液晶介质制造技术

本发明专利技术涉及包含至少一种式I化合物的液晶介质,其中R1，R1*，Z1，L1和L2具有权利要求1中所示含义，并且本发明专利技术还涉及所述介质用于特别是基于VA，PSA‑，PS‑VA，PALC，FFS，PS‑FFS，PS‑IPS或IPS效应的有源矩阵显示器的用途。

【技术实现步骤摘要】
本申请是中国专利申请201210599372.1的分案申请。本专利技术涉及包含至少一种式I化合物的液晶介质,其中R1和R1*各自彼此独立地表示具有1－15个C原子的烷基或烷氧基，其中这些基团中一个或多个CH2基团也可以各自彼此独立地被-C≡C-，-CF2O-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-，-O-CO-以O原子彼此不直接键接的方式代替，并且其中一个或多个H原子也可以被卤素代替，Z1表示单键，-CH2CH2-，-CH＝CH-，-CH2O-，-OCH2-，-CF2O-，-OCF2-，-COO-，-OCO-，-C2F4-，-CF＝CF-，-CH＝CHCHO-，L1和L2各自彼此独立地表示F，Cl，CF3，OCF3或CHF2。特别地，这类介质可用于基于ECB效应的有源矩阵寻址的电光显示器和用于IPS(面内切换)显示器或FFS(边缘场切换)显示器。电控双折射，ECB效应或还有DAP(排列相畸变)效应的原理首次描述于1971年(M.F.Schieckel和K.Fahrenschon，\Deformationofnematicliquidcrystalswithverticalorientationinelectricalfields\,Appl.Phys.Lett.19(1971),3912)。这之后还有J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)以及G.Labrunie和J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)的论文。J.Robert和F.Clerc(SID80DigestTechn.Papers(1980),30)，J.Duchene(Displays7(1986),3)和H.Schad(SID82DigestTechn.Papers(1982),244)的论文表明，液晶相必须具有高数值的弹性常数比K3/K1，高数值的光学各向异性Δn和Δε≤-0.5的介电各向异性值，从而适用于基于ECB效应的高信息显示元件。基于ECB效应的电光显示元件具有垂面的边缘配向(VA技术＝垂直配向)。介电负性的液晶介质还可以用于利用所谓IPS或FFS效应的显示器中。利用ECB效应的显示器，作为所谓的VAN(垂直配向向列型)显示器，例如在MVA(多域垂直配向，例如:Yoshide,H.等，论文3.1:\MVALCDforNotebookorMobilePCs...\,SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers,XXXV,第I辑，第6-9页，和Liu,C.T.等，论文15.1:\A46-inchTFT-LCDHDTVTechnology...\,SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers,XXXV,第II辑，750-753页)，PVA(图案化垂直配向，例如：Kim,SangSoo,论文15.4:\SuperPVASetsNewState-of-the-ArtforLCD-TV\,SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers,XXXV,第II辑，第760-763页)，ASV(高级超视角，例如：Shigeta,Mitzuhiro和Fukuoka,Hirofumi,论文15.2:\DevelopmentofHighQualityLCDTV\,SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers,XXXV,第II辑，第754-757页)模式中，已经本身被确定为除了IPS(面内切换)显示器(例如：Yeo,S.D.,论文15.3:\AnLCDisplayfortheTVApplication\,SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers,XXXV,第II辑,第758和759页)和长久已知的TN(扭曲向列型)显示器之外，当前最重要的三种更新近类型的液晶显示器之一，特别是对于电视应用而言。例如在Souk,Jun,SIDSeminar2004,seminarM-6:\RecentAdvancesinLCDTechnology\,SeminarLectureNotes,M-6/1至M-6/26，和Miller,Ian,SIDSeminar2004,seminarM-7:\LCD-Television\,SeminarLectureNotes,M-7/1至M-7/32中将这些技术以通常形式进行了比较。尽管现代ECB显示器的响应时间已经通过超速驱动(overdrive)的寻址方法获得显著改善，例如：Kim,HyeonKyeong等，论文9.1:\A57-in.WideUXGATFT-LCDforHDTVApplication\,SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers,XXXV,第I辑，第106－109页，但是获得适合视频的响应时间，特别是在灰阶的切换中，仍然是一个没有令人满意地解决的问题。在电光显示元件中该效应的工业应用要求液晶相必须满足许多要求。此处特别重要的是对水分、空气和物理影响如热、红外、可见光和紫外辐射和直流与交变电场的化学耐受性。此外，工业上可用的液晶相要求在合适温度范围内具有液晶介晶相和低粘度。迄今公开的一系列具有液晶介晶相的化合物都不包括符合所有这些要求的单个化合物。因此，通常制备两种到二十五种、优选三种到十八种化合物的混合物，以获得能用作液晶相的物质。然而，因为迄今为止没有具有显著负介电各向异性和足够的长期稳定性的液晶材料可利用，所以以这种方式不可能容易地制备最佳的相。矩阵液晶显示器(MLC显示器)是已知的。可用于单个像素独立转换的非线性元件是例如有源元件(即晶体管)。于是，采用术语“有源矩阵”，其中能区分为两种类型：1.在作为基板的硅晶片上的MOS(金属氧化物半导体)晶体管2.在作为基板的玻璃板上的薄膜晶体管(TFT)。就类型1的情况而言，所用的电光效应通常是动态散射或宾-主效应。将单晶硅作为衬底材料使用限制了显示器尺寸，因为甚至各种不同分显示器的模块化组装也会在接头处导致问题。就优选的更有前景的类型2的情况来说，所用的电光效应通常是TN效应。在两种技术之间有区别：包含化合物半导体例如CdSe的TFT，或基于多晶硅或非晶硅的TFT。对于后一种技术，全世界范围内正在进行深入的工作。将TFT矩阵施加于显示器的一个玻璃板的内侧，而另一玻璃板在其内侧带有透明反电极。与像素电极的尺寸相比，TFT非常小且对图像几乎没有不利作用。该技术还可以推广用于全色功能的显示器，其中将红、绿和蓝滤光片的镶嵌块以使得滤光元件与每个可切换的像素相对置的方式排列。术语MLC显示器在此包括具有集成非线性元件的任何矩阵显示器，即除了有源矩阵外，还有具有无源元件的显示器，如可变电阻或二极管(MIM＝金属-绝缘体-金属)。这类MLC显示器特别适用于TV应用(例如袖珍电视)或用于汽车或航空器构造中的高信息显示器。除了关于对比本文档来自技高网...

【技术保护点】
液晶介质，其特征在于包含‑至少一种式I化合物，其中，R1和R1*各自彼此独立地表示具有1－15个C原子的烷基或烷氧基，其中这些基团中一个或多个CH2基团也可以各自彼此独立地被‑C≡C‑，‑CF2O‑，‑CH＝CH‑，‑O‑，‑CO‑O‑，‑O‑CO‑以O原子彼此不直接键接的方式代替，并且其中一个或多个H原子也可以被卤素代替，Z1表示单键，‑CH2CH2‑，‑CH＝CH‑，‑CH2O‑，‑OCH2‑，‑CF2O‑，‑OCF2‑，‑COO‑，‑OCO‑，‑C2F4‑，‑CF＝CF‑，‑CH＝CHCHO‑，L1和L2各自彼此独立地表示F，Cl，CF3或CHF2；和‑至少一种选自式IIA和IIB的化合物，其中，R2A和R2B各自彼此独立地表示H，具有至多15个C原子的烷基并且所述烷基是未取代的、被CN或CF3单取代的或者被卤素至少单取代的，其中在这些基团中一个或多个CH2基团也可以被‑O‑，‑S‑，‑C≡C‑，‑CF2O‑，‑OCF2‑，‑OC‑O‑或‑O‑CO‑以O原子彼此不直接键接的方式代替，L1‑4各自彼此独立地表示F或Cl，Z2和Z2'各自彼此独立地表示单键，‑CH2CH2‑，‑CH＝CH‑，‑CF2O‑，‑OCF2‑，‑CH2O‑，‑OCH2‑，‑COO‑，‑OCO‑，‑C2F4‑，‑CF＝CF‑，‑CH＝CHCH2O‑，p表示1或2，q表示0或1，并且v表示1－6，前提是在式IIA的化合物中Z2不表示单键和/或在式IIB的化合物中Z2'≠Z2。...

【技术特征摘要】
2011.12.20 DE 102011121665.41.液晶介质，其特征在于包含-至少一种式I化合物，其中，R1和R1*各自彼此独立地表示具有1－15个C原子的烷基或烷氧基，其中这些基团中一个或多个CH2基团也可以各自彼此独立地被-C≡C-，-CF2O-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-，-O-CO-以O原子彼此不直接键接的方式代替，并且其中一个或多个H原子也可以被卤素代替，Z1表示单键，-CH2CH2-，-CH＝CH-，-CH2O-，-OCH2-，-CF2O-，-OCF2-，-COO-，-OCO-，-C2F4-，-CF＝CF-，-CH＝CHCHO-，L1和L2各自彼此独立地表示F，Cl，CF3或CHF2；和-至少一种选自式IIA和IIB的化合物，其中，R2A和R2B各自彼此独立地表示H，具有至多15个C原子的烷基并且所述烷基是未取代的、被CN或CF3单取代的或者被卤素至少单取代的，其中在这些基团中一个或多个CH2基团也可以被-O-，-S-，-C≡C-，-CF2O-，-OCF2-，-OC-O-或-O-CO-以O原子彼此不直接键接的方式代替，L1-4各自彼此独立地表示F或Cl，Z2和Z2'各自彼此独立地表示单键，-CH2CH2-，-CH＝CH-，-CF2O-，-OCF2-，-CH2O-，-OCH2-，-COO-，-OCO-，-C2F4-，-CF＝CF-，-CH＝CHCH2...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·克拉森梅默，M·罗伊特，R·福特，D·保卢斯，M·布雷默，H·亨泽尔，H·赫施曼，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE