【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对待处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置。
技术介绍
图7是表示以往的等离子体处理装置30的剖面图,图8是表示图7所示的缝隙天线5的俯视图。图7所示的等离子体处理装置30例如记载于日本特开2005 - 268763号公才艮中。图7中,等离子体处理装置30包括将上部开口的处理容器l,处理容器l是将腔室ll、顶板12、垫块13、平板外罩14重叠而构成的。这些均由铝合金制成。在处理容器l内,配置有用于保持待处理基板2的载台(susceptor) 3。从设于处理容器1的外部的交流电源17向载台3供给偏置用的高频信号。为了实现处理容器l内均一的排气,在载台3的周围形成环状的空间1A,在处理容器1的底部,设有用于利用真空泵等未图示的排气装置将处理容器l内的空气排出的排气管16。在处理容器l上,与载台3上的待处理基板2对应的位置,配置有电介质板4,另外在电介质板4的上部,设有缝隙天线5。缝隙天线5是如图8所示的径向线缝隙天线,包括与同轴波导管9的外侧波导管连接的平坦的圆盘状的缝隙天线辐射板5a,在缝隙天线辐射板5a的开口部,形成有多条缝隙5b和与之正交的多 ...
【技术保护点】
一种等离子体处理装置,具备: 由金属形成的处理容器,其具有上部开口; 电介质板,其配置为将所述处理容器的上部开口封闭; 用于供给微波的微波供给源,其接地侧与所述处理容器连接; 平板状天线,其配置于所述电介质板上,使来自所述微波供给源的微波透过所述电介质板供给到所述处理容器的内部,在所述处理容器的内部产生等离子体;以及 导电性构件,其与所述处理容器的内壁部及所述平板状天线的外缘部直接接触。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:本乡俊明,平山昌树,大见忠弘,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,国立大学法人东北大学,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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