【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及, 特别是涉及对基板进行等离子体处理的基板处理装置的电极单元。
技术介绍
对半导体晶片进行等离子体处理的基板处理装置,包括收容半导 体晶片的腔室、配置在该腔室内且载置半导体晶片的载置台、以及配 置成与该载置台相对且向腔室内供给处理气体的喷淋头。载置台与高 频电力源连接并用作下部电极,喷淋头具有圆板状的电极层并用作上 部电极。在基板处理装置中,在载置台以及喷淋头的电极层之间施加 高频电压,腔室内的处理气体被激发而产生等离子体。由于电极层的温度对等离子体处理结果的分布产生影响,在等离 子体处理中,需要将电极层的温度保持一定。但是,由于来自等离子 体的热量使上部电极单元的电极层升温,因而需要冷却。因此,在现 有的基板处理装置中以包围电极层周围的方式配置制冷剂通路,通过 使制冷剂在该制冷剂通路内流动而冷却电极层。此外,由于在进行等 离子体处理的开始时,存在电极层的温度较低的情况,因而需要对该 电极层进行加热。因此,在现有的基板处理装置中,以包围电极层周 围的方式配置加热器,对电极层进行加热(例如,参照专利文献l)。专利文献l:日本特开2005-150606 ...
【技术保护点】
一种电极单元,配置在具备用等离子体对基板进行处理的处理室的基板处理装置中,其特征在于,包括: 从所述处理室侧依次设置的,暴露在所述处理室内的电极层、加热层以及冷却层, 所述加热层全面覆盖所述电极层,并且所述冷却层通过所述加热层全 面覆盖所述电极层,在所述加热层和所述冷却层之间配置有填充有传热介质的传热层。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:肥田刚,大藪淳,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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