基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置，该基板处理装置能降低产品成本，并能使保养维修更加省时省力。该基板处理装置包括：处理室（１１），其使用多种气体对被处理基板实施处理；气体导入部（１２），其被设置在处理室（１１）中，将多种气体导入处理室（１１）内；进气块（１３），其被配置在处理室（１１）上，在其内部具有将多种气体从气体供给机构（１４）导入气体导入部（１２）中的多条气体流路（１３ｂ），和加热在这些气体流路中的至少一条流路中流动的气体的加热器（２３）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对半导体晶片等的被处理基板进行处理的基板处 理装置。
技术介绍
在半导体装置的制造工艺中，为了在作为被处理基板的半导体晶 片(以下简称为晶片)上形成集成电路，进行形成绝缘膜、金属膜、以及金属化合物膜等薄膜的工艺。作为基板处理装置使用CVD装置、 PVD装置、ALD装置等成膜装置进行成膜处理。成膜装置使用多种工艺气体来形成薄膜。在为栅极绝缘膜等中使 用的高介电常数绝缘膜(High-k膜)的时候，作为工艺气体使用前体 (precursor)、还原剂、等离子体用气体、添加剂等。如专利文献1中 所述那样，通过气体配管将工艺气体从工艺气体供给源供给到基板处 理装置的工艺气体导入部中。专利文献1特表2007-530796号公报
技术实现思路
供给到基板处理装置的工艺气体是通过气体配管进行的，但气体 配管不仅需要导管或管道，还需要多个例如方向变换用的角、弯头， 用于分支的T形管和十字管等，各种各样的接头。使用自动焊接将这 些接头和导管或管道连接起来，并进行组装加工。这样一来，气体配管需要大量的部件。然而，由于组装加工多种 部件而使得构造变得复杂，例如，也不得不将配管罩等加工成型为复 杂的形状。此外，虽然存在在气体配管中安装有加热工艺气体的覆套 式电阻加热器(mantel header)的情况，但根据配管构造，也存在不得 不准备特殊形状的覆套式电阻加热器的情况。基于这些原因，存在基板处理装置、例如成膜装置等的产品成本4容易升高的情况。此外，由于气体配管中使用了多种部件，因此在保养维修时需要 花费大量的劳力和时间用于拆卸、检査部件、重新组装。因此，这也 有碍于保养维修的省时省力。为了解决所述问题，本专利技术的一方式涉及的基板处理装置，包括: 处理室，其使用多种气体对被处理基板实施处理；气体导入部，其被 设置在上述处理室中，将上述多种气体导入上述处理室内；进气块， 其被配置在上述处理室上，在其内部具有将上述多种气体从气体供给 机构导入上述气体导入部中的多条气体流路，和加热在这些气体流路 中的至少一条流路中流动的气体的加热器。本专利技术提供一种基板处理装置，该基板处理装置能降低产品成本， 并能使保养维修更加省时省力。附图说明图1是表示本专利技术实施方式涉及的基板处理装置的一个例子的平 面图。图2是沿图1中2-2线的截面图。 图3是沿图1中3-3线的截面图。图4A是表示进气块(inlet block)的一个例子的截面图，图4B是 表示参考例涉及的气体配管的截面图。图5是表示参考例涉及的配管罩的截面图。 图6是表示进气块的一个形成例子的截面图。 符号说明10基板处理装置 11 处理室 12气体导入部 13进气块14工艺气体供给机构 15 处理空间 16载置台23加热器(棒状加热器)24密封材料 具体实施例方式以下参照附图对本专利技术的一实施方式进行说明。所参照的所有附 图中，对同一部分标注同一参照符号。在本专利技术中，表示作为基板处 理装置，适用于在半导体晶片(以下简称为晶片)上形成薄膜的成膜 装置的情况。作为成膜装置的一个例子，可以是在晶片上形成高介电 常数绝缘膜、例如铪系的高介电常数绝缘膜的ALD装置。但本专利技术并 不仅适用于ALD装置，还可以适用于CVD装置、PVD装置等其它成 膜装置。此外，本专利技术不局限于成膜装置，还可以是适用于蚀刻装置 等其它基板处理装置。图1是表示本专利技术的一实施方式涉及的基板处理装置的一个例子 的平面图，图2是沿图1中2-2线的截面图，图3是沿图1中3-3线的 截面图。如图1 图3所示，基板处理装置10具备处理室ll，其使用工 艺气体对晶片W实施成膜处理；气体导入部12，其被设置在该处理室 11中，将工艺气体导入处理室11内；进气块13，其被设置在上述处 理室11上，将工艺气体从气体供给机构14导入气体导入部12中。本例子中的处理室11主要由腔室lla、设置在腔室lla上的排出 处理空间15中的气体的排气环11b、和设置在排气环lib上的盖体lie 构成。在腔室lla内部设置有载置晶片W的载置台16，在腔室lla的侧 壁设置有将晶片W搬入或搬出处理室11的内部的搬入搬出部17。载 置台16在腔室lla内上下移动，从而在腔室lla侧和处理空间15侧之 间上下移动晶片W。排气环lib具有排气通路18。排气通路18呈环状形成在腔室lla 的上方，在本例子中以包围呈圆筒状的处理空间15的周围的方式形成。 排气通路18的至少一处与未图示的排气泵等排气机构连接。在排气通 路18和处理空间15之间设置有侧壁状的挡环19。在挡环19上形成有 对放出到处理空间15中的工艺气体进行排气的多个排气孔19a。盖体11c设置在排气环lib上。处理空间15由盖体llc、排气环llb、本例子中的挡环19、和上升至挡环19的底部的载置台16包围而 形成。在本例子中，处理空间15按如上所述的方式形成，但处理空间 15的形成方式并不局限于此。也可以作成不具有排气环llb，从腔室 lla的下方排出工艺气体，由腔室lla和盖体llc形成处理空间15那 样的一般结构。盖体llc的处理空间15侧设置有上侧板20a和下侧板20b。下侧 板20b的处理空间15侧的表面成盘状凹陷，在其中部设置有放出工艺 气体的气体放出部21。本例子的气体放出部21是半球形。但气体放出 部并不局限于半球形，也可以是其它任意一种形状，例如喷淋头形等。气体导入部12是将通过进气块13导入的工艺气体导入到气体放 出部21的部分。在本例子中，气体导入部12在盖体llc、上侧板20a、 以及下侧板20b中作为气体流路而形成。控制部件50控制基板处理装置10的各构成部。控制部件50具备: 过程控制器51，其由执行各构成部的控制的微处理器(计算机)构成； 用户界面52，其由操作者为了管理基板处理装置10而进行指令的输入 操作等的键盘，和将基板处理装置10的运作状态可视化并显示的显示 器等构成；以及存储部53，其用于存储方案，也就是通过过程控制器 51的控制实现基板处理装置10中执行的各种处理的控制程序，和根据 各种数据和处理条件对处理装置的各构成部进行处理的程序。用户界 面52和存储部53与过程控制器51连接。方案被存储在存储部53内 的存储介质中。存储介质可以是硬盘，也可以是CD-ROM、 DVD、闪 存器等可移动的存储介质。此外，例如也可以通过专用线路从其它装 置将方案适当传送到存储介质中。任意的方案，可以根据需要按照来 自用户界面52的指示从存储部53中调出，并由过程控制器51执行， 由此，基板处理装置10在过程控制器51的控制下进行所要求的基板 处理。进气块13是将工艺气体从接收工艺气体的气体供给部22通过处 理室11导入上述气体导入部12的部分，上述气体供给部22被设置在 处理室11上，接收从工艺气体供给部14供给的工艺气体。该部分以 往通过对气体配管进行组装加工而构成，但在本例子中气体配管由一 个块(一体品)构成。块的一例是金属，金属的一例是传热性良好的铝。此块在本说明书中被称为进气块13。图4A表示的是进气块13的 一个例子。另外，作为参考例图4B表示的是气体配管的例子。图4A 和图4B分别为截面图。如图4A所示，进气块13例如具有金属制母材13a，并具有在该 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，包括：　处理室，其使用多种气体对被处理基板实施处理；　气体导入部，其被设置在所述处理室中，将所述多种气体导入所述处理室内；　进气块，其被配置在所述处理室上，在其内部具有将所述多种气体从气体供给 机构导入所述气体导入部中的多条气体流路，和加热在这些气体流路中的至少一条流路中流动的气体的加热器。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：津田荣之辅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]