载置台构造以及热处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供载置台构造以及热处理装置，能防止在载置台的中心部产生冷却点，防止该载置台本身破损，并且能够提高对被处理体的热处理的面内均匀性。设置在热处理装置的处理容器（２２）内，用于载置作为应进行热处理的被处理体的半导体晶片（Ｗ）的载置台构造，具备：用于载置上述被处理体的载置台（５２）；和与上述载置台下表面的中心部连结并支承上述载置台的筒体状的支柱（５４）。在上述支柱内的上部设有接近上述载置台的下表面设置的热反射部（５６）。利用热反射部（５６）阻止在载置台（５４）的中心部产生冷却点。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对半导体晶片等被处理体实施规定的热处理的热处理装置以及载置 台构造。
技术介绍
一般在制造半导体集成电路时，对半导体晶片等被处理体反复进行成膜处理、蚀 刻处理、热处理、改性处理、结晶化处理等各种处理，以便形成所期望的集成电路。在进行如 上所述的各种处理时，与该处理的种类对应将必要的处理气体，例如成膜处理时的成膜气 体或者卤素气体、改性处理时的臭氧气体等、结晶化处理时的N2气等惰性气体或者O2气等 导入到各个处理容器内。例如以对每一枚半导体晶片实施热处理的单张式的热处理装置为例，在能够抽真 空的处理容器内，设置例如内装有电阻加热器的载置台，并在其上面载置半导体晶片，在用 规定的温度(例如从100°c到1000°C )加热的状态下使规定的处理气体流入，在规定的工 艺条件下对半导体晶片实施各种热处理(专利文献1 5)。因此要求处理容器内的部件具 有对于这些加热的耐热性以及即使暴露于处理气体中也不会被腐蚀的耐腐蚀性。然而，关于载置半导体晶片的载置台构造，一般在具有耐热性和耐腐蚀性的同时 必须防止金属沾污等金属污染。因此，例如在AlN等陶瓷材料中埋入作为发热体的电阻加 热器，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种载置台构造，其设置在热处理装置的处理容器内，用于载置应进行热处理的被处理体，其特征在于，具备：载置台，其载置上述被处理体；筒体状的支柱，其与上述载置台下表面的中心部连结并支承上述载置台；热反射部，其接近上述载置台的下表面地设置在上述支柱内的上部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2008-3-21 2008-072725一种载置台构造，其设置在热处理装置的处理容器内，用于载置应进行热处理的被处理体，其特征在于，具备载置台，其载置上述被处理体；筒体状的支柱，其与上述载置台下表面的中心部连结并支承上述载置台；热反射部，其接近上述载置台的下表面地设置在上述支柱内的上部。2.根据权利要求1所述的载置台构造，其特征在于， 上述热反射部由一枚或者横亘多层配置的多枚热反射板构成。3.根据权利要求2所述的载置台构造，其特征在于，各热反射板由隔热板和设置在该隔热板的上表面侧的热反射层构成。4.根据权利要求3所述的载置台构造，其特征在于， 上述热反射板包括金属板或者金属层。5.根据权利要求4所述的载置台构造，其特征在于，上述金属板，由从由铜、铝、铝合金、金、不锈钢构成的组中选择的一种材料构成。6.根据权利要求3所述的载置台构造，其特征在于， 上述隔热板由陶瓷材料构成。7.根据权利要求1所述的载置台构造，其特征在于， 上述热反射部，由从上述处理容器的底部竖立的支承棒支承。8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：鸟屋大辅，山本弘彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP