【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在配置工作物的腔室内生成等离子体,在工作物上进行等离子体处理的装置。
技术介绍
参照图21说明现有的等离子体处理装置。这种等离子体处理装置具有腔室1,还具有作为高频率供给装置的天线部3,覆盖该腔室的开口上侧。天线部3包含由铝合金制成的天线盖3a、由陶瓷制成的滞波板3b,和由铜合金制成的天线板3c。在天线板3c上作出细长通孔的多个隙缝孔20。另外,在天线部3和腔室1之间配置由石英或陶瓷等介电体制成的顶板15。这里,称为“顶板”有时称为“介电窗”“微波透过窗”等。顶板15利用压紧顶板的环16相对腔室1固定。天线部3由天线压紧环17固定。在腔室1内配置基座7,在进行等离子体处理时,将要处理的基板11放置在基座7的上面后,用真空泵9排出腔室1内的气体,从气体导入口(图中省略)导入反应气体。用高频发生器5产生高频。该高频通过导波管6传送至天线部3,再通过滞波板3b,利用天线电极3c的多个隙缝孔20在一定范围内分配,供给腔室1侧。高频经过顶板15,使反应气体成为等离子体。结果,在腔室1内产生等离子体13,对基板11进行等离子体处理。在这个例子中,导波管6为由 ...
【技术保护点】
一种等离子体处理装置,其特征为,具有:在内部进行等离子体处理用的腔室(1);堵塞所述腔室(1)的上侧的由电介质构成的顶板(15);和通过所述顶板(15),将高频供给所述腔室(1)内的高频供给部件,所述顶板(1 5)内部具有用于反射在所述顶板(15)内部传播的高频的波反射部件。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:石桥清隆,野泽俊久,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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