【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种成膜装置，详细地说，涉及一种在真空容器内利用从反应气体喷嘴供给的反应气体而在基板上形成薄膜的成膜装置。
技术介绍
作为半导体制造工艺中的成膜方法，已知有以下方法在真空气氛下，将至少两 种反应气体按顺序供给到作为基板的半导体晶圆(以下，称为晶圆)等的表面上，由此 形成薄膜。具体地说，该方法例如多次进行如下所述的循环使第一反应气体吸附在基板 的表面上之后，将供给的气体切换为第二反应气体，通过两种气体在晶圆的表面上的反应， 形成一层或者多层原子层、分子层。通过反复这样的循环，层叠这些层而在晶圆上进行成 膜。该工艺被称为例如ALD(Atomic LayerD印osition，原子层沉积)或MLD(Molecular LayerD印osition，分子层沉积)等，利用该工艺，能够根据循环的次数高精度地控制膜的 厚度，并且膜质的面内均匀性良好，该工艺是能应付半导体设备薄膜化的有效的方法。 作为这种成膜方法的最佳的例子，可以列举出例如用于栅极氧化膜的高电介质膜 的成膜。举一个例子，在形成氧化硅膜(Si0j莫)时，使用例如双叔丁基氨基硅烷(以下称 为BTB...
【技术保护点】
一种成膜装置，其是利用反应气体而在基板的表面上形成薄膜的成膜装置，其特征在于，包括： 旋转台，其具有载置基板的基板载置区域； 真空容器，其具有收纳上述旋转台的容器主体和用于气密地堵在该容器主体的上表面上的顶板； 开闭机构，其用于开闭上述顶板； 多个反应气体喷嘴，其被支承在外周壁上，设置成贯穿上述真空容器的上述容器主体的上述外周壁而与上述基板载置区域的通过区域相对并且相互隔开间隔地位于上述旋转台上的绕旋转中心的不同的角度位置，从沿着相对于上述旋转中心的径向设置的气体喷出孔分别将反应气体供给到基板的表面上，由此形成多个处理区域； 分离气体供给部件，其用于分离上述多个处...
【技术特征摘要】
JP 2008-12-1 2008-306734;JP 2008-12-3 2008-309011一种成膜装置，其是利用反应气体而在基板的表面上形成薄膜的成膜装置，其特征在于，包括旋转台，其具有载置基板的基板载置区域；真空容器，其具有收纳上述旋转台的容器主体和用于气密地堵在该容器主体的上表面上的顶板；开闭机构，其用于开闭上述顶板；多个反应气体喷嘴，其被支承在外周壁上，设置成贯穿上述真空容器的上述容器主体的上述外周壁而与上述基板载置区域的通过区域相对并且相互隔开间隔地位于上述旋转台上的绕旋转中心的不同的角度位置，从沿着相对于上述旋转中心的径向设置的气体喷出孔分别将反应气体供给到基板的表面上，由此形成多个处理区域；分离气体供给部件，其用于分离上述多个处理区域之间的气氛，被设置在相对于上述旋转中心而言上述处理区域的相位之间的位置上，供给分离气体，以形成分离区域；以及真空排气部件，其对上述真空容器内的气氛进行排气。2. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，在上述反应气体喷嘴中的至少一个气体喷嘴的上游侧设置有用于在上述真空容器的 外侧对反应气体进行预处理的预处理单元。3. 根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于， 上述预处理是加热处理和等离子处理中的一种处理。4. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，上述反应气体喷嘴装卸自如地被插入到形成在上述真空容器的上述容器主体的外周 壁上的通孔中。5. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，在上述真空容器的上述容器主体的外周壁上，为了能够选择上述反应气体喷嘴的安装 位置，在整个周向上的多个部位形成有数量多于所使用的反应气体喷嘴的数量的反应气体 喷嘴的安装孔。6. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，上述多个反应气体喷嘴由供给第一反应气体的第一反应气体喷嘴以及供给与该第一 反应气体发生反应的第二反应气体的第二反应气体喷嘴构成，反复进行将上述第一反应气体和上述第二反应气体按顺序供给到基板的表面上的供 给循环，由此层叠多层反应生成物层以形成上述薄膜。7. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，上述分离气体供给部件是分离气体喷嘴，该分离气体喷嘴从上述真空容器的上述容器 主体的外周壁与该旋转台隔有距离地朝向上述旋转台的旋转中心伸出，并且为了供给分离气体而在该分离气体喷嘴的整个长度方向的下表面上形成有多个气体喷出孔。8. 根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，在上述真空容器的上述容器主体的外周壁上，为了能够选择上述分离气体喷嘴的安装 位置，在整个周向上的多个部位形成有数量多于所使用的分离气体喷嘴的数量的分离气体 喷嘴的安装孔。9. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，上述分离气体供给部件是分离气体喷嘴，该分离气体喷嘴从上述真空容器的上述容器 主体的外周壁与该旋转台隔有距离地朝向上述旋转台的旋转中心伸出，并且为了供给分离气体而在该分离气体喷嘴的整个长度方向的下表面上形成有多个气体喷出孔，在上述真空容器的上述容器主体的外周壁上，为了能够选择上述反应气体喷嘴和分离 气体喷嘴各自的安装位置，在整个周向上的多个部位形成有数量多于所使用的反应气体喷 嘴和分离气体喷嘴两者合计数量的安装孔，上述安装孔兼用作上述反应气体喷嘴的安装孔和上述分离气体喷嘴的安装孔。10. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，上述分离区域位于上述分离气体供给部件的旋转台的上述旋转方向的上游侧和下游 侧这两侧，上述顶板具有顶面，该顶面用于在该顶面与旋转台之间形成供分离气体从该分 离区域流向处理区域侧的空间。11. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，该成膜装置具有中心部区域，该中心部区域为了分离上述多个处理区域的气氛而位于 上述真空容器内的中心部，形成有向上述旋转台的基板载置面侧喷出分离气体的喷出孔，上述反应气体与扩散到上述分离区域的两侧的分离气体和从上述中心部区域喷出的 分离气体一起被从上述真空排气部件排出。12. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于， 沿着上述旋转台的旋转方向设置有多个上述基板载置区域。13. —种成膜装置，其是通过将反应气体供给到基板的表面上来形成薄...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤寿，本间学，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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