等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供除高频电力之外，以施加直流电压的电容结合型等离子体处理装置为前提，可以得到良好的等离子体的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在腔室（１０）内相对配置的上部电极（３４）和下部电极（１６）之间形成处理气体的等离子体，在晶片（Ｗ）上进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，具有将高频电力供给到上部电极（３４），用于形成等离子体的高频电源（４８）；将直流电压施加到上部电极（３４）的直流电源（５０）和控制高频电源（４８）与可变直流电源（５０）的控制部（９５）。控制部（９５）进行控制，使得在开始从高频电源（１８）供电的时刻或其后，使从可变直流电源（５０）施加的电压成设定值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体基板等被处理基板上进行等离子体蚀刻等的等离子体处理的。
技术介绍
在半导体器件的制造过程中，为了在作为被处理基板的半导体晶片上形成电路，采用等离子体蚀刻处理。使用各种装置作为进行等离子体蚀刻处理的装置，其中主流为电容结合型平行平板等离子体蚀刻装置。电容结合型平行平板等离子体蚀刻装置是在腔室内配置一对平行平板电极(上部和下部电极)，在将处理气体导入腔室内的同时，将高频电力施加在一个电极上，在电极之间形成高频电场，通过该高频电场形成处理气体的等离子体，对半导体晶片进行等离子体蚀刻处理。然而，近年来，ULSI设计规则微细化日益进展，比孔形状的纵横尺寸比更高的纵横尺寸比被要求。由于这样，试图提高所施加的高频电力频率，维持良好的等离子体分解状态，同时形成高密度的等离子体。这样，由于可在更低压的条件下形成适当的等离子体，可以适当地与设计规则的微细化对应。但是，这样提高高频电力的频率，必然使等离子体的均匀性不充分。作为解决这个问题的技术，在专利文献1中公开了将27MHz以上频率的高频施加到上部电极，同时通过再施加直流电压控制等离子体，使等离子体密度均匀的技术。然而，如上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：收容被处理基板并可真空排气的处理容器；在所述处理容器内相对配置的第一电极和第二电极；将处理气体供给到所述处理容器内的处理气体供给单元；将高频电力供给到所述第一电极或第二 电极，用于形成所述处理气体的等离子体的高频电源；将直流电压施加到所述第一电极或第二电极的直流电源；和控制所述高频电源和所述直流电源的控制部；其中，所述控制部进行控制，在开始从所述高频电源供给所述高频电力的时刻或其后使 从所述直流电源施加的所述直流电压成为电压设定值。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松本直树，田中秀朗，藤原尚，舆水地盐，小岩史明，小林俊之，仲山阳一，中村博，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]