【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种等离子体处理装置，更具体地，涉及一种能够提供压缩气体(pressure gas)同时防止堆积在室的底部的颗粒飞起的等离子体处理装置。
技术介绍
传统的等离子体处理装置(诸如蚀刻装置、离子注入装置、溅射装置或者低压CVD装置)将处理室的内部形成为真空环境并且对要处理的对象进行预定的等离子体处理。在进行处理时处理室被保持在真空状态，但是在进行维修工作时处理室应当改变为大气状态然后打开。因此，处理室包括用于排空处理室的排气部，以及用于将压缩空气(诸如氮)供应到处理室中以将室的内部恢复为大气压的进气部。此外，一旦处理室的内部被恢复为大气压以将待处理的对象带入或带出处理室时，所述内部应该被排空至用于下次处理的预定真空水平，由此进行排出处理花费了相当多的时间。因此，通常提供与处理室相比较具有较小容积的真空交换室(load lock chamber)。在这种情况下，由于仅真空交换室可改变为大气压或真空状态，因此可提高该处理的收益。因此，当待处理的对象被带入或带出室，真空交换室应该被反复地变为大气和真空环境。为达到此目的，真空交换室包括用于排空所述室的内部的...
【技术保护点】
一种等离子体处理装置，包括： 室； 进气／排气部，设置在所述室的底部以向所述室供以压缩气体，所述进气／排气部被构造成使得其内径向上增加；以及 压缩气体源，连接至所述进气／排气部以向其提供所述压缩气体。
【技术特征摘要】
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