成膜装置、基板处理装置及成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法。在真空容器内供给至少两种反应气体而在基板上形成薄膜的成膜装置包括：旋转台；上述旋转台上的基板载置部；相互分离地设置，在上述旋转台上分别将第１、第２反应气体供给到第１、第２处理区域的第１、第２反应气体供给部件；位于上述第１、第２处理区域之间，具有供给第１分离气体的第１分离气体供给部件和顶面的分离区域；位于上述真空容器内部，形成有喷出第２分离气体的喷出孔的中心部区域；排气口；使上述旋转台以上述基板通过上述第１处理区域时的上述旋转台的角速度与上述基板通过上述第２处理区域时的旋转台的角速度为不同的角速度的方式旋转。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
作为半导体制造工艺中的成膜方法，公知有例如被称为ALD ( Atomic Layer Deposition )或MLD ( Molecular Layer Deposition)等的工艺。采用这些工艺，在真空气氛下使第l 反应气体吸附在作为基板的半导体晶圆(以下称为晶圓)等 的表面上之后，将供给的气体切换为第2反应气体，通过两种 气体的反应形成l层或多层原子层、分子层，通过多次进行该 循环层叠这些层，向基板上进行成膜。采用这些成膜工艺，根 据循环数能高精度地控制膜厚，并且，膜质的面内均勻性也良 好。因此，这些工艺是能应对半导体器件薄膜化的有效方法。作为适合这样的成膜方法的例子，例如可以举出栅极氧化 膜所使用的高电介质膜的成膜。举一个例子，在形成氧化硅膜 (Si02膜)的情况下，作为第l反应气体(原料气体)，例如可 以使用双叔丁基氨基硅烷(以下称为BTBAS)气体等，作 为第2反应气体(氧化气体)可以使用臭氧气体等。为了实施这样的成膜方法，研究了使用在真空容器的上部 中央具有气体簇射头(shower head)的单片式成膜装置而从 基板的中央部上方侧供给本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，在真空容器内将相互反应的至少两种反应气体按顺序供给到基板的表面上且执行该供给循环，从而层叠多层反应生成物的层而形成薄膜，该成膜装置包括：　旋转台，其设置在上述真空容器内；　基板载置部，其为了将基板载置在上述旋转台的基板载置 面上而设置；　第１反应气体供给部件及第２反应气体供给部件，沿上述旋转台的旋转方向相互分开地设置，在上述旋转台的基板载置面侧分别将第１反应气体、第２反应气体供给到第１处理区域和第２处理区域；　分离区域，其为了分离上述第１处理区域和第２处理 区域的气氛而在上述旋转方向上位于第１处理区域和第２处理区域之间，该分离区域包括顶面和用于将第１分离气体供给到该分...

【技术特征摘要】
JP 2008-9-4 2008-2270301.一种成膜装置，在真空容器内将相互反应的至少两种反应气体按顺序供给到基板的表面上且执行该供给循环，从而层叠多层反应生成物的层而形成薄膜，该成膜装置包括旋转台，其设置在上述真空容器内；基板载置部，其为了将基板载置在上述旋转台的基板载置面上而设置；第1反应气体供给部件及第2反应气体供给部件，沿上述旋转台的旋转方向相互分开地设置，在上述旋转台的基板载置面侧分别将第1反应气体、第2反应气体供给到第1处理区域和第2处理区域；分离区域，其为了分离上述第1处理区域和第2处理区域的气氛而在上述旋转方向上位于第1处理区域和第2处理区域之间，该分离区域包括顶面和用于将第1分离气体供给到该分离区域的第1分离气体供给部件，该顶面位于该第1分离气体供给部件的上述旋转台的旋转方向两侧，在顶面与旋转台之间形成有用于使分离气体从该分离区域流到处理区域侧的狭窄的空间；中心部区域，其为了分离上述第1处理区域和上述第2处理区域的气氛而位于真空容器内的中心部，且形成有用于将第2分离气体喷出到旋转台的基板载置面侧的喷出孔；排气口，其用于将扩散到上述分离区域的两侧的上述第1分离气体、从上述中心部区域喷出的上述第2分离气体、上述第1及第2反应气体一起排出；驱动部，以使上述基板通过上述第1处理区域时的上述旋转台的角速度与使上述基板通过上述第2处理区域时的旋转台的角速度为不同的角速度的方式使上述旋转台旋转。2. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，该成膜装置还具有自上述中心部区域供给上述第2分离气体的第2分离气体供给部件，上述分离区域的顶面与上述旋转台的基板载置面相对， 上述排气口设于比旋转台低的位置，经由该旋转台的周缘与上述真空容器的内壁面之间的间隙排出扩散到上述分离区域两侧的上述第l分离气体、从上述中心部区域喷出的上述第2分离气体以及上述第l、第2反应气体。3. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，上述基板载置部具有形成在上述旋转台的基板载置面上的 凹状部，被载置在上述凹状部中的上述基板的表面位于与上述旋转 台的基板载置面相同高度的位置或位于比上述旋转台的基板载 置面低的位置。4. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，真空容器的侧壁上设有利用闸阀进行开闭的输送口 。5. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，该成膜装置还具有用于对上述旋转台进行加热的加热部件。6. 根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于， 上述加热部件设于上述旋转台的下方。7. 根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于， 上述加热部件设于上述旋转台的上方。8. —种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置包括 真空输送室，其在内部配置有基板输送部件； 权利要求l所述的成膜装置，其气密地与上述真空输送室相连接；预备真空室，其气密地与上述真空输送室相连接，能在真 空气氛和大气气氛之间切换气氛。9. 一种成膜装置，在真空容器内将相互反应的至少两种反 应气体按顺序供给到基板的表面上且执行该供给循环，从而层 叠多层反应生成物的层而形成薄膜，该成膜装置包括旋转台，其设置在上述真空容器内；基板载置部，其为了将基板载置在上述旋转台的基板载置 面上而i殳置；第l反应气体供给部件及第2反应气体供给部件，沿上述旋 转台的旋转方向相互分开地设置，在上述旋转台的上述基板载 置面侧分别将第l反应气体及第2反应气体供给到第l处理区域 和第2处理区域；分离区域，其为了分离上迷第1处理区域和第2处理区域的 气氛而在上述旋转方向上位于第1处理区域和第2处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤寿，本间学，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]