本发明涉及一种测量微细结构体的可动部的衰减特性值的微细结构体检测装置（１０），所述装置包括：不与所述微细结构体直接接触的压力波产生装置（１）以及脉冲产生装置（２）、不与所述可动部接触并且在可动部开始自由振动之后的预定时间的期间内测量可动...

本发明提供检查用保持部件及检查用保持部件的制造方法。该检查用保持部件，具有能够载置形成有元器件的芯片的、由硅或玻璃形成的基台。在基台的表面，形成有由抗蚀剂片组成的定位部件。在基台的背面形成有抗蚀剂膜，在抗蚀剂膜形成有吸引槽（交叉部，连结...

一种用于在处理系统中支撑衬底的衬底夹持器包括具有第一温度的温度受控支撑基座以及与温度受控支撑基座相对并且被配置来支撑衬底的衬底支撑。还包括耦合到衬底支撑的一个或多个加热元件，这一个或多个加热元件被配置来将衬底支撑加热到高于第一温度的第二...

本发明提供等离子体清洁方法和等离子体ＣＶＤ方法，该等离子体清洁方法包括：向在被处理基板表面沉积有氮化硅膜的等离子体ＣＶＤ装置的处理容器内导入含有ＮＦ↓［３］气体的清洁气体，除去处理容器内的沉积物的工序（Ｓ１）；之后，向处理容器内导入含有...

本发明涉及自旋电子晶体管。一种半导体器件包括：包括硅的衬底； 形成在衬底上的沟道区域；形成在衬底上、沟道区域的第一侧并且被配置 为将自旋极化电流扩散到沟道区域中的自旋注入器；形成在衬底上、沟道 区域的第二侧并且配置为接收来自沟道区域的所...

等离子体处理装置１１包括：天线部１３，其将微波作为等离子体源，并且生成等离子体以在腔室内形成等离子体的电子温度相对高的第一区域２５ａ和等离子体的电子温度比第一区域２５ａ低的第二区域２５ｂ；第一配置单元，其使半导体衬底Ｗ位于第一区域２５ａ...

本发明提供一种技术，该技术能够减少基板在检查模块上滞留的 时间，从而能够提高涂敷、显影装置的生产能力。在将在处理站接受 过处理的基板交接给载体站的检查站中，设置有检查所需的时间彼此 不同的多个检查模块；暂时滞留基板的缓冲单元；和其动作通...

描述了一种利用基于三氯化硼(BCl3)的处理化学组分刻蚀含铪层的 方法和系统。具有诸如二氧化铪(HfO2)层之类的含铪层的衬底受到包括 BCl3和添加气体的干法刻蚀处理，添加气体包括：含氧气体，例如O2；或 者含氮气体，例如N2；或者烃...

此处大致描述了使用等密度偏差控制制造处理的实施例。可以描述和主张其他实施例。

本发明提供蚀刻方法、蚀刻装置、计算机程序以及记录介质。该蚀刻方法是对形成在被处理体表面上的、介电常数小于ＳｉＯ↓［２］膜的介电常数的蚀刻对象膜实施蚀刻处理的蚀刻方法。该蚀刻方法包括将被处理体（Ｓ）载置在可真空排气的处理容器（１２）内的载...

本发明提供一种基板处理方法，包括：第一工序，将形成有金属层的被处理基板设定在第一温度，使含有有机化合物的处理气体附着在所述金属层上形成金属络合物；和第二工序，将所述被处理基板加热成比所述第一温度高的第二温度，使所述络合物升华。

描述了一种用于在衬底上形成气隙结构的方法和系统。该方法包括在衬底上形成牺牲层，其中该牺牲层包括在约３５０摄氏度以上的热分解温度下热分解的可分解材料。其后，在小于牺牲层的热分解温度的衬底温度下，在牺牲层上形成盖层。通过执行衬底的第一次紫外...

本发明提供一种能避免在有机ＥＬ元件等的制造工序中形成的各层的相互污染、且占地面积较小、生产率较高的成膜系统。一种在基板（Ｇ）上成膜的成膜装置（１３），在处理容器（３０）的内部具有用于形成第１层的第１成膜机构（３５）和用于形成第２层的第２...

本发明提供成膜装置、成膜系统和成膜方法。该成膜系统能够避免在有机ＥＬ元件等的制造工序中所形成的各层的相互污染、而且所占空间也小、且具有高生产率。成膜装置（１３）用于在基板上进行成膜，其中，在处理容器（３０）的内部包括用于成膜第１层的第１...

本发明提供一种气体供给装置以及基板处理装置，在称为气体喷淋头等的气体供给装置中，对于从基板的中心部向外周部的气流，通过比现有技术更加均衡地整理圆周方向之间的流速分布，来抑制例如十字状的颗粒密集区域的产生，而且能够提高处理条件的自由度。设...

检测对于使电磁波传播的波导管的长度方向的、构成波导管的管壁的至少一部分的导电性部件的温度分布，根据其温度分布，测量波导管内产生的驻波。对于波导管长度方向的导电性部件的温度分布能够由沿着波导管的长度方向排列了多个的温度传感器、沿着波导管的...

在上浮输送方式中有效地降低或抑制在形成于被处理基板上的处理液的涂敷膜上产生条纹状的涂敷不均。在涂敷区域中，沿Ｘ方向延伸的多条喷出线（Ｃ↓［１］、Ｃ↓［３］、Ｃ↓［５］、…）和沿Ｘ方向延伸的多条吸引线（Ｃ↓［２］、Ｃ↓［４］、Ｃ↓［６］、...

在本发明中，在衬底的正表面上方的要被加工的膜上执行第一次图形化，并且测量由第一次图形化所形成的图形的实际尺寸。基于第一次图形化的尺寸测量结果，然后设置第二次图形化的条件。在该情形中，设置第二次图形化的条件使得在第一次图形化的尺寸与其目标...

本发明涉及一种ＣＶＤ成膜方法和ＣＶＤ成膜装置。在腔室（２１）内的基座（２２）上配置晶片（Ｗ），向腔室（１２１）内连续供给来自气体供给机构（５０）的金属化合物气体供给部（５１）的金属化合物气体和来自气体供给机构（５０）的还原性有机化合物气...

本发明提供一种热处理方法，其包括：将形成有ｌｏｗ－ｋ膜和配线膜的晶片（Ｗ）收容在热处理炉（４１）内的工序；利用质量流量控制器（４４ｄ）对气相醋酸酐进行流量调节并向热处理炉（４１）内供给的工序；和利用设置在热处理炉（４１）中的加热器（４１...