本发明提供氮化硅膜和非易失性半导体存储器件，其中氮化硅膜作为半导体存储器件的电荷蓄积层有用并且具有优良的电荷蓄积能力。具有在膜的厚度方向上大致均等的陷阱密度的氮化硅膜具有高电荷蓄积能力。该氮化硅膜通过等离子体ＣＶＤ成膜，该等离子体ＣＶＤ...

本发明提供载置台结构和使用它的处理装置。该载置台结构配置在使用微波并实施规定的热处理的处理容器内，其特征在于，包括：埋入有具有由非金属材料构成的发热体的加热单元并且载置上述被处理体的载置台；和从上述处理容器的底部立起并支承上述载置台的支...

本发明涉及的气化器（３００）连接有多个块状的气化组件（３１０），各气化组件具有：液态原料的喷出口；使从喷出口喷出的液态原料气化、生成原料气体的气化室（３７０）；贯通与其它气化组件接合的接合面而形成的液态原料流路（３２０）；和在液态原料流...

本发明提供涂敷处理方法、涂敷处理装置和计算机能够读取的存储介质。在涂敷工序中，使基板高速旋转，在此状态下从第一喷嘴向基板的中心部喷出抗蚀剂液，在基板上涂敷抗蚀剂液。接着，在平坦化工序中，使基板的旋转减速，使基板以低速旋转，使基板上的抗蚀...

本发明提供一种使用了同轴管的微波的传输线路。在等离子体处理装置（１０）中，将从微波源（９００）经由分支波导管（９０５）向同轴管（６００）传输的微波利用分支板（６１０）分成多个微波，向多个同轴管的内部导体（３１５ａ）传输。沿各同轴管的内部...

本发明提供一种可以尽可能地减少电介质体的使用量的等离子体处理装置。本发明是如下的等离子体处理装置，即，具备收纳进行等离子体处理的基板（Ｇ）的金属制的处理容器（４）、向处理容器（４）内供给为了激发等离子体（Ｐ）而必需的电磁波的电磁波源（３...

本发明提供半导体装置的制造方法，能够提供减少残留在构成半导体装置的金属上的氟而可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置的制造方法包括进行除去在形成电极或配线的金属上生成的金属氟化物的处理的氟化物除去工序，其中，该电极或配线是在被处理基板...

本发明提供一种蒸镀装置的控制装置，是利用在蒸镀源（１１０）中气化后的成膜材料对基板（Ｇ）进行成膜处理的蒸镀装置（１００）的控制装置（７００），控制装置（７００）的存储部（７１０）存储表示成膜速度与载气流量之间的关系的多个表格。表格选择部...

本发明提供一种等离子体处理装置，所公开的等离子体处理装置具备：容纳被处理体的处理容器；产生微波的微波发生部；将在微波发生部产生的微波导向处理容器的波导路；由导体制成的平面天线，该导体具有将导向波导路的微波向处理容器辐射的多个微波辐射孔；...

在以往的信息处理装置中，存在无法根据与半导体过程有关的时间序列数据精度良好地检测半导体过程的状态的问题。本发明具备：第一输入接受部（１０１），接受作为与半导体过程有关的时间序列数据的第一信息；第二输入接受部（１０２），接受作为与半导体过...

本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理装置的使用方法。等离子体处理装置（１０），具有：由金属形成的处理容器（１００）、输出微波的微波源（９００）、面向处理容器（１００）的内壁并向处理容器内透过自微波源（９００）输出的微波的电介质板...

本发明提供一种无定形碳膜的形成方法。该方法使用在处理容器内配置了上部电极和下部电极的平行平板型等离子体ＣＶＤ装置，并且具有在下部电极上配置基板的步骤；和在向处理容器内供给一氧化碳和惰性气体的同时，至少对上部电极施加高频电力，产生等离子体...

本发明提供一种等离子体处理装置的清洗方法，在能够抽真空的处理容器（３２）内对被处理体（Ｗ）使用等离子体实施等离子体处理，具有：第一清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为第一压力而进行清洗；第二清洗工...

本实用新型提供一种等离子体处理装置。其能使匹配盒的升降驱动装置小型化，并可靠地电连接室和匹配盒。其中，该等离子体处理装置包括室（１２）、匹配盒（２１）和气缸（３１）；该室（１２）在内部含有上部电极（１３）和下部电极（１４）；该匹配盒（２...

本发明公开了使用原子层沉积（ＡＬＤ）来沉积薄膜的系统和方法。沉积系统（１０）包括具有周侧壁（３６）的处理室（１６）、将处理室（１６）内的处理空间（３８）划分成至少两个隔室（７６、７８）的隔断部（６８、７０、７２、７４）、以及支撑处理空间...

本发明提供一种蚀刻方法，是利用等离子体对在基板上形成的添加氟的碳膜进行蚀刻的蚀刻方法，其具有：利用含有氧的处理气体的等离子体来进行蚀刻的第一阶段、利用含有氟的处理气体的等离子体来进行蚀刻的第二阶段。

本发明描述了一种用于将衬底暴露在各种工序中的处理系统。此外，提供了一种构造为连接并使用该处理系统以便于将处理材料分配到衬底上的气体分配系统。该处理系统包括处理室，连接到该处理室的基团产生系统，连接到基团产生系统并被构造为将活性基团分配到...

所公开的载置台构造，是在对基板进行规定处理的可抽真空的处理容器内支撑基板的载置台构造，该载置台构造具有：载置台主体，其载置基板；升降销机构，其构成为将基板降到载置台主体，并从载置台抬起基板；阶梯部，其形成在载置台主体上，使得载置在载置台...

本发明的成膜方法包括：在层间绝缘膜（５２０）上和接触孔（５３０）底部的含硅表面（５１２）上形成钛膜的钛膜形成工序；将该钛膜全部氮化，形成单一的氮化钛膜（５５０）的氮化工序；和在氮化钛膜上形成钨膜（５６０）的钨膜形成工序。由此，能够防止由...

蒸镀装置（１０）具有：多个蒸镀源（２１０），其使收纳的不同成膜材料分别气化；多个喷出机构（１１０），其从喷出口（Ｏｐ）喷出在多个蒸镀源（２１０）气化的成膜材料；１个或２个以上的隔壁（１２０），其将相邻的喷出机构（１１０）隔开。该１个或２...