使介电膜固化的方法技术

描述了一种用于使衬底上的低介电常数（ｌｏｗ－ｋ）介电膜固化的方法，其中，ｌｏｗ－ｋ介电膜的介电常数比约４的值更低。所述方法包括将ｌｏｗ－ｋ介电膜暴露于紫外线（ＵＶ）辐射。在ＵＶ暴露之后，将介电膜暴露于ＩＲ辐射。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于处理介电膜的方法，并更具体而言涉及使低介电常数(low-k)介 电膜固化以及对low-k介电膜进行热处理的方法。
技术介绍
如半导体领域的技术人员所公知的，互联延迟是对提高集成电路(IC)的速度及 性能的主要限制因素。减小互联延迟的一种方法是通过使用低介电常数(low-k)材料作为 IC器件中用于金属配线的绝缘电介质来减小互联电容。因此，近年来，已经研发出low-k材 料来取代相对高介电常数绝缘材料(例如二氧化硅)。具体而言，对半导体器件中金属配线 之间的层间及层内介电层使用low-k膜。此外，为了进一步减小绝缘材料的介电常数，使材 料膜形成孔，即成为多孔low-k介电膜。与涂布光阻材料类似，通过旋压(spin-on)电介质 (S0D)法来布置这种low-k膜，或通过化学汽相淀积(CVD)来布置这种low-k膜。因此，使 用low-k材料可方便地适用于现有的半导体制造处理。low-k材料比传统的二氧化硅强度低，并且在具有多孔性之后机械强度进一步劣 化。多孔low-k膜在等离子处理过程中极易损坏，由此使得希望进行机械强化处理。公认 提高多孔low-k电介质的材料强度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其用于使衬底上的低介电常数（ｌｏｗ－ｋ）介电膜固化，所述方法包括以下步骤：将具有低介电常数介电膜的衬底布置在固化系统中；在所述固化系统中使所述低介电常数介电膜暴露于紫外线（ＵＶ）辐射；并且在所述紫外线暴露之后，使所述低介电常数介电膜暴露于红外线（ＩＲ）辐射，其中所述低介电常数介电膜的介电常数比约为４的值更低。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊军，多雷尔I托玛，埃里克M李，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]