外光进行在基板上形成的膜等的改性、产生氧自由基或卤素自由基 等的自由基，因此被广泛的应用。例如，已知有使用紫外光源激发氧气，通过形成的氧自由基对硅 基板表面进行氧化的技术。而且可以得知使用被紫外光激发的卤素自 由基进行的蚀刻技术。
技术实现思路
作为该种紫外光源，广泛应用的有现有的高压水银灯、低压水银 灯、激元灯等，但是这些是具有管状形状的管状或者点状的光源，覆 盖大面积而使其同样产生紫外光时，就需要设置多个光源，使用使被 处理基板旋转等的复杂的机构。而且，目前，这些光源的寿命短，需要频繁更换，特别是在使用 多个光源处理大口径基板的基板处理装置中，紫外光源的费用成为抬 高半导体装置的制造费用的重要原因。本专利技术提供一种能够覆盖大面积、进行同样的紫外发光的紫外光 源装置，以及具有这样的紫外光源装置的基板处理装置。专利文献h日本特开平7—106299号公报 根据本专利技术...
【技术保护点】
一种光源装置，其特征在于，包括： 包含等离子体形成区域，在所述等离子体形成区域中，通过无电极放电形成等离子体而产生发光的等离子体形成室；和 划分在所述等离子体形成室中的等离子体形成区域的下端，透过所述发光的光学窗， 在所述等离子体形成室内，形成有导入用于生成所述等离子体的微波的微波透过窗， 并且在所述微波透过窗的外侧，设置有与所述微波窗结合，导入所述微波的微波天线。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：大岛康弘，高桥伸明，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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