低功率损耗的升压型功率因子校正装置制造方法及图纸

一种低功率损耗的升压型功率因子校正装置，包含一晶体管开关、一二极管、一第一分压电阻、一第二分压电阻及一功率因子校正控制单元。该功率因子校正控制单元包含一脉波宽度调变信号产生器、一信号反向子单元及一开关子单元。该脉波宽度调变信号产生器传送脉波宽度调变信号至该信号反向子单元；依据脉波宽度调变信号，该信号反向子单元产生反向脉波宽度调变信号以控制该开关子单元的开关状态；当该晶体管开关不导通时，该开关子单元导通，使得该功率因子校正控制单元接收到从该第一分压电阻及该第二分压电阻之间所产生的电压回授信号。

Boost power factor correction device with low power loss

A low power loss boost power factor correction device includes a transistor switch, a diode, a first bleeder resistor, a second point voltage resistor, and a power factor correction control unit. The control unit includes a pulse width modulated signal generator, a signal element and a reverse open on the unit power factor correction. The pulse width modulation signal generator sends a pulse width modulated signal to the signal inverse sub unit; based on the pulse width modulation signal, the signal sub unit generates reverse reverse pulse width modulation signal to control the switching state of the opening on the unit; when the transistor switch is not conductive, the sub unit is turned on that makes the power factor correction control unit receives the voltage feedback signal generated from the first resistor between the resistor and the second.

【技术实现步骤摘要】
低功率损耗的升压型功率因子校正装置
本专利技术系有关于一种升压型功率因子校正装置，特别是一种低功率损耗的升压型功率因子校正装置。
技术介绍
一相关技术的升压型功率因子校正装置具有包含两电阻的分压电阻电路，分压电阻电路连接至输出端，将输出高电压进行分压以得到一电压回授信号，分压电阻电路将电压回授信号传送至功率因子校正控制器以调整脉波宽度调变信号以进行功率因子校正。上述的分压电阻电路结构虽然简单，但在空载时分压电阻电路仍会损耗功率(因为分压电阻电路连接至输出端，而输出端随时都有高电压)。换句话说，上述的分压电阻电路随时都在损耗功率以产生电压回授信号；但实际上，功率因子校正控制器却不是随时都需要电压回授信号。
技术实现思路
为改善上述习知技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种低功率损耗的升压型功率因子校正装置。为达成本专利技术的上述目的，本专利技术的低功率损耗的升压型功率因子校正装置包含：一晶体管开关；一二极管，该二极管的阳极电性连接至该晶体管开关；一第一分压电阻，该第一分压电阻的一端电性连接至该晶体管开关及该二极管的阳极；一第二分压电阻，该第二分压电阻的一端电性连接至该第一分压电阻的另一端；及一功率因子校正控制单元，该功率因子校正控制单元电性连接至该晶体管开关，以及该第一分压电阻及该第二分压电阻的间。其中该功率因子校正控制单元包含：一脉波宽度调变信号产生器，该脉波宽度调变信号产生器电性连接至该晶体管开关；一信号反向子单元，该信号反向子单元电性连接至该晶体管开关及该脉波宽度调变信号产生器的间；及一开关子单元，该开关子单元电性连接至该第一分压电阻及该第二分压电阻的间，以及该信号反向子单元。其中该脉波宽度调变信号产生器传送一脉波宽度调变信号至该晶体管开关以控制该晶体管开关的开关状态；该脉波宽度调变信号产生器传送该脉波宽度调变信号至该信号反向子单元；依据该脉波宽度调变信号，该信号反向子单元产生一反向脉波宽度调变信号以控制该开关子单元的开关状态；当该晶体管开关导通时，该开关子单元不导通，使该第一分压电阻无功率消耗；当该晶体管开关不导通时，该开关子单元导通，使得该功率因子校正控制单元接收到从该第一分压电阻及该第二分压电阻的间所产生的一电压回授信号。再者，如上所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置，其中该功率因子校正控制单元更包含：一取样保持电路，该取样保持电路电性连接至该开关子单元。再者，如上所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置，其中该功率因子校正控制单元更包含：一回授补偿器，该回授补偿器电性连接至该取样保持电路及该脉波宽度调变信号产生器。再者，如上所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置，更包含：一电感，该电感电性连接至该晶体管开关、该二极管的阳极及该第一分压电阻。再者，如上所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置，更包含：一输入端电容，该输入端电容电性连接至该电感；及一输出端电容，该输出端电容电性连接至该二极管的阴极。为达成本专利技术的目的，本专利技术的低功率损耗的升压型功率因子校正装置的另一实施例包含：一晶体管开关；一二极管，该二极管的阳极电性连接至该晶体管开关；一第一分压电阻，该第一分压电阻的一端电性连接至该二极管的阴极；及一功率因子校正控制单元，该功率因子校正控制单元电性连接至该晶体管开关及该第一分压电阻的另一端。其中该功率因子校正控制单元包含：一脉波宽度调变信号产生器，该脉波宽度调变信号产生器电性连接至该晶体管开关；一开关子单元，该开关子单元电性连接至该第一分压电阻的另一端；一取样频率产生器，该取样频率产生器电性连接至该开关子单元；及一第二分压电阻，该第二分压电阻的一端电性连接至该开关子单元。其中该取样频率产生器控制该开关子单元的开关状态；当该开关子单元导通时，该功率因子校正控制单元接收到从该第一分压电阻及该第二分压电阻的间所产生的一电压回授信号。再者，如上所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置，其中该功率因子校正控制单元更包含：一取样保持电路，该取样保持电路电性连接至该开关子单元及该第二分压电阻的该端。再者，如上所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置，其中该功率因子校正控制单元更包含：一回授补偿器，该回授补偿器电性连接至该取样保持电路及该脉波宽度调变信号产生器。再者，如上所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置，更包含：一电感，该电感电性连接至该晶体管开关及该二极管的阳极。再者，如上所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置，更包含：一输入端电容，该输入端电容电性连接至该电感；及一输出端电容，该输出端电容电性连接至该二极管的阴极及该第一分压电阻的一端。本专利技术的功效在于降低用以产生电压回授信号以传送至功率因子校正控制器的分压电阻的功率损耗。为让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例并配合所附图式做详细说明如下。附图说明图1为本专利技术的低功率损耗的升压型功率因子校正装置的第一实施例方块图。图2为本专利技术的低功率损耗的升压型功率因子校正装置的第二实施例方块图。具体实施方式请参考图1，其系为本专利技术的低功率损耗的升压型功率因子校正装置的第一实施例方块图。本专利技术的低功率损耗的升压型功率因子校正装置10系应用于一交流电压供应装置20、一桥式整流器30及一负载装置40。该低功率损耗的升压型功率因子校正装置10包含一晶体管开关Q1、一二极管D1、一第一分压电阻R1、一第二分压电阻R2、一功率因子校正控制单元102、一电感L1、一输入端电容C1及一输出端电容C2。该低功率损耗的升压型功率因子校正装置10系输出例如400伏特电压至该负载装置40。该二极管D1的阳极电性连接至该晶体管开关Q1；该第一分压电阻R1的一端电性连接至该晶体管开关Q1及该二极管D1的阳极；该第二分压电阻R2的一端电性连接至该第一分压电阻R1的另一端；该功率因子校正控制单元102电性连接至该晶体管开关Q1，以及该第一分压电阻R1及该第二分压电阻R2之间；该电感L1电性连接至该晶体管开关Q1、该二极管D1的阳极及该第一分压电阻R1；该输入端电容C1电性连接至该电感L1；该输出端电容C2电性连接至该二极管D1的阴极。其中，该第一分压电阻R1的一端系连接至该晶体管开关Q1的汲极(drain)及该二极管D1的阳极。该功率因子校正控制单元102包含一脉波宽度调变信号产生器10202、一信号反向子单元10204、一开关子单元10206、一取样保持电路10208及一回授补偿器10210。该脉波宽度调变信号产生器10202电性连接至该晶体管开关Q1；该信号反向子单元10204电性连接至该晶体管开关Q1及该脉波宽度调变信号产生器10202之间；该开关子单元10206电性连接至该第一分压电阻R1及该第二分压电阻R2之间，以及该信号反向子单元10204；该取样保持电路10208电性连接至该开关子单元10206；该回授补偿器10210电性连接至该取样保持电路10208及该脉波宽度调变信号产生器10202。该脉波宽度调变信号产生器10202传送一脉波宽度调变信号10212至该晶体管开关Q1以控制该晶体管开关Q1的开关状态；该脉波宽度调变信号产生器10202传送该脉波宽度调变信号10212至该信号反向子单元10204；依据该脉波宽度调变信号102本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功率损耗的升压型功率因子校正装置，其特征在于包括：一晶体管开关；一二极管，该二极管的阳极电性连接至该晶体管开关；一第一分压电阻，该第一分压电阻的一端电性连接至该晶体管开关及该二极管的阳极；一第二分压电阻，该第二分压电阻的一端电性连接至该第一分压电阻的另一端；及一功率因子校正控制单元，该功率因子校正控制单元电性连接至该晶体管开关，以及该第一分压电阻及该第二分压电阻之间，其中该功率因子校正控制单元包含：一脉波宽度调变信号产生器，该脉波宽度调变信号产生器电性连接至该晶体管开关；一信号反向子单元，该信号反向子单元电性连接至该晶体管开关及该脉波宽度调变信号产生器之间；及一开关子单元，该开关子单元电性连接至该第一分压电阻及该第二分压电阻之间，以及该信号反向子单元，其中该脉波宽度调变信号产生器传送一脉波宽度调变信号至该晶体管开关以控制该晶体管开关的开关状态；该脉波宽度调变信号产生器传送该脉波宽度调变信号至该信号反向子单元；依据该脉波宽度调变信号，该信号反向子单元产生一反向脉波宽度调变信号以控制该开关子单元的开关状态；当该晶体管开关导通时，该开关子单元不导通，使该第一分压电阻无功率消耗；当该晶体管开关不导通时，该开关子单元导通，使得该功率因子校正控制单元接收到从该第一分压电阻及该第二分压电阻之间所产生的一电压回授信号。...

【技术特征摘要】
1.一种低功率损耗的升压型功率因子校正装置，其特征在于包括：一晶体管开关；一二极管，该二极管的阳极电性连接至该晶体管开关；一第一分压电阻，该第一分压电阻的一端电性连接至该晶体管开关及该二极管的阳极；一第二分压电阻，该第二分压电阻的一端电性连接至该第一分压电阻的另一端；及一功率因子校正控制单元，该功率因子校正控制单元电性连接至该晶体管开关，以及该第一分压电阻及该第二分压电阻之间，其中该功率因子校正控制单元包含：一脉波宽度调变信号产生器，该脉波宽度调变信号产生器电性连接至该晶体管开关；一信号反向子单元，该信号反向子单元电性连接至该晶体管开关及该脉波宽度调变信号产生器之间；及一开关子单元，该开关子单元电性连接至该第一分压电阻及该第二分压电阻之间，以及该信号反向子单元，其中该脉波宽度调变信号产生器传送一脉波宽度调变信号至该晶体管开关以控制该晶体管开关的开关状态；该脉波宽度调变信号产生器传送该脉波宽度调变信号至该信号反向子单元；依据该脉波宽度调变信号，该信号反向子单元产生一反向脉波宽度调变信号以控制该开关子单元的开关状态；当该晶体管开关导通时，该开关子单元不导通，使该第一分压电阻无功率消耗；当该晶体管开关不导通时，该开关子单元导通，使得该功率因子校正控制单元接收到从该第一分压电阻及该第二分压电阻之间所产生的一电压回授信号。2.如权利要求1所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置，其特征在于该功率因子校正控制单元更包含：一取样保持电路，该取样保持电路电性连接至该开关子单元。3.如权利要求2所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置，其特征在于该功率因子校正控制单元更包含：一回授补偿器，该回授补偿器电性连接至该取样保持电路及该脉波宽度调变信号产生器。4.如权利要求3所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置，其特征在于更包含：一电感，该电感电性连接至该晶体管开关、该二极管的阳极及该...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚宇桐，杨志隆，洪宗良，
申请(专利权)人：亚荣源科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44