基板处理控制方法技术

本发明专利技术提供一种基板处理控制方法，其在基板具有２种微小构造的情况下，也能够严格地控制微小构造中的形状的尺寸。该基板处理控制方法，针对存储单元（８３）的每个ＣＤ值，使用ＲＣＷＡ计算得到来自存储单元（８３）的反射率的光谱，并且使用标量分析计算得到来自逻辑部（８２）的反射率的光谱，将这两个反射率的光谱叠加，针对存储单元（８３）的每个ＣＤ值得到参考光谱数据，在蚀刻中，基于来自存储单元（８３）和逻辑部（８２）的反射光，计算出实测光谱数据，将与实测光谱数据基本一致的参考光谱数据的ＣＤ值作为存储单元（８３）的测定得出的ＣＤ值，在该测定得出的ＣＤ值达到期望值的情况下，结束蚀刻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种和存储介质，特别涉及对形成有微小的线与间隙(line and space)构造的基板实施规定的处理时的基 板处理控制方法。
技术介绍
通常，在由作为基板的晶片制造半导体器件时，通过蚀刻形成线 与间隙构造。图7是表示由蚀刻形成线与间隙构造的形成工序的代表例的图， 图7 (A)和图7 (B)是反射防止膜中的线与间隙构造的形成工序， 图7 (C)和图7 (D)是光致抗蚀剂膜中的线与间隙构造的形成工序。在图7 (A)和图7 (B)中，在具有在硅基部71上依次叠层的基 底膜72、反射防止膜(BARC膜)73、和具有使该反射防止膜73部分 露出的图案构造的光致抗蚀剂膜74的晶片上，将光致抗蚀剂膜74作 为掩模，蚀刻被露出的BARC膜73。此时，BARC膜73不仅在厚度 方向(图中的上下方向)被蚀刻，在宽度方向(图中的左右方向)也 被蚀刻，其结果，在基底膜72上形成由BARC膜73的残留部构成的 多个狭小的线75。另外，在图7 (C)和图7 (D)中，在具有在硅基部76上依次叠 层的基底膜77、有机膜78、 SiARC膜79、和具有规定的图案构造的 光致抗蚀剂膜80的晶片上，只本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理控制方法，在对表面上形成有第一微小构造和第二微小构造的基板实施规定的基板处理的基板处理装置中，控制所述规定的基板处理，其中，第一微小构造具有照射的光的波长以下的尺寸的形状，第二微小构造具有照射的光的波长以上的尺寸的形状，所述规定的基板处理使所述第一微小构造的形状的尺寸变化，该基板处理控制方法的特征在于，包括：　反射率光谱计算步骤，其针对各所述形状的尺寸，预先计算得到所述形状的尺寸已变化时的来自所述第一微小构造的反射光的第一反射率的光谱和来自所述第二微小构造的 反射光的第二反射率的光谱；　反射率光谱叠加步骤，其将所述得到的第一反射率的光谱和所述得到的第二反射率的光谱叠加，得...

【技术特征摘要】
JP 2008-7-30 2008-1962711.一种基板处理控制方法，在对表面上形成有第一微小构造和第二微小构造的基板实施规定的基板处理的基板处理装置中，控制所述规定的基板处理，其中，第一微小构造具有照射的光的波长以下的尺寸的形状，第二微小构造具有照射的光的波长以上的尺寸的形状，所述规定的基板处理使所述第一微小构造的形状的尺寸变化，该基板处理控制方法的特征在于，包括反射率光谱计算步骤，其针对各所述形状的尺寸，预先计算得到所述形状的尺寸已变化时的来自所述第一微小构造的反射光的第一反射率的光谱和来自所述第二微小构造的反射光的第二反射率的光谱；反射率光谱叠加步骤，其将所述得到的第一反射率的光谱和所述得到的第二反射率的光谱叠加，得到针对各所述形状的尺寸的参考光谱数据；反射率光谱实测步骤，其向所述基板照射光，并实测来自所述基板的所述第一和第二微小构造的反射光，得到该实测出的反射光的反射率的光谱，作为实测光谱...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤进，清水昭贵，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]