【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通过电磁波激励气体并对被处理体进行等离子体处理 的等离子体处理装置，特别涉及包括将低频率的电磁波供给至处理容 器内的天线的等离子体处理装置。
技术介绍
现有技术中开发了使用波导管、同轴管将电磁波导入等离子体处 理室的方法。例如，在电介质圆板的中心形成的圆形透孔内嵌入有波 导管的圆筒状的中心导体的下部，在其中心导体的下端部内嵌入有激 励用金属罩(cap)。在该罩的底面和外周面上安装有使这些面不直接 在等离子体产生室中露出的保护罩。保护罩能够防止由于在等离子体 产生室中产生的等离子体，电场集中到金属罩上而损伤金属罩。
技术实现思路
但是，在金属罩的整体由保护罩覆盖的情况下，如果使金属罩的 底面、外周面等中的一个面与保护罩密接，则在金属罩的其它面上产 生间隙，在该间隙中产生异常放电，存在等离子体不均匀且不稳定的 可能性。相对于此，如果使金属罩的任一个面均与保护罩密接，并以 使得不产生间隙的方式提高加工精度，则成本变高。为了解决上述问题，根据本专利技术的一个方面，提供一种通过电磁 波激励气体并对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置，其 包括处理容器；输出...
【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其通过电磁波激励气体并对被处理体进行等离子体处理，其特征在于，包括： 处理容器； 输出电磁波的电磁波源； 传送从所述电磁波源输出的电磁波的导体棒； 形成有贯通孔，使所述导体棒传送的电磁波透过并放出至所述处理容器的内部的电介质板；和 通过在所述电介质板中形成的贯通孔与所述导体棒连接，在至少一部分与所述电介质板的被处理体侧的面邻接的状态下，从所述电介质板的被处理体侧的面露出的金属电极， 所述金属电极的露出面中的一个面被电介质盖覆盖。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：平山昌树，大见忠弘，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，国立大学法人东北大学，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。