本发明专利技术提供可获得磁性微粒的良好的晶体取向性和低粒径分散、具有良好的记录再现特性且可以实现高密度记录的磁记录介质以及磁记录再现装置。实施方式的磁记录介质在非磁性基板上具有；取向控制层，其包含具有fcc结构的Ni合金或者Ag合金；非磁性种子层，其包含Ag、Ge和选自包括Al、Mg、Au及Ti的组中的金属X；非磁性中间层，其包含Ru或者Ru合金；以及磁记录层。取向控制层与非磁性种子层接触。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式设及磁记录介质W及磁记录再现装置。
技术介绍
W计算机为中屯、而被使用的进行信息记录、再现的磁存储装置（皿D)，由于其大容 量、低价性、数据存取的速度、数据保持的可靠性等原因，在家用录像机、音频设备、车载导 航系统等各种领域使用。随着皿D的使用范围变广，其存储容量的高密度化的要求也增加， 近年皿D的高密度化开发越来越激烈。 作为当前市售的皿D的磁记录方式，所谓垂直磁记录方式成为近年主流。垂直磁 记录方式中，构成记录信息的磁记录层的磁性晶粒在相对于基板垂直的方向具有其易磁化 轴。因此，在高密度化时，记录位间的去磁的影响少，此外在高密度化中在静磁性方面也稳 定。垂直磁记录介质一般包括：基板、承担使在记录时从磁头产生的磁通集中的作用的软磁 性基底层；使垂直磁记录层的磁性晶粒（00. 1)面取向并且降低其取向分散的非磁性种子 层W及/或者非磁性基底层；包含硬质磁性材料的垂直磁记录层；和保护垂直磁记录层的 表面的保护层。 具有磁性晶粒被含有非磁性物质的晶界区域包围的、所谓粒状（granular)结构 的粒状型记录层，由于成为磁性晶粒彼此通过非磁性晶界区域二维地、物理性地孤立的结 构，所W在磁性微粒间起作用的磁性交换相互作用降低。因此，能够降低记录、再现特性中 的转变噪声，可W降低极限位大小。另一方面，由于在粒状型记录层中微粒间的交换相互作 用降低，所W呈现与微粒的组成、粒径的分散相伴的反向磁场的分散增大的趋势，呈现引起 记录、再现特性中的转变噪声和/或抖动（jitter)噪声的增大的趋势。 此外，由于记录位大小的下限值与粒状型记录层的磁性晶体粒径较强地相关，所 W为了皿D的高记录密度化需要进行粒状型记录层的粒径微细化。作为粒状型记录层的粒 径微细化法，有下述方法：使用具有微细的晶体粒径的基底层，使在其上层叠的粒状型记录 层粒径微细化。为了使基底层的粒径微细化，例如可W考虑改进非磁性种子层、使基底层粒 状化等方法。
技术实现思路
本专利技术的实施方式的目的在于提供：获得磁性微粒的良好的晶体取向性和低粒径 分散、具有良好的记录再现特性且可W实现高密度记录的磁记录介质W及使用该磁记录介 质的磁记录再现装置。 根据实施方式，提供一种磁记录介质，其具备：非磁性基板；取向控制层，其形成 于该非磁性基板上，包含具有面屯、立方晶格即fee的儀合金或银合金；非磁性种子层，其在 该取向控制层上接触而形成，包含银、错和选自包括侣、儀、金W及铁的组的金属X;非磁性 中间层，其形成于该非磁性种子层上，包含钉或钉合金；W及磁记录层，其形成于该非磁性 中间层上。【附图说明】 图1是表示实施方式设及的磁记录介质的构成的剖面图。 图2是将实施方式设及的磁记录再现装置的一例部分分解了的立体图。 图3是表示比较的磁记录介质的构成的剖面图。 图4是表示比较的磁记录介质的构成的剖面图。 图5是表示比较的磁记录介质的构成的剖面图。 图6是表示比较的磁记录介质的构成的剖面图。 图7是表示实施方式设及的磁记录介质的其他构成的剖面图【具体实施方式】W下，关于实施方式参照附图进行说明。 实施方式设及的磁记录介质具有：非磁性基板；取向控制层，其形成于非磁性基 板上，包含具有fee结构的Ni合金或者Ag合金；非磁性种子层，其与取向控制层接触而形 成且包含AgGe-X(其中X选自包括41、1旨、411、1'1的组）；非磁性中间层，其形成于非磁性种 子层上；W及垂直磁记录层，其形成于非磁性中间层上。 阳017] 在图1，示出表示实施方式设及的垂直磁记录介质的构成的剖面图。 如图所示，该垂直磁记录介质100具有下述结构：在非磁性基板1上依次设置有紧 密附着层2、软磁性层3、具有fee结构的取向控制层4、非磁性种子层5、非磁性中间层6、垂 直磁记录层7W及保护层8。 根据实施方式，通过使用包含具有fee结构的Ni合金或Ag合金的取向控制层，能 够改善垂直磁记录层的晶体取向性。 此外，通过使用实施方式设及的非磁性种子层，能够使垂直磁记录层的间距分散 降低。通过使该取向控制层与非磁性种子层分别接触，能够同时实现垂直磁记录层的良好 的晶体取向性和低间距分散，能够降低介质噪声。 取向控制层具有fee结构，包含Ni合金或Ag合金。 阳02引作为添加到Ni合金中的金属，可举出W、化、Mo、C等。 阳02引作为添加到Ag合金中的金属，可举出Ni、Ge、化、Pt Nd等。 添加到Ni合金中的金属优选为5原子％至30原子％。若小于5原子％，则Ni开 始具有磁性，成为磁性噪声从而呈现记录再现特性变差的趋势，若超过30原子％，则Ni合 金或Ag合金不保持fee结构而成为非晶结构，呈现晶体取向性变差的趋势。 添加到Ag合金中的金属，优选为50原子％ ^下。若超过50原子％，则成为fee 结构W外的结构，呈现非晶化，从而呈现晶体取向性变差的趋势。 阳0%] 非磁性种子层优选包含AgGe-X狂=Al、Mg、Au、Ti)而形成，该AgGe-X包含间距 分散低的柱状的Ag-X狂=A1、Mg、Au、Ti)微粒和包围此微粒的Ge晶界。在AgGe-X中还 能够添加Si。通过使用该非磁性种子层，能够使垂直磁记录层的间距分散更加降低。 非磁性种子层优选包含：Ag;晶粒，其具有fee结构，W从包括Al、Mg、Au、Ti的组 选择的至少一种添加金属为主成分；和晶界层，其包围晶粒，包含具有非晶结构的Ge。另 夕F，在添加Si的情况下，晶界层包含Ge-Si而形成。 添加到非磁性种子层的金属狂=Al、Mg、Au、Ti)的含有量优选相对于Ag、Ge和 X的合计原子量为3原子％至20原子％。若小于3原子％，则呈现得不到添加的效果的趋 势，若超过20原子％，则添加金属过多，呈现破坏Ag微粒的晶体结构从而晶体取向性变差 的趋势。在AgGe-X中还添加Si的情况下，相对于非磁性种子中的银、错、金属X和娃的合 计原子量，娃的含有量优选为20原子％ ^下。若超过20原子％，则晶界物质过多，呈现非 磁性种子层非晶化的趋势。 非磁性种子层能够通过在惰性气体气氛下在0. 05至0. 3化的压力下进行瓣射而 形成。由此，可得到包含间距分散小的柱状的Ag-X狂=Al、Mg、Au、U)微粒和包围其的Ge 晶界的层。 非磁性种子层的错含有量优选为55原子％至70原子％。若小于55原子％，则由 于晶界物质少，所W微粒彼此相连，呈现粒径分散变差的趋势，若超过70原子％，则晶界物 质过多，呈现破坏Ag微粒的晶体结构从而晶体取向性变差的趋势。 作为实施方式中可W使用的基板，例如可举出玻璃基板、Al类合金基板、陶瓷基 板、碳基板、具有氧化表面的Si单晶基板等。作为玻璃基板，可举出非晶玻璃W及晶化玻 璃。作为非晶玻璃，可举出通用的钢巧玻璃、侣娃酸盐玻璃。作为晶化玻璃，可举出裡类晶 化玻璃。作为陶瓷基板，可举出W通用的氧化侣、氮化侣、氮化娃等为主成分的烧制体和/ 或它们的纤维强化物等。作为基板，也能够使用在上述的金属基板和/或非金属基板的表 面使用锻敷法和/或瓣射法形成有NiP层等薄膜的基板。作为向基板上形成薄膜的方法， 不仅是瓣射，用真空蒸锻和/或电锻等也能够得到同样的效果。 在非磁性基板与取向控制层之间，进而能够从非磁性本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁记录介质，其特征在于，具备：非磁性基板；取向控制层，其形成于该非磁性基板上，包含具有面心立方晶格结构的镍合金或银合金；非磁性种子层，其在该取向控制层上接触而形成，包含银、锗和选自包括铝、镁、金以及钛的组中的至少一种金属X；非磁性中间层，其形成于该非磁性种子层上，包含钌或钌合金；以及磁记录层，其形成于该非磁性中间层上。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎刚之，藤本明，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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