等离子体处理装置制造方法及图纸

在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，从而，与所述被处理基片表面一致的平面和所述内表面之间的间隔沿着所述微波透过窗的径向向外呈多阶梯形地减小，由此来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，包括：支承台，设置在处理容器中，用于支承被处理基片，所述基片具有大致平坦的表面；喷盘，设置成朝向所述支承台，并且具有比被处理的所述基片区域大的第一区域，所述喷盘具有将等离子体激发气体释放到所述处理容器中 的多个气体释放孔，所述气体释放孔形成在比被处理的所述基片区域大的所述喷盘的第二区域上，使得所述等离子体激发气体越过所述第二区域大致均匀地贯通释放到所述处理容器中的空间中；介电板，设置在所述喷盘的外侧；和天线板，设置在所述介电 板的外侧，并且具有不小于所述喷盘的第二区域的区域，所述天线板大致均匀地将微波辐射通过所述...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大见忠弘，平山昌树，须川成利，后藤哲也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，大见忠弘，
类型：发明
国别省市：JP[日本]