等离子体处理方法技术

从微波发生装置（３９）经由匹配电路（３８）将脉冲状的微波导入波导管（３７），经由内导体（４１）供给到平面天线部件（３１），从平面天线部件（３１）经由微波透过板（２８）放射到腔室（１）中的晶片（Ｗ）的上方空间。利用从平面天线部件（３１）经由微波透过板（２８）放射到腔室（１）的脉冲状的微波在腔室（１）内形成电磁场，使Ａｒ气体、Ｈ↓［２］气体、Ｏ↓［２］气体等离子体化而对晶片（Ｗ）进行氧化膜的形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及利用等离子体对半导体基板等被处理体进行氧化膜形成等处理的。
技术介绍
在各种半导体装置的制造过程中，以绝缘膜形成等目的频繁地进行氧化硅膜的形成。因为氧化硅膜是极其稳定的，还具有作为从外部进行保护的保护膜的功能，所以其成膜技术在半导体装置制造中占有不可缺少的重要位置。特别是，近年来，半导体装置的微细化得到发展，有必要薄到几nm的程度、高精度地形成优质的氧化硅膜的技术。现阶段，为了要在硅表面上形成氧化膜，一般使用热氧化法。但是，在高温下进行的热氧化法中，存在着产生所掺杂的杂质再扩散等，伴随着热处理引起的损坏这样的问题。另一方面，作为通过等离子体处理形成氧化硅膜的技术，提出有在至少含有O2和稀有气体的处理气体存在下，利用基于经由具有多个窄缝的平面天线部件的微波照射的等离子体，在以Si为主要成分的被处理基体的表面上形成SiO2膜的方法(例如，专利文献1)。专利文献1国际公开WO2002/058130号在使用等离子体形成氧化硅膜时，因为能够在低温下进行成膜，所以，虽然因热氧化引起的问题多已解决，但是作为等离子体特有的问题，因等离子体中所含有的活性种等的作用影响到半导体晶片的、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理方法，其特征在于：其是在等离子体处理装置的处理室内通过对被处理体作用等离子体，而使硅氧化并形成氧化硅膜的等离子体处理方法，其中，所述等离子体利用脉冲状的电磁波而形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林岳志，古井真悟，北川淳一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]