抑制高压瞬态电流的位线电路制造技术

本发明专利技术公开了一种抑制高压瞬态电流的位线电路，该位线电路除原有的M1、M2、M3、M4、M5、M6和电荷泵外，还在M5和电荷泵之间增加了一个开关控制管，用于在高压启动初期关断从位线电路中间节点BL0至电荷泵负高压VNEG的大电流通路。本发明专利技术通过在原有电路基础上增加一个开关控制管，在高压启动初期关断大电流通路，使FLASH位线电路高压瞬态电流得到了有效抑制，从而使FLASH位线电路能成功应用于EF130新型shrink3平台上，避免了FLASH的Charge pump电位被钳位而至功能失效。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
抑制高压瞬态电流的位线电路，包括有M1、M2、M3、M4、M5、M6和电荷泵，其中，M1为普通nMOS管，M2为普通pMOS管，M1与M2组成一逻辑电路；M3、M4、M5、M6组成NVMflash标准操作单元；其特征在于，还包括有一个开关控制管，连接在M5和电荷泵之间，用于在高压启动初期关断从位线电路中间节点BL0至电荷泵负高压VNEG的大电流通路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘芳芳，沈文超，姚翔，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31