多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型和使用方法技术

本发明专利技术公开一种多层／多输入／多输出（ＭＬＭＩＭＯ）模型和使用方法。本发明专利技术提供的方法使用多层处理程序和多层／多输入／多输出（ＭＬＭＩＭＯ）模型和库处理衬底，该方法可以包括一个或者多个掩膜层形成工序、一个或者多个预处理测量工序、一个或者多个局部蚀刻（Ｐ－Ｅ）工序、一个或者多个最终蚀刻（Ｆ－Ｅ）工序以及一个或者多个后处理测量工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及衬底处理，更具体地，使用优化的多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型、工序和子系统来改进衬底处理。
技术介绍
蚀刻处理行为固有地是非线性和互相作用的从步骤到步骤(层)或者伴随着处理堆叠被编译(蚀刻/CVD/注入)。利用基于Tokyo ElectronLimited(TEL)室和基本处理的物理建模与来自处理细化的英制数据和测量并调节临界尺寸(CD)的控制相互作用的知识，可以使用多输入多输出非线性模型以递归的方式计算和优化侧壁角度(SWA)、深度、膜厚度、过蚀刻、底切、表面清洁和损坏控制。当前低成本产品使用块硅技术。由于晶体管持续收缩，通道深度的影响正变成临界(超浅源/漏极延伸)。随着SOI膜收缩，栅和/或者间隔的厚度以及SOI膜的厚度的更小的变化可以影响晶体管的性能。当蚀刻工序没有受到控制时，去除栅附近的材料影响电气性能。 当前高性能微处理器使用PD SOI(部分耗尽的硅绝缘体膜上硅)-假定阈值电压为0.2伏特。在栅和/或者间隔减少量可以是总栅/或者间隔厚度的大百分比(10％)的同时PD SOL膜约为50nm。未来一代的SOI膜将称为FD SOL(全耗尽，假本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于建立多层／多输入／多输出（ＭＬＭＩＭＯ）模型的方法，包括：　确定第一多层处理程序以在一个或者多个多层栅结构中形成一个或者多个最终多栅结构，其中，所述第一多层处理程序包括一个或者多个第一测量工序、一个或者多个局部蚀刻（ＰＥ）工序 、一个或者多个最终蚀刻（Ｆ－Ｅ）工序以及一个或者多个第二测量工序，其中，最终多栅结构包括至少一个侧壁角度（ＳＷＡ）和至少一个栅宽度，所述侧壁角度在约八十五度和约九十二度之间，并且所述栅宽度在约二十纳米和约五十纳米之间；　选择第一多层／ 多输入／多输出模型，其被构造成模拟所述第一多层处理程序，所述第一多层／多输入／多输出包括多个控制变量（ＣＶ）...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：麦里特法克，拉哈桑达拉拉简，李俊华，丹尼尔帕格，山下朝夫，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]