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本发明提供一种不论等离子体的状态如何，都可以容易地确保等离子体的均匀性的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在上部电极（３４）与下部电极（１６）之间生成处理气体的等离子体并对晶片（Ｗ）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，高频电源（４８）和...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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