等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种不论等离子体的状态如何，都可以容易地确保等离子体的均匀性的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在上部电极（３４）与下部电极（１６）之间生成处理气体的等离子体并对晶片（Ｗ）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，高频电源（４８）和可变直流电源（５０）与上部电极（３４）连接。上部电极（３４）具有外侧部分（３６ａ）和内侧部分（３６ｂ），来自高频电源（４８）的高频电流在外侧部分（３６ａ）和内侧部分（３６ｂ）二者中流过，来自可变直流电源（５０）的直流电源在内侧部分（３６ａ）中流过但实际上不在外侧部分（３６ｂ）中流过。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体基板等被处理基板上进行等离子体蚀刻等的等离子体处理的。
技术介绍
例如，在半导体器件的制造过程中，为了在作为被处理基板的半导体晶片上形成的规定的层上形成规定的图形，多采用以保护层作为掩摸，通过等离子体进行蚀刻的等离子体蚀刻处理。作为进行这种等离子体蚀刻用的等离子体蚀刻装置，可以使用各种装置，其中主流为电容结合型平行平板等离子体处理装置。电容结合型平行平板等离子体蚀刻装置，是在腔室内配置一对平行平板电极(上部电极和下部电极)，将处理气体导入腔室内，同时将高频施加到一个电极，在电极间形成高频电场，通过该高频电场形成处理气体的等离子体，并对半导体晶片的规定层进行等离子体蚀刻。具体而言，已知通过将等离子体形成用的高频施加到上部电极形成等离子体，将离子注入用的高频施加到下部电极，形成适当的等离子体状态的等离子体蚀刻装置，由此，可以进行在选择比高、再现性高的蚀刻处理。最近，随着设计规则的微细化，要求在等离子体处理中有低压化下的高密度的等离子体，在电容结合型等离子体处理装置中，要施加比现有高得多的50MHz以上的高频率的高频电力(例如专利文献1)。然而，当施加到上部电极的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：收容被处理基板并可真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和第二电极；将高频电力施加到所述第一电极的高频电源；将直流电压施加到所述第一电极的直流电源；和　 　将处理气体供给到所述处理容器内的处理气体供给单元，其可在所述第一电极与所述第二电极之间生成处理气体的等离子体并对被处理基板进行等离子体处理，并且，所述第一电极被构成为在其外侧部分来自所述直流电源的电流实际上不能流过。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松本直树，舆水地盐，舆石公，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]