【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术对于2006年8月25日申请的特愿2006-228989要求 优先权，并参照该特愿2006-228989的全部内容作成本专利技术。本专利技术涉及蚀刻方法及蚀刻装置，特别是在半导体晶圆等 被处理体表面上形成通孔、导通孔等孔部(hole)、槽部(沟) 的蚀刻方法及蚀刻装置。另外，本专利技术还涉及用于使蚀刻装置 执行蚀刻方法的计算机程序以及贮存计算机程序的记录介质。
技术介绍
通常，为了制造半导体器件，在半导体晶圆上反复进行成 膜处理、图案蚀刻等各种处理来制造期望的器件，但是随着使 半导体器件更进一步高集成化以及高微细化的要求，进一步要 求线宽以及孔(孔部)径更加^f敛细化。另外，与此同时，各种层压膜也更趋向薄膜化，例如层间 绝缘膜也不例外，新提出一种材料膜，即使比以往的半导体器 件中所采用的厚度要薄，却具有同等的绝缘特性、即具有所谓 的Low-k (低介电常数)特性，例如多孔系的SiOC膜、SiOCH 膜、或CF膜(也叫做氟添加碳膜、非结晶碳膜等)。以往，作 为层间绝缘膜而通常采用的Si02膜的介电常数(电容率)为3.8 左右，与此相对，上述SiOC膜、S...
【技术保护点】
一种蚀刻方法，该蚀刻方法是对形成在被处理体表面上的、介电常数小于ＳｉＯ↓［２］膜的介电常数的蚀刻对象膜实施蚀刻处理的蚀刻方法，其特征在于，该蚀刻方法包括： 将被处理体载置在可真空排气的处理容器内的载置台上的工序； 向上述处理容器 内供给规定的蚀刻气体并将该蚀刻气体等离子化的工序； 在存在有等离子化了的蚀刻气体的环境中将规定频率的高频电力作为偏压电力施加给上述载置台的工序， 施加上述高频电力作为偏压电力的工序包括：施加第１频率的高频电力作为上述偏压电力的第 １工序和施加与上述第１频率不同的第２频率的高频电力作为上述偏压电力的第２工序。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-8-25 228989/20061. 一种蚀刻方法，该蚀刻方法是对形成在被处理体表面上的、介电常数小于SiO2膜的介电常数的蚀刻对象膜实施蚀刻处理的蚀刻方法，其特征在于，该蚀刻方法包括将被处理体载置在可真空排气的处理容器内的载置台上的工序；向上述处理容器内供给规定的蚀刻气体并将该蚀刻气体等离子化的工序；在存在有等离子化了的蚀刻气体的环境中将规定频率的高频电力作为偏压电力施加给上述载置台的工序，施加上述高频电力作为偏压电力的工序包括施加第1频率的高频电力作为上述偏压电力的第1工序和施加与上述第1频率不同的第2频率的高频电力作为上述偏压电力的第2工序。2. 根据权利要求l所述的蚀刻方法，其特征在于，上述第l 频率以及上述第2频率的组合是由2MHz以下的频率与大于 2MHz的频率构成的组合。3. 根据权利要求l所述的蚀刻方法，其特征在于，上述第l 频率以及上述第2频率的组合是从由400kHz 、 2MHz以及 13.56MHz构成的组中选择出的2种组合，该组合中包含上述 400kHz。4. 根据权利要求l所述的蚀刻方法，其特征在于，在先进 行完上述第1工序和上述第2工序中的任一工序之后，再进行另 一工序。5. 根据权利要求l所述的蚀刻方法，其特征在于， 上述高频电力的功率为300W以下；上述第1频率以及上述第2频率的高频电力的Vpp (peak-to-peak)电压为560V以下。6. 根据权利要求l所述的蚀刻方法，其特征在于， 上述蚀刻气体由CF系气体构成，该蚀刻气体是由从CF4、 C2F6、 C3F8、 CHF3构成的组中选 择出的l种以上的气体构成。7. 根据权利要求l所述的蚀刻方法，其特征在于，形成在上述被处理体表面上的蚀刻对象膜由层间绝缘膜构成,在该层间绝缘膜上设有施加了用于在该层间绝缘膜上形成 槽部和孔部的图案的掩模。8. 根据权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于， 上述孔部的横截面为圆形，上述槽部的宽以及上述孔部的直径分别为65nm以下。9. 根据权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于， 在上述层间绝缘膜的下表面上设有阻蚀膜，设定条件有，使形成在层间绝缘膜上的槽部和孔部的各底 部实际上同时到达上述阻蚀膜。10. 根据权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于，上述层 间绝缘膜由从SiOC膜、SiOCH膜以及CF膜构成的组中选择出 的膜构成。11. 根据权利要求9所述的蚀刻方法，其特征在于， 上述层间绝缘膜由从SiOC膜、SiOCH膜以及CF膜构成的组中选择出的膜构成，上述阻蚀膜由SiC膜构成。12. 根据权利要求3所述的蚀刻方法，其特征在于，在施加 频率为400kHz的高频电力作为上述偏...
【专利技术属性】
技术研发人员：西塚哲也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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