电极单元、基板处理装置及电极单元的温度控制方法制造方法及图纸

技术编号:3774966 阅读:184 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种能够对整个电极层进行适当的温度控制的电极单元。具备对基板实施等离子体蚀刻的处理室(17)的基板处理装置(10),具有与载置半导体晶片(W)且向处理室(17)内施加高频电压的基座(12)相对设置的作为上部电极单元的喷淋头(29),该喷淋头(29)具有从处理室(17)侧依次设置的暴露在处理室(17)内的电极层(32)、加热层(33)以及冷却层(34),加热层(33)全面覆盖电极层(33),并且冷却层(34)通过加热层(33)全面覆盖电极层(32),在加热层(33)以及冷却层(34)之间配置有填充了传热气体的传热层(36)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及, 特别是涉及对基板进行等离子体处理的基板处理装置的电极单元。
技术介绍
对半导体晶片进行等离子体处理的基板处理装置,包括收容半导 体晶片的腔室、配置在该腔室内且载置半导体晶片的载置台、以及配 置成与该载置台相对且向腔室内供给处理气体的喷淋头。载置台与高 频电力源连接并用作下部电极,喷淋头具有圆板状的电极层并用作上 部电极。在基板处理装置中,在载置台以及喷淋头的电极层之间施加 高频电压,腔室内的处理气体被激发而产生等离子体。由于电极层的温度对等离子体处理结果的分布产生影响,在等离 子体处理中,需要将电极层的温度保持一定。但是,由于来自等离子 体的热量使上部电极单元的电极层升温,因而需要冷却。因此,在现 有的基板处理装置中以包围电极层周围的方式配置制冷剂通路,通过 使制冷剂在该制冷剂通路内流动而冷却电极层。此外,由于在进行等 离子体处理的开始时,存在电极层的温度较低的情况,因而需要对该 电极层进行加热。因此,在现有的基板处理装置中,以包围电极层周 围的方式配置加热器,对电极层进行加热(例如,参照专利文献l)。专利文献l:日本特开2005-150606号公报
技术实现思路
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【技术保护点】
一种电极单元,配置在具备用等离子体对基板进行处理的处理室的基板处理装置中,其特征在于,包括: 从所述处理室侧依次设置的,暴露在所述处理室内的电极层、加热层以及冷却层, 所述加热层全面覆盖所述电极层,并且所述冷却层通过所述加热层全 面覆盖所述电极层,在所述加热层和所述冷却层之间配置有填充有传热介质的传热层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:肥田刚大藪淳
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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