一种电磁辐射抑制电路制造技术

技术编号:21718589 阅读:61 留言:0更新日期:2019-07-27 21:17
本发明专利技术公开了一种电磁辐射抑制电路,它涉及抑制电路技术领域;应用于具有一主功率开关的一电源转换器;电磁辐射抑制电路包含一控制单元、一驱动选择单元以及一开关单元;驱动选择单元耦接于控制单元与主功率开关之间,且提供至少两驱动端;其中一第一驱动端耦接控制单元,一第二驱动端耦接主功率开关;开关单元耦接于至少两驱动端的任一者与一接地点之间,且接收一回授控制信号;当回授控制信号致能开关单元时,接地点耦接与开关单元耦接的驱动端;借此达到电磁辐射抑制以及兼顾该电源转换器的操作效率。

An Electromagnetic Radiation Suppression Circuit

【技术实现步骤摘要】
一种电磁辐射抑制电路
:本专利技术涉及一种电磁辐射抑制电路,属于抑制电路

技术介绍
:随着电源转换器小型化的需求日益提高,因此电源转换器的开关频率不断地提高以实现应用需求,也提高整个电源供应器产业的发展。惟高频化所伴随而来最直接的影响就是电磁干扰(electromagneticinterference,EMI)问题的严重化。由于电磁干扰透过电磁传导和电磁辐射的方式对电子元件或电子设备造成损坏,因此对开发与设计开关电源的人员来说,EMI问题的防制使其有效地被抑制,是刻不容缓的重要课题。
技术实现思路
:针对上述问题,本专利技术要解决的技术问题是提供一种电磁辐射抑制电路,解决电源转换器高频化所伴随的电磁干扰影响的问题。本专利技术的一种电磁辐射抑制电路,其应用于具有一主功率开关的一电源转换器;该电磁辐射抑制电路包括一控制单元、一驱动选择单元以及一开关单元;驱动选择单元耦接于该控制单元与主功率开关之间,且提供至少两驱动端;其中第一驱动端耦接该控制单元,第二驱动端耦接主功率开关;开关单元耦接于至少两驱动端的任一者与一接地点之间,且接收一回授控制信号;当回授控制信号致能开关单元时,接地点耦接与开关单元耦接的驱动端。作为优选,所述电磁辐射抑制电路还包括一取样单元;取样单元取样电源转换器的一输出电流值,且比较该输出电流值与一电流临界范围值;当输出电流值介于该电流临界范围值时,取样单元传送该回授控制信号至开关单元,以致能开关单元。作为优选,所述电流临界范围值大于电源转换器的一满载电流值,且小于电源转换器的一过载保护电流值。作为优选,所述驱动选择单元包括一第一二极管、一第一电阻以及一第二电阻;第一电阻并联耦接该第一二极管,以提供一第一端与一共接端,且第一端为第一驱动端;第二电阻提供一第二端与该共接端,且第二端为该第二驱动端。作为优选,所述开关单元包含一接收开关、一分压电阻组、一电压控制部以及一输出部;接收开关接收一电源电压;分压电阻组耦接于接收开关与接地点之间,且分压电源电压,以提供一分压电压;电压控制部接收分压电压;输出部耦接电压控制部;当电压控制部导通时,接地点透过输出部耦接与开关单元耦接的该驱动端。作为优选,所述电压控制部为一稳压电晶体;稳压晶体管包括一控制端、一第一连接端以及一第二连接端;控制端耦接分压电压的高电压侧,第一连接端耦接接地点,以及第二连接端耦接输出部;当回授控制信号致能开关单元时,分压电压导通该稳压晶体管,使接地点透过输出部耦接与开关单元耦接的驱动端。作为优选,所述电压控制部包括一辅助功率开关与一稳压元件组;稳压元件组耦接辅助功率开关,且接收分压电压;当回授控制信号致能开关单元时,分压电压透过稳压元件组导通辅助功率开关,使接地点透过输出部耦接与开关单元耦接的驱动端。作为优选,所述稳压元件组包括一第一电容、一第二二极体、一第三电阻以及一第四电阻;第一电容耦接于辅助功率开关与接地点之间;第三电阻并联耦接第二二极体,且耦接第一电容与辅助功率开关;第四电阻耦接于第三电阻与分压电阻组之间。作为优选,所述取样单元包括一比较器与一传送开关;比较器接收输出电流值经转换的一感测电压值与一参考电压值,且比较感测电压值与参考电压值;传送开关耦接比较器;当感测电压值大于参考电压值时,传送开关导通,且传送该回授控制信号至该开关单元,以导通开关单元。作为优选,所述参考电压值对应该满载电流值。与现有技术相比,本专利技术的有益效果为:能够达到电磁辐射抑制以及兼顾该电源转换器的操作效率。附图说明:为了易于说明,本专利技术由下述的具体实施及附图作以详细描述。图1为本专利技术的电路方框图;图2为本专利技术中开关单元第一实施例的电路图;图3为本专利技术中开关单元第二实施例的电路图;图4为本专利技术中取样单元的电路图;图5为本专利技术电源供应器之电磁辐射抑制电路的完整电路图;图6为本专利技术中主功率开关之驱动电压的波形图。图中:10-电磁辐射抑制电路;20-电源转换器;11-控制单元;12-驱动选择单元;13-开关单元;14-取样单元;Tr-变压器;Ck-主电容;Vin-输入电压;Vout-输出电压;Q1-主功率开关;Pc1-第一驱动端;Pc2-第二驱动端;Pc3-第三驱动端;Gnd-接地点;Sfc-回授控制信号;Rd1-第一电阻;Dd1-第一二极管;Rd2-第二电阻;Vcc-电源电压;31-接收开关;132-分压电阻组;133-电压控制部;134-输出部;133’-稳压元件组;141-比较器;142-传送开关;Zd-稳压晶体管;Iout-输出电流值;Ith-电流临界范围值;Ifull-满载电流值;IOLP-过载保护电流值;Vsen-感测电压值;Vref-参考电压值;Vx-分压电压;Qx-辅助功率开关;Cx1-第一电容;Dx2-第二二极体;Rx1-第一分压电阻;Rx2-第二分压电阻;Rx3-第三电阻;Rx4-第四电阻;Rxo-输出电阻;Cxo-输出电容;Rsen-感测电阻;Dsa-二极管;Rsa4-限流电阻;C1-第一电压曲线;C2-第二电压曲线;C3-第三电压曲线。具体实施方式:为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了,下面通过附图中示出的具体实施例来描述本专利技术。但是应该理解,这些描述只是示例性的,而并非要限制本专利技术的范围。此外,在以下说明中,省略了对公知结构和技术的描述,以避免不必要地混淆本专利技术的概念。如图1所示,本具体实施方式采用以下技术方案:该电磁辐射抑制电路10应用于一电源转换器20,其中该电源转换器20可为一返驰式转换器(flybackconverter),然不以此为限制。该电源转换器20具有一变压器Tr,其具有一初级侧(primaryside)与一次级侧(secondaryside),且该初级侧接收一输入电压Vin。然在图1所示的该输入电压Vin为简化前端交流转换直流电路的示意,即经转换后提供于主电容Ck上的直流电压。该变压器Tr的该初级侧耦接一主功率开关Q1,透过一控制单元11控制该主功率开关Q1的切换,进而控制该变压器Tr的该初级侧与该次级侧之间的电能转换。该电磁辐射抑制电路10包括控制单元11、一驱动选择单元12以及一开关单元13。在一实施例中,该控制单元11可为一脉冲宽度调变集成电路(PWMIC),然不以此为限制。该控制单元11可由一脚位(如图1所示的GATE脚位)输出一控制信号,经由该驱动选择单元12,以控制该主功率开关Q1的切换。该驱动选择单元12耦接于该控制单元11与该电源转换器20的该主功率开关Q1之间,且提供至少两驱动端。其中一者为一第一驱动端Pc1耦接该控制单元11,即耦接该控制单元11的GATE脚位。另一者为一第二驱动端Pc2耦接该主功率开关Q1,即耦接该主功率开关Q1的控制端。以该主功率开关Q1为一金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)为例,该第二驱动端Pc2耦接该主功率开关Q1的闸极(gate)。换言之,该第一驱动端Pc1相较于该第二驱动端Pc2更为邻接该控制单元11,反之,该第二驱动端Pc2相较于该第一驱动端Pc1更为邻接该主功率开关Q1。再者,如图1的实施例所示,驱动端的数量为三个,除了前述的该第一驱动端Pc1与该第二驱动端Pc2之外,更包含一第三驱动端Pc3,容后说明。该开关单元13耦接于该至少两驱动端Pc1,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁辐射抑制电路,其应用于具有一主功率开关的一电源转换器;其特征在于:该电磁辐射抑制电路包括一控制单元、一驱动选择单元以及一开关单元;驱动选择单元耦接于该控制单元与主功率开关之间,且提供至少两驱动端;其中第一驱动端耦接该控制单元,第二驱动端耦接主功率开关;开关单元耦接于至少两驱动端的任一者与一接地点之间,且接收一回授控制信号;当回授控制信号致能开关单元时,接地点耦接与开关单元耦接的驱动端。

【技术特征摘要】
1.一种电磁辐射抑制电路,其应用于具有一主功率开关的一电源转换器;其特征在于:该电磁辐射抑制电路包括一控制单元、一驱动选择单元以及一开关单元;驱动选择单元耦接于该控制单元与主功率开关之间,且提供至少两驱动端;其中第一驱动端耦接该控制单元,第二驱动端耦接主功率开关;开关单元耦接于至少两驱动端的任一者与一接地点之间,且接收一回授控制信号;当回授控制信号致能开关单元时,接地点耦接与开关单元耦接的驱动端。2.根据权利要求1所述的一种电磁辐射抑制电路,其特征在于:所述电磁辐射抑制电路还包括一取样单元;取样单元取样电源转换器的一输出电流值,且比较该输出电流值与一电流临界范围值;当输出电流值介于该电流临界范围值时,取样单元传送该回授控制信号至开关单元,以致能开关单元。3.根据权利要求2所述的一种电磁辐射抑制电路,其特征在于:所述电流临界范围值大于电源转换器的一满载电流值,且小于电源转换器的一过载保护电流值。4.根据权利要求1所述的一种电磁辐射抑制电路,其特征在于:所述驱动选择单元包括一第一二极管、一第一电阻以及一第二电阻;第一电阻并联耦接该第一二极管,以提供一第一端与一共接端,且第一端为第一驱动端;第二电阻提供一第二端与该共接端,且第二端为该第二驱动端。5.根据权利要求1所述的一种电磁辐射抑制电路,其特征在于:所述开关单元包含一接收开关、一分压电阻组、一电压控制部以及一输出部;接收开关接收一电源电压;分压电阻组耦接于接收开关与接地点之间,且分压电源电压,以提供一分压电压;电压控制部接收分压电压;输出部耦接电压...

【专利技术属性】
技术研发人员:石开源丁海平
申请(专利权)人:亚荣源科技深圳有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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