本发明提供一种用于控制衬底上铜聚集和用于形成集成电路中凹入特征的无空隙块状金属铜填充的方法。在一个实施例中，该方法包括：提供具有图案的衬底，而该图案包括上表面和至少一个凹入特征，而该凹入特征至少包括侧壁表面和下表面；在该衬底图案上沉积屏...

本发明描述了固化衬底上的低介电常数（低ｋ）电介质膜的方法，其中低ｋ电介质膜的介电常数是小于约４的值。该方法包括将低ｋ电介质膜暴露于红外（ＩＲ）辐射和紫外（ＵＶ）辐射。

本发明提供一种半导体处理用的成膜装置及其使用方法。半导体处理用的成膜装置的使用方法，为了减少金属污染，包括：使用清洗气体对处理容器内的内壁和不保持产品用被处理体的保持部件的表面进行清洗处理的工序；接着，通过交替供给硅源气体和氮化气体而进...

本发明涉及一种在半导体装置的制造过程中使用的薄膜，该薄膜含有锗、硅、氮和氢。

等离子体处理装置的等离子体产生室被顶板（３）封堵。顶板（３）在朝向等离子体产生室侧的面上设置凹部（３Ａ），在相反侧的面上具有中心部的凹部（３Ｂ）。在顶板（３）上耦合有天线（４）。在天线上连接有导波管。当从导波管供应微波时，供应的微波在天...

提供含有在分支部分非垂直地延伸的同轴管的同轴管分配器。等离子体处理装置（１０），通过微波激发气体来对被处理体进行等离子体处理，其具备：处理容器（１００）；输出微波的微波源（９００）；传输从微波源（９００）输出的微波的传输线路（９００ａ）...

本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，能够增大主气体流路与多个支气体流路的气体流导之比。等离子体处理装置（１００），其激发气体来对被处理体进行等离子体处理，并具备：处理容器（１００）；供给预期的气体的气体供给源（９０５）；分...

一种进一步提高对基板处理的均匀性的等离子体处理装置。具备：容纳应进行等离子体处理的基板（Ｇ）的金属制的处理容器（４）；和向处理容器（４）内供给激发等离子体所需的电磁波的电磁波源（８５），在处理容器（４）的盖体（３）下表面设置有多个介电体...

本发明提供一种具有特性阻抗在输入侧与输出侧不同的同轴管构造的等离子体处理装置。利用电磁波激发气体来对基板进行等离子体处理的微波等离子体处理装置（１０），具备：处理容器（１００）；输出微波的微波源（９００）；第１同轴管（６１０），被用于传...

将硅化合物气体、氧化气体、以及稀有气体供应至等离子体处理设备（１）的腔（２）内。将微波供应至腔（２）内，并利用由微波产生的等离子体在目标衬底上形成氧化硅膜。稀有气体的分压比率是硅化合物气体、氧化气体和稀有气体的总气体压力的１０％或更小，...

微波导入机构（４３）具备：天线部（４５），其具有将微波向腔室（１）内放射的平面天线（５４）；同轴管（５０），其与平面天线（５４）连接，向平面天线（５４）引导微波；调谐器部（４４），其设置在同轴管（５０）上，进行阻抗匹配，平面天线（５４）...

本发明提供一种气化器及使用该气化器的成膜装置，该气化器能够防止液体原料的排出口因附着物而堵塞。气化器（３００）使从喷嘴（３２０）的排出口（３２２）排出的液体原料在被加热的气化室（３６０）内气化而生成原料气体，该气化器（３００）包括：在喷...

公开的是一种太阳能电池，其包含一种形成在基材上的太阳能电池半导体薄膜，一种透明导电膜形成在半导体薄膜上，和覆盖了透明导电膜的上表面的含氮水分扩散防止膜。水分扩散防止膜的最好至少由氮化硅膜或碳氮化硅（ＳｉＣＮ）膜组成。

提供了一种自主的基于生物学的学习工具系统和该工具系统用来进行学习和分析的方法。自主的基于生物学的学习工具系统包括（ａ）执行一组特定任务或过程并生成资产和与资产相关的表征各过程和相关联的工具性能的数据的一个或多个工具系统；（ｂ）接收并格式...

提供了一种自主的基于生物学的学习工具系统和该工具系统用来进行学习和分析的方法。自主的基于生物学的学习工具系统包括（ａ）执行一组特定任务或过程并生成资产和与资产相关的表征各过程和相关联的工具性能的数据的一个或多个工具系统；（ｂ）接收并格式...

本发明提供一种负载锁定装置和基板冷却方法，负载锁定装置（６、７）包括：使压力能够在与真空的搬送室（５）对应的压力与大气压之间变动地设置的容器（３１）；使容器（３１）内的压力调整为与搬送室（５）对应的真空和大气压的压力调整机构（４８）；冷...

在以往的群管理系统中，存在无法容易地知道处理参数的改变能够影响的一个以上的方案的问题。通过本发明的处理信息管理装置能够容易地知道处理参数的改变能够影响的一个以上的方案，所述处理信息管理装置包括：方案存储部，将作为与两个以上的控制装置所保...

【课题】置换非晶碳氢膜最外侧表面的官能基。【解决手段】在覆盖有Ｌｏｗ－ｋ膜（１０５）的硅衬底（Ｓｕｂ）上形成非晶碳氢膜（１１０）。接下来，对非晶碳氢膜（１１０）进行非硅烷气体气氛中的加热处理。接下来，对刚进行了该加热处理之后的非晶碳氢膜...

本发明是一种环境气氛净化装置，其特征在于，具备：在被处理体所处的环境气氛中形成下降流的机构；多个离子发生器，它们位于被处理体的上方位置，且在从上方所见的布局中隔着上述被处理体对称地配置，对各上述下降流向横向供给正或负的任一方的离子；向上...

本发明的退火装置具备：面向晶片Ｗ的面设置、具有向晶片Ｗ照射光的多个ＬＥＤ（３３）的加热源（１７ａ，１７ｂ）；透过来自发光元件（３３）的光的光透射部件（１８ａ，１８ｂ）；和与加热源（１７ａ，１７ｂ）直接接触设置的由Ａｌ构成的冷却部件（４ａ...