等离子体蚀刻方法和控制程序技术

本发明专利技术提供一种等离子体蚀刻方法和控制程序，其与现有技术相比，能够抑制弓弯的产生，并能高精度地进行更精细的加工。本发明专利技术的等离子体蚀刻方法在对有机膜（１０２）进行蚀刻而形成被蚀刻膜（１０１）的掩模图案时，至少包括：第一有机膜蚀刻工序，其对有机膜（１０２）的一部分进行蚀刻；处理工序，其在第一有机膜蚀刻工序之后，将含硅膜（１０３）和有机膜（１０２）暴露在稀有气体的等离子体中；和第二有机膜蚀刻工序，其在处理工序之后，对有机膜（１０２）的残留部分进行蚀刻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用等离子体蚀刻被处理基板的等离子体蚀刻方 法和控制程序。
技术介绍
历来，在半导体装置的制造工序中，隔着掩模层进行等离子体蚀 刻，将硅氧化膜等形成为预期的图案。此外，在这种等离子体蚀刻中， 随着半导体装置的电路的精细化，需要以高的精度进行更精细的加工。作为上述的以高精度进行精细加工的一种技术，例如存在如下技术作为通过等离子体蚀刻形成接触孔时的掩模，使用非晶碳、SOH (SpinOnHardmask:旋涂式硬掩模)等硬掩模。在对这种非晶碳、SOH 等含碳(C)膜进行等离子体蚀刻的情况下，多使用02类的等离子体 进行蚀刻，例如已知使用CO和02的混合气体作为蚀刻气体(例如， 参照专利文献l)。但是，如上所述，例如在使用CO和02的混合气体作为蚀刻气体 对非晶碳进行等离子体蚀刻的情况下，当蚀刻图案精细化，例如接触 孔的直径变小时，容易产生侧壁的形状向外侧方向弯曲的所谓的弓弯 (bowing)。因此，在使用产生有弓弯的非晶碳等的掩模对硅氧化膜进 行等离子体蚀刻时，存在硅氧化膜的孔的形状产生误差的问题。此外， 在形成接触孔等孔的情况下，在孔径小于0,8 u m时弓弯变得显本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体蚀刻方法，其使用等离子体，对从下侧起依次至少叠层有被蚀刻膜、作为所述被蚀刻膜的掩模的有机膜、和含硅膜的被处理基板进行蚀刻，该等离子体蚀刻方法的特征在于：　在对所述有机膜进行蚀刻而形成所述被蚀刻膜的掩模图案时，至少包括：　 　第一有机膜蚀刻工序，其对所述有机膜的一部分进行蚀刻；　处理工序，其在所述第一有机膜蚀刻工序之后，将所述含硅膜和所述有机膜暴露在稀有气体的等离子体中；和　第二有机膜蚀刻工序，其在所述处理工序之后，对所述有机膜的残留部分进行蚀刻 。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小笠原正宏，李诚泰，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]