基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能提高生产率且即使发生了不良情况也能抑制装置整体的运转率下降的基板处理装置。在具有与搬运器（Ｃ）交接晶圆的搬入搬出臂（Ｂ）的基板搬入区的后段侧依次配置有第１处理区（３１）、第２处理区（３２）和第３处理区（３３）。在基板搬入区中设有用于自上述搬入搬出臂（Ｂ）将晶圆交接到第１处理区（３１）中的交接台（２１ａ、２１ｂ）、分别用于将晶圆交接到第２处理区和第３处理区中的交接台（２２、２３），利用第１直接输送机构（Ａ１）将交接台（２２）上的晶圆直接输送到第２处理区（３２）中，利用第２直接输送机构（Ａ２）将交接台（２３）上的晶圆直接输送到第３处理区（３３）中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具备处理区和自输送容器取出基板的区的基板处理装置，该处理 区包括多个用于对基板进行单片式处理的处理单元。
技术介绍
在半导体器件等的制造工序中进行液处理，该液处理通过将药液、纯水等处 理液供给到半导体晶圆(以下称作晶圆)等基板的表面上而将附着在基板上的微粒 (particle)、污染物质除去。作为进行上述液处理的液处理装置的一种，有下述液处理装置在旋转吸盘上一 张一张地载置基板，然后一边使基板旋转一边将处理液供给到该基板的表面上而执行液处 理。这种液处理装置中例如有如下这种液处理装置，即，使用共用的基板输送机构将基板输 送到多个能够执行同种液处理的液处理单元中，从而一边在多个液处理单元中同时执行液 处理一边连续地更换基板，提高了每单位时间内的基板的处理张数(生产率)(专利文献 1)。本专利技术的专利技术人研究了进一步提高具有上述构造的液处理装置的生产率的方法。 在使用具有上述构造的液处理装置的情况下，若增加液处理单元的搭载数量时，则能够增 加可同时处理的基板的张数，从而能够提高生产率。但是，若如上述那样在一台液处理装置 中增加液处理单元的数量，则在例如各液处理单元、基板输送机构、用于向液处理单元供给 处理液的供给系统等发生了不良情况时，不得不使整个液处理装置停止运转，由此加大所 产生的损失。这里，在专利文献2中公开了一种涂敷、显影装置，该装置用于在半导体晶圆上进 行涂敷液的涂敷处理、热处理和曝光后的显影处理等一连串的处理，其中，该装置彼此相连 接地设置有处理区，在该处理区中以相同结构配置有处理单元、基板输送部件，通过增加或 减少该处理区的数量，能够依据所要求的生产率设计、制造装置。但是，在该结构中，在自搬运器区Sl向第3处理区S4交接晶圆W时，先用第1处 理区S2的梭式臂(shuttle arm) Gl将晶圆W交接到第2处理区S3中，然后再用第2处理 区S3的梭式臂G2将晶圆W交接到第3处理区S4中。因此，在第2处理区S3的组件、输送 部件发生了不良情况时，无法将晶圆W交接到第3处理区S4中，所以即使应用专利文献2 所述的技术，有时仍不能使液处理装置高效运转。专利文献1 日本特开2008-34490号公报第20段、图1专利文献2 日本特开2008-258209号公报图1 图3、图
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而做成的，目的在于提供一种能够提高生产率、且即使发 生了不良情况也能抑制装置整体的运转率下降的基板处理装置。因此，本专利技术的基板处理装置的特征在于，包括基板搬入区，其包括容器载置部和交接机构，该容器载置部用于载置基板输送容 器，该基板输送容器收纳有基板，该交接机构用于将基板交接到被载置在该容器载置部上 的基板输送容器中；第1处理区、第2处理区和第3处理区，它们包括用于对基板进行处理的多个处理 单元和用于将基板交接到上述处理单元中的基板输送机构，且自上述基板搬入区侧依次配 置上述各处理区；第1交接台，其用于自上述交接机构将基板交接到上述第1处理区；第1直接输送机构，其用于将自上述交接机构接受的基板直接输送到上述第2处 理区中；第2直接输送机构，其用于将自上述交接机构接受的基板直接输送到上述第3处 理区中。上述基板处理装置也可以具有下述特征。(a)横向配置各个上述第1处理区、第2处理区和第3处理区。(b)上述第2处理区具有交接台，该交接台用于与上述第1直接输送机构交接基 板；上述第3处理区具有交接台，该交接台用于与上述第2直接输送机构交接基板。(c)第1处理区、第2处理区和第3处理区分别具有彼此层叠设置的上层处理区和 下层处理区，上述上层处理区和下层处理区分别包括用于对各基板进行处理的多个处理单 元以及用于将基板交接到上述处理单元中的基板输送机构，上述第2处理区和第3处理区 分别包括上层台、下层台和上下输送机构，上述上层台利用上述上层处理区的基板输送机 构交接基板，上述下层台利用上述下层处理区的基板输送机构交接基板，上述上下输送机 构将利用上述第1直接输送机构或上述第2直接输送机构输送来的基板交接到上述上层台 或下层台上。(d)第1处理区、第2处理区和第3处理区分别具有彼此层叠设置的上层处理区和 下层处理区，上述上层处理区和下层处理区分别包括用于对各基板进行处理的多个处理单 元以及用于将基板交接到上述处理单元中的基板输送机构，上述第2处理区和第3处理区 分别包括上层台、下层台、上下输送机构和交接台，上述上层台利用上述上层处理区的基板 输送机构交接基板，上述下层台利用上述下层处理区的基板输送机构交接基板，上述上下 输送机构将利用上述第1直接输送机构或上述第2直接输送机构输送来的基板交接到上述 上层台或下层台上，上述交接台用于在上述第1直接输送机构或上述第2直接输送机构与 上述上下输送机构之间交接由上述第1直接输送机构或上述第2直接输送机构输送来的基 板。(e)在上述基板搬入区与上述第1处理区之间设置有交接区，上述交接区包括上 述第1交接台、第2交接台和第3交接台，上述第2交接台用于在上述交接机构以及第1直 接输送机构之间交接基板，上述第3交接台在上述交接机构与第2直接输送机构之间交接基板。 (f)在上述各处理区间设置有间隔壁，在上述间隔壁上设置有开口，该开口能供上 述第1直接输送机构或上述第2直接输送机构将基板交接到各处理区中。(g)在上述第1处理区与上述第2处理区之间设置有间隔壁，在上述间隔壁上设置有开口，该开口能供上述第1直接输送机构将基板交接到上述第2处理区中、且能供上述第2直接输送机构通过。(h)在第1交接台与设置在上述第1处理区中的上述基板输送机构之间交接基板。(i)上述第1直接输送机构或上述第2直接输送机构能够同时输送多张基板。(j)上述第1直接输送机构和上述第2直接输送机构在各自的上方和下方设置有隔壁。采用本专利技术，能够与将基板自基板搬入区向其他处理区输送的操作分别独立地进 行将该基板自基板搬入区直接输送到第2处理区和第3处理区中的操作，从而能够将基板 快速地交接到上述处理组件中，因此能够提高生产率。另外，即使在一个处理区中发生了不 良，也能在其他处理区中继续进行处理，因此不会使装置整体停止运转，能够抑制装置的运 转率下降。附图说明图1是本专利技术的实施方式的液处理装置的概略纵剖侧视图。图2是本专利技术的实施方式的液处理装置的横剖俯视图。图3是上述液处理装置的纵剖侧视图。图4是表示上述液处理装置的内部结构的一部分的立体图。图5是表示上述液处理装置的内部结构的一部分的侧视图。图6是表示上述液处理装置的内部结构的一部分的立体图。图7是表示搭载在上述液处理装置中的液处理单元的结构的说明图。图8是本专利技术的另一实施方式的液处理装置的横剖俯视图。图9是上述另一实施方式的液处理装置的纵剖侧视图。图10是本专利技术的另一实施方式的液处理装置的横剖俯视图。图11是上述另一实施方式的液处理装置的纵剖侧视图。具体实施例方式下面，作为本专利技术的基板处理装置的实施方式，参照附图说明液处理装置10的结 构，该液处理装置10通过将处理液供给到作为基板的晶圆W上而将附着在基板上的微粒、 污染物质除去。首先，参照图1简单地说明本专利技术的大致情况，本专利技术的液处理装置10包 括搬运器载置区1，自外部将收纳有多张晶圆W的搬运本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，该装置包括：基板搬入区，其包括容器载置部和交接机构，该容器载置部用于载置基板输送容器，该基板输送容器收纳有基板，该交接机构用于将基板交接到被载置在该容器载置部上的基板输送容器中；第１处理区、第２处理区和第３处理区，它们包括用于对基板进行处理的多个处理单元和用于将基板交接到上述处理单元中的基板输送机构，自上述基板搬入区侧依次配置有上述第１处理区、第２处理区和第３处理区；第１交接台，其用于自上述交接机构将基板交接到上述第１处理区中；第１直接输送机构，其用于将自上述交接机构接受的基板直接输送到上述第２处理区中；第２直接输送机构，其用于将自上述交接机构接受的基板直接输送到上述第３处理区中。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：石田省贵，齐藤幸良，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]