载置台机构和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种载置台机构和采用该机构的等离子体处理装置，通过减小向吸盘电极施加直流电压时和切断直流电压时的吸盘等效电路的时间常数，迅速进行电荷的蓄积和电荷的释放。该载置台机构载置被处理体（Ｗ），设在处理容器（５２）内，包括载置台（８４）、内部设有吸盘电极（１１４）的静电吸盘（８６）、经由供电线（１１６）连接吸盘电极（１１４）的直流高压电源（１２０）、设在供电线（１１６）中途的吸盘用开关部（１２４）和阻止高频电力进入用滤波部（１１８）、检测载置台（８４）的直流成分用的直流成分检测电路（９６）和控制开关部（１２４）的开关控制部（１１２），滤波部（１１８）不含电阻元件，由电容元件和感应元件形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对半导体基板、液晶显示装置的玻璃基板等被处理体进行等离子体处 理的等离子体处理装置、在该等离子体处理装置中使用的载置台机构和向静电吸盘施加电 压的电压施加方法。
技术介绍
一般而言，在制造半导体集成电路、液晶显示装置时，需要在半导体基板、玻璃基 板上反复进行成膜处理、蚀刻处理、改性处理、氧化扩散处理等。而且，在上述各种处理中，例如在蚀刻处理等中，使用等离子体处理装置进行处理 (专利文献1 3)。下面，参照图16，说明现有的等离子体处理装置的一例。如图16所示， 该等离子体处理装置具有例如由铝合金构成的处理容器2，在该处理容器2内，能够通过未 图示的真空排气系统进行真空排气。在该处理容器2的顶部，作为向该处理容器2内导入 必要的气体的气体导入机构，设置有例如由铝合金构成的喷淋头部4，并在处理容器2的底 部侧设置有载置台机构6。该载置台机构6主要由隔着例如由氧化铝等陶瓷材料构成的绝缘材料8设置的载 置台10和设置在载置台10的上表面侧的静电吸盘12构成，其中，载置台10例如由铝合金 构成。而且，在上述静电吸盘12上，作为被处理体载置例如由玻璃基板或半导体基板构成 的被处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种载置台机构，设置在能够被真空排气的处理容器内，载置利用通过高频电力产生的等离子体进行规定的等离子体处理的被处理体，该载置台机构的特征在于，包括：用于载置所述被处理体的、由导电部件构成的载置台；配置在所述载置台的上表面、为了吸附所述被处理体而在内部设置有吸盘电极的静电吸盘；为了施加产生静电力的直流电压而经由供电线连接在所述吸盘电极上的直流高压电源，在该供电线的中途设置有用于阻止高频电力进入的滤波部；插设在所述供电线的中途、在吸附所述被处理体时被闭合的吸盘用开关部；为了检测在所述等离子体处理时施加在所述载置台上的直流成分而被连接在所述载置台上的直流成分检测电路；和控制所述吸盘用开关部的开关控制...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：古屋敦城，东条利洋，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]