喷淋头以及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种喷淋头以及基板处理装置，与以往相比能够提高处理的均一性，并能够实现装置的小型化，另外能够迅速且准确地调整处理空间内的压力。该喷淋头（１００）由将下侧部件（１）、中间部件（２）和上侧部件（３）层叠的层叠体（１０）构成。在下侧部件（１）上形成多个气体喷出孔（１１），从第一气体喷出孔（１１）朝向基板以喷淋状供给第一气体。在上侧部件（３）上形成多个第二气体喷出孔（２１），从第二气体喷出孔（２１）朝向基板的相反侧以喷淋状供给第二气体。在层叠体（１０）上贯通该层叠体（１０）形成多个排气孔（３１），从这些排气孔（３１）进行排气。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在基板的等离子体处理等中使用的喷淋头以及基板处 理装置。
技术介绍
以往，例如在半导体装置的制造工序中，作为处理半导体晶片或 液晶显示装置用的玻璃基板等基板的处理装置，使用一边从以与基板 相对的方式设置的喷淋头喷淋状供给气体一边进行基板的处理的基板 处理装置。例如，在这样的等离子体处理装置中，即在处理腔室内产生处理 气体的等离子体，通过该等离子体来进行配置在处理腔室内的基板的 等离子体处理例如蚀刻处理或成膜处理的等离子体处理装置中，已知 这样的结构上述喷淋头构成与载置基板的载置台相对的相对电极， 从喷淋头以喷淋状供给规定的处理气体，并且从载置台(基板)的周 围向处理腔室的下方排气，与此同时，在喷淋头和载置台之间施加高 频电力而产生处理气体的等离子体。另外，还己知从喷淋头的周围朝向处理腔室的上方进行排气而构 成的等离子体处理装置(例如参照专利文献l)。专利文献1特许第2662365号公报在上述的现有的技术中，形成从载置台(基板)的周围向处理腔 室的下方排气，或从喷淋头的周围朝向处理腔室的上方排气的结构。 因此，形成从喷淋头供给的气体从基板的中央部朝向周边部流动的气 体的流动，在基板的中央部和周边部容易存在处理状态的差异，存在 处理的面内均一性降低的问题。另外，需要在载置台(基板)的周围 或喷淋头的周围设置排气流路，所以处理腔室比收容在内部的基板大 很多，还存在难以实现装置整体的小型化的问题。另外，由于调整排 气系统的阀的开度来控制处理空间内的压力，所以存在响应慢，难以进行微调整的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种与现有技 术相比能够提高处理的均一性，并能够实现装置的小型化，另外能够 迅速且准确地调整处理空间内的压力的喷淋头和基板处理装置。第一方面的喷淋头，其以与用于载置所述基板的载置台相对的方 式设置于在内部处理基板的腔室中，用于以喷淋状朝向所述基板供给 气体，其特征在于所述喷淋头由层叠多个板状部件而成的层叠体构 成，其包括从设于所述层叠体内的第一气体供给路朝向所述基板以 喷淋状供给第一气体的第一气体供给机构；从设于所述层叠体内的第 二气体供给路以喷淋状供给第二气体的第二气体供给机构；和贯通所 述层叠体设置的用于从所述载置台的相对部分进行排气的多个排气 孔。第二方面的喷淋头是第一方面所述的喷淋头，其特征在于所述 第二气体供给机构朝向所述基板侧的相反侧供给所述第二气体而构 成。第三方面的喷淋头是第一方面所述的喷淋头，其特征在于所述 第二气体供给机构朝向所述基板供给第二气体而构成。第四方面的喷淋头是第一 第三方面中任一项记载的喷淋头，其 特征在于具有从设于所述层叠体内的第三气体供给路以喷淋状供给 第三气体的第三气体供给机构。第五方面的喷淋头是第四方面所述的喷淋头，其特征在于具有 从设于所述层叠体内的第四气体供给路以喷淋状供给第四气体的第四 气体供给机构。第六方面的喷淋头是第一 第五方面中任一项记载的喷淋头，其 特征在于形成与所述载置台相对的相对电极。第七方面的基板处理装置，其特征在于，包括在内部处理基板 的处理腔室；设于所述处理腔室内，用于载置所述基板的载置台；以 与所述载置台相对的方式设置，朝向所述基板以喷淋状供给气体的喷 淋头，其中，所述喷淋头由层叠多个板状部件而成的层叠体构成，其包括从设于所述层叠体内的第一气体供给路朝向所述基板以喷淋状 供给第一气体的第一气体供给机构；从设于所述层叠体内的第二气体 供给路以喷淋状供给第二气体的第二气体供给机构；和贯通所述层叠 体设置的用于从所述载置台的相对部分进行排气的多个排气孔。第八方面的基板处理装置是第七方面的基板处理装置，其特征在 于所述第二气体供给机构构成为朝向所述基板侧的相反侧供给所述 第二气体。第九方面的基板处理装置是第七方面的基板处理装置，其特征在 于所述第二气体供给机构构成为朝向所述基板供给第二气体。第十方面的基板处理装置是第七 第九方面中任一项记载的基板 处理装置，其特征在于具有从设于所述层叠体内的第三气体供给路 以喷淋状供给第三气体的第三气体供给机构。第十一方面的基板处理装置是第十方面的基板处理装置，其特征 在于具有从设于所述层叠体内的第四气体供给路以喷淋状供给第四 气体的第四气体供给机构。第十二方面的基板处理装置是第七 第十一方面中任一项记载的 基板处理装置，其特征在于所述喷淋头形成与所述载置台相对的相 对电极。第十三方面的基板处理装置是第十二方面的基板处理装置，其特 征在于在所述喷淋头和所述载置台之间施加高频电力而产生等离子 体，通过该等离子体进行所述基板的处理。第十四方面的基板处理装置是第十三方面的基板处理装置，其特 征在于所述基板的处理为蚀刻处理。根据本专利技术能够提供一种与以往相比能够提高处理的均一性，并 能够实现装置的小型化，另外能够迅速且准确地调整处理空间内的压 力的喷淋头和基板处理装置。附图说明图1是表示本专利技术的第一实施方式的喷淋头的结构的图。图2是表示本专利技术的第一实施方式的等离子体蚀刻装置的结构的图。图3是图1的喷淋头的上面图。图4是表示本专利技术的第二实施方式的喷淋头的结构的图。图5是表示本专利技术的第二实施方式的等离子体蚀刻装置的结构的图。图6是表示本专利技术的第三施方式的喷淋头的结构的图。图7是表示模拟第一实施方式的喷淋头的气体的流动的结果的图。图8是表示图7的模拟的纵截面方向的压力分布的图。图9是表示图7的模拟的横截面方向的压力分布的图。图IO是表示模拟现有的喷淋头的气体的流动的结果的图。图11是表示图10的模拟的纵截面方向的压力分布的图。图12是表示图IO的模拟的横截面方向的压力分布的图。符号说明1下侧部件2中间部件3上侧部件10层叠体11第一气体喷出孔12第一气体流路13第一气体导入部21第二气体喷出孔22第二气体流路23第二气体导入部31排气孔100喷淋头具体实施例方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。图1是表示本实 施方式涉及的喷淋头的结构的图。喷淋头100由将下侧部件1、配置在该下侧部件的上侧的中间部件 2、设于该中间部件2的上侧的上侧部件3的三张板状部件层叠的层叠 体10构成。该板状部件例如由在表面实施了阳极氧化处理的铝等构成。在上述层叠体10中的下侧部件1上形成多个第一气体喷出孔11，在下侧部件1和中间部件2之间形成与这些第一气体喷出孔11连通的 第一气体流路12。另外，该第一气体流路12贯通中间部件2和上侧部 件3，与在上侧部件3的上面开口的第一气体导入部13连通。这些第 一气体喷出孔H等构成如图1中箭头所示，朝向基板(图中下侧)以 喷淋状供给第一气体的第一气体供给机构。另一方面，在上侧部件3上形成多个第二气体喷出孔21，在上侧 部件3和中间部件2之间形成有与这些第二气体喷出孔21连通的第二 气体流路22。另外，该第二气体流路22贯通上侧部件3，与在上侧部 件3的上面开口的第二气体导入部23连通。这些第二气体喷出孔21 等构成如图1中箭头所示，朝向基板的相反侧(图中上侧)以喷淋状 供给第二气体的第二气体供给机构。另外，在上述层叠体10上贯通该层叠体10、即下侧部件l、中间 部件2和上侧部件3而形成有多个排气孔31。这些排气孔31构成如图 1中箭头所示，从基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种喷淋头，其以与用于载置所述基板的载置台相对的方式设置于在内部处理基板的腔室中，用于朝向所述基板以喷淋状供给气体，其特征在于：　所述喷淋头由层叠多个板状部件而成的层叠体构成，其包括：　从设于所述层叠体内的第一气体供给路朝向所述 基板以喷淋状供给第一气体的第一气体供给机构；　从设于所述层叠体内的第二气体供给路以喷淋状供给第二气体的第二气体供给机构；和　贯通所述层叠体设置的用于从所述载置台的相对部分进行排气的多个排气孔。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：饭塚八城，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]