磁控管的控制方法、微波发生装置、处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术以提高磁控管的寿命为目的，提供一种磁控管的寿命判定方法。本发明专利技术的微波发生装置，具备：具备包括灯丝（７８）的阴极（８０）和包括空腔谐振器（８４）的阳极（８２）的磁控管（７４）；灯丝的电流测定部（１００）；求出在灯丝上施加的电压的电压测定部（１０２）。基于电流测定部（１００）和电压测定部（１０２）求出的电流和电压，在电阻值计算部（１０４）求出灯丝的电阻值。基于电阻－温度相关特性，在温度计算部（１０６）根据所述电阻值求出灯丝的温度。电源控制部（１１０）控制灯丝电源（９８），使得灯丝温度维持在规定的温度范围内。并且，逐渐降低在灯丝上施加的电压，求出发生模变现象时向灯丝施加的电压作为模变电压，基于该模变电压进行磁控管的寿命的判定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用利用等离子体被活化的活性种，在半导体晶片等 被处理体的表面进行处理的处理装置、磁控管的控制方法、磁控管的 寿命判定方法、微波发生装置、磁控管的寿命判定装置、计算机程序 以及存储介质。10
技术介绍
在形成半导体制品的集成电路时，通常对半导体晶片等的被处理 体进行成膜处理、改性处理、氧化扩散处理、蚀刻处理等各种处理， 但是，由于近年来对半导体集成电路的高密度化、高度的微细化、薄 15 膜化以及处理低温化的要求提高，使用等离子体的处理装置具有越来 越多的倾向。在使用该等离子体的处理装置中，利用等离子体使气体 活化制作活性种，通过该活性种的作用，不需要将晶片加热到较高的 温度，而能够在较低温的状态中进行期望的处理。在这种使用等离子体的等离子体处理装置中，设有产生高频的高 20 频发生装置或产生微波的微波发生装置，用于生成等离子体。这里以微波发生装置为例进行说明。该微波发生装置具有磁控管，该磁控管，在具有灯丝的阴极(cathode)周围同轴状地配置具有空腔 谐振器的阳极(anode),形成为2极管，并在轴方向上对两电极之间施 加直流磁场的状态下，进行高频的振荡，产生微波(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控管的控制方法，其特征在于，所述磁控管产生微波，具备：包括灯丝的阴极；与该阴极相对配置的包括空腔谐振器的阳极；和提供与所述阴极和所述阳极的配置方向正交的磁场的磁场发生器，所述磁控管的控制方法包括：向所述灯丝供给电力的工序；基于在所述灯丝上施加的电压和流经所述灯丝的电流，求出所述灯丝的电阻值的电阻值计算工序；基于在所述电阻值计算工序中求出的电阻值和预先求出的所述灯丝的电阻－温度相关特性，求出所述灯丝温度的温度计算工序；和通过调整流经所述灯丝的电流和／或在灯丝上施加的电压，控制在所述温度计算工序中求出的灯丝温度，使其维持在规定的温度范围内的温度控制工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：河西繁，长田勇辉，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]