等离子体处理方法及等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板（Ｗ）载置在下部电极的基座（１６）上，并由高频电源（３０）施加等离子体生成用的高频。将在基座（１６）的上方与它平行相对配置的上部电极（３４）经由环状的绝缘体（３５）在电气浮起的状态下安装在腔室（１０内。在上部电极（３４）的上面和腔室（１０）的顶棚之间的空间（５０）中设置电容可变的可变电容器（８６）。根据处理条件由电容控制部（８５）改变可变电容器（８６）的电容，对上部电极（３４）的接地电容进行切换。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对被处理基板实施等离子体处理的技术，尤其涉及电 容耦合型的等离子体处理装置及等离子体处理方法。
技术介绍
在半导体器件或FPD (Flat Panel Display:平板显示器)的制造工 艺中的蚀刻、沉积、氧化和溅射等的处理中，为了在处理气体中以比 较低的温度进行良好的反应经常利用等离子体。在现有技术中，在枚 页式的等离子体处理装置、尤其是等离子体蚀刻装置中，电容耦合型 的等离子体处理装置已成为主流。一般来说，电容耦合型的等离子体处理装置在作为真空腔室来形 成的处理容器内平行地配置有上部电极和下部电极，在下部电极之上 载置被处理基板(半导体晶片、玻璃基板等)，在两电极的任何一方施 加高频电压。凭借由该高频电压在两电极之间形成的电场使电子加速， 由电子与处理气体的碰撞电离产生等离子体，由等离子体中的自由基 和离子在基板表面上实施需要的微细加工(例如蚀刻加工)。这里，由 于施加了高频率的一侧电极经由匹配器内的隔离电容器(blocking capacitor)连接到高频电源上，就作为阴极(cathode)(阴极)来工作。在支承基板的下部电极上施加高频率来将它当作阴极的阴极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理方法，其特征在于：　在可真空的、接地的处理容器内，隔开规定的间隔平行配置第一电极和第二电极，由第二电极支承被处理基板使其与所述第一电极相对，对所述处理容器内进行真空排气达到规定的压力，向所述第一电极、所述第二电极和所述处理 容器的侧壁之间的处理空间提供所希望的处理气体，并且在所述第二电极上施加第一高频，由在所述处理空间中生成的等离子体对所述基板实施所希望的处理，　经由绝缘体或空间将所述第一电极安装在所述处理容器内，并且经由静电电容可变的静电电容可变部电气地连 接到接地电位上，根据实施等离子体处理的所述基板的处理片数切换所述静电电容可变部的静电电容。

【技术特征摘要】
JP 2006-3-30 2006-0929391.一种等离子体处理方法，其特征在于在可真空的、接地的处理容器内，隔开规定的间隔平行配置第一电极和第二电极，由第二电极支承被处理基板使其与所述第一电极相对，对所述处理容器内进行真空排气达到规定的压力，向所述第一电极、所述第二电极和所述处理容器的侧壁之间的处理空间提供所希望的处理气体，并且在所述第二电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本直树，舆水地盐，岩田学，田中谕志，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]