一种40W荧光灯驱动装置制造方法及图纸

一种40W荧光灯驱动装置，采用桥式整流技术、滤波技术、自振半桥驱动技术、半桥电路技术进行设计，由桥式整流电路（1）、滤波电路（2）、自振半桥驱动芯片（3）、降压电路（4）、RC网络（5）、半桥电路（6）、40W荧光灯电路（7）共同组成，实现40W荧光灯的驱动功能；装置具有实用性强等显著特点。

Driving device for 40W fluorescent lamp

A 40W fluorescent lamp driving device, using bridge rectifier technology, filtering technology, vibration driver technology, half bridge circuit design, composed of a bridge rectifier circuit, filter circuit (1) (2), self oscillating half bridge driver chip (3), (4), RC step-down circuit network (5), half bridge the circuit (6), 40W (7) fluorescent lamp circuit composed of driving function to achieve 40W fluorescent lamp; device has strong practicability etc..

【技术实现步骤摘要】
一种40W荧光灯驱动装置
本技术涉及桥式整流技术、滤波技术、自振半桥驱动技术、半桥电路技术，尤其是一种40W荧光灯驱动装置。
技术介绍
荧光灯，是利用低气压的汞蒸气在通电后释放紫外线，从而使荧光粉发出可见光的原理发光，其具有寿命长、光效高、显色性好等优点，为保障荧光灯可靠发光，采用桥式整流技术、自振半桥驱动等技术设计出一种40W荧光灯驱动装置。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种40W荧光灯驱动装置，通过桥式整流电路、滤波电路，实现桥式整流和滤波功能；通过自振半桥驱动芯片、降压电路、RC网络、半桥电路、40W荧光灯电路，实现40W荧光灯的驱动功能。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：本技术采用桥式整流技术、滤波技术、自振半桥驱动技术、半桥电路技术进行设计，由桥式整流电路（1）、滤波电路（2）、自振半桥驱动芯片（3）、降压电路（4）、RC网络（5）、半桥电路（6）、40W荧光灯电路（7）共同组成，其特征在于:由四个IN4148整流二极管构成桥式整流电路（1），由47uF/250V铝电解电容构成滤波电路（2），由IR2153芯片构成自振半桥驱动芯片（3），由91K欧姆金属膜电阻、24uF/16V铝电解电容构成降压电路（4），由13K欧姆金属膜电阻、0.001uF/50V陶瓷电容构成RC网络（5），由两个IRF720场效应管构成半桥电路（6），由TDKBE-30-1.2mH电感、0.01uF/630V聚丙烯金属化薄膜电容构成40W荧光灯电路（7）；四个IN4148整流二极管两两串联再并联接成桥式整流，四个IN4148整流二极管两两串联的两个中间点接220VAC电源，四个IN4148整流二极管两两串联再并联的负极端口、正极端口分别接47uF/250V铝电解电容的正极端口、负极端口，实现桥式整流和滤波功能；91K欧姆金属膜电阻的第一端口、第二端口分别接47uF/250V铝电解电容的正极端口、24uF/16V铝电解电容的正极端口，24uF/16V铝电解电容的负极端口接47uF/250V铝电解电容的负极端口，IR2153芯片的VCC端口、VB端口接24uF/16V铝电解电容的正极端口，实现IR2153芯片供电，IR2153芯片的RT端口、CT端口分别接13K欧姆金属膜电阻的第一端口、0.001uF/50V陶瓷电容的第一端口，13K欧姆金属膜电阻的第二端口接IR2153芯片的CT端口，0.001uF/50V陶瓷电容的第二端口接47uF/250V铝电解电容的负极端口，IR2153芯片的HO端口、LO端口分别接第一个IRF720场效应管的G端口、第二个IRF720场效应管G端口，第一个IRF720场效应管的D端口、第二个IRF720场效应管S端口分别接47uF/250V铝电解电容的正极端口、负极端口，IR2153芯片的VS端口接第一个IRF720场效应管的S端口、第二个IRF720场效应管D端口，IR2153芯片的VS端口接40W荧光灯的F1端口，40W荧光灯的F2端口接0.01uF/630V聚丙烯金属化薄膜电容的第一端口，0.01uF/630V聚丙烯金属化薄膜电容的第二端口接40W荧光灯的F3端口，40W荧光灯的F4端口TDKBE-30-1.2mH电感的第一端口，TDKBE-30-1.2mH电感的第二端口接47uF/250V铝电解电容的负极端口，实现40W荧光灯的驱动功能。本技术的有益效果是:采用桥式整流技术、滤波技术、自振半桥驱动技术、半桥电路技术进行设计，实现40W荧光灯的驱动功能；装置具有实用性强等显著特点。附图说明下面结合附图对本技术作进一步的描述。图1所示是本技术的原理结构框图，图中：1.桥式整流电路，2.滤波电路，3.自振半桥驱动芯片，4.降压电路，5.RC网络，6.半桥电路，7.40W荧光灯电路。具体实施方式参见图1本技术由桥式整流电路（1）、滤波电路（2）、自振半桥驱动芯片（3）、降压电路（4）、RC网络（5）、半桥电路（6）、40W荧光灯电路（7）共同组成。由四个IN4148整流二极管构成桥式整流电路（1），由47uF/250V铝电解电容构成滤波电路（2），四个IN4148整流二极管两两串联再并联接成桥式整流，四个IN4148整流二极管两两串联的两个中间点接220VAC电源，四个IN4148整流二极管两两串联再并联的负极端口、正极端口分别接47uF/250V铝电解电容的正极端口、负极端口，实现桥式整流和滤波功能。由IR2153芯片构成自振半桥驱动芯片（3），由91K欧姆金属膜电阻、24uF/16V铝电解电容构成降压电路（4），由13K欧姆金属膜电阻、0.001uF/50V陶瓷电容构成RC网络（5），由两个IRF720场效应管构成半桥电路（6），由TDKBE-30-1.2mH电感、0.01uF/630V聚丙烯金属化薄膜电容构成40W荧光灯电路（7），91K欧姆金属膜电阻的第一端口、第二端口分别接47uF/250V铝电解电容的正极端口、24uF/16V铝电解电容的正极端口，24uF/16V铝电解电容的负极端口接47uF/250V铝电解电容的负极端口，IR2153芯片的VCC端口、VB端口接24uF/16V铝电解电容的正极端口，实现IR2153芯片供电，IR2153芯片的RT端口、CT端口分别接13K欧姆金属膜电阻的第一端口、0.001uF/50V陶瓷电容的第一端口，13K欧姆金属膜电阻的第二端口接IR2153芯片的CT端口，0.001uF/50V陶瓷电容的第二端口接47uF/250V铝电解电容的负极端口，IR2153芯片的HO端口、LO端口分别接第一个IRF720场效应管的G端口、第二个IRF720场效应管G端口，第一个IRF720场效应管的D端口、第二个IRF720场效应管S端口分别接47uF/250V铝电解电容的正极端口、负极端口，IR2153芯片的VS端口接第一个IRF720场效应管的S端口、第二个IRF720场效应管D端口，IR2153芯片的VS端口接40W荧光灯的F1端口，40W荧光灯的F2端口接0.01uF/630V聚丙烯金属化薄膜电容的第一端口，0.01uF/630V聚丙烯金属化薄膜电容的第二端口接40W荧光灯的F3端口，40W荧光灯的F4端口TDKBE-30-1.2mH电感的第一端口，TDKBE-30-1.2mH电感的第二端口接47uF/250V铝电解电容的负极端口，实现40W荧光灯的驱动功能。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种40W荧光灯驱动装置，由桥式整流电路（1）、滤波电路（2）、自振半桥驱动芯片（3）、降压电路（4）、RC网络（5）、半桥电路（6）、40W荧光灯电路（7）共同组成，其特征在于:a).由四个IN4148整流二极管构成桥式整流电路（1），由47uF/250V铝电解电容构成滤波电路（2），由IR2153芯片构成自振半桥驱动芯片（3），由91K欧姆金属膜电阻、24uF/16V铝电解电容构成降压电路（4），由13K欧姆金属膜电阻、0.001uF/50V陶瓷电容构成RC网络（5），由两个IRF720场效应管构成半桥电路（6），由TDKBE‑30‑1.2mH电感、0.01uF/630V聚丙烯金属化薄膜电容构成40W荧光灯电路（7）；b).四个IN4148整流二极管两两串联再并联接成桥式整流，四个IN4148整流二极管两两串联的两个中间点接220VAC电源，四个IN4148整流二极管两两串联再并联的负极端口、正极端口分别接47uF/250V铝电解电容的正极端口、负极端口，实现桥式整流和滤波功能；c). 91K欧姆金属膜电阻的第一端口、第二端口分别接47uF/250V铝电解电容的正极端口、24uF/16V铝电解电容的正极端口，24uF/16V铝电解电容的负极端口接47uF/250V铝电解电容的负极端口，IR2153芯片的VCC端口、VB端口接24uF/16V铝电解电容的正极端口，实现IR2153芯片供电，IR2153芯片的RT端口、CT端口分别接13K欧姆金属膜电阻的第一端口、0.001uF/50V陶瓷电容的第一端口，13K欧姆金属膜电阻的第二端口接IR2153芯片的CT端口，0.001uF/50V陶瓷电容的第二端口接47uF/250V铝电解电容的负极端口，IR2153芯片的HO端口、LO端口分别接第一个IRF720场效应管的G端口、第二个IRF720场效应管G端口，第一个IRF720场效应管的D端口、第二个IRF720场效应管S端口分别接47uF/250V铝电解电容的正极端口、负极端口，IR2153芯片的VS端口接第一个IRF720场效应管的S端口、第二个IRF720场效应管D端口，IR2153芯片的VS端口接40W荧光灯的F1端口，40W荧光灯的F2端口接0.01uF/630V聚丙烯金属化薄膜电容的第一端口，0.01uF/630V聚丙烯金属化薄膜电容的第二端口接40W荧光灯的F3端口，40W荧光灯的F4端口TDKBE‑30‑1.2mH电感的第一端口，TDKBE‑30‑1.2mH电感的第二端口接47uF/250V铝电解电容的负极端口，实现40W荧光灯的驱动功能。...

【技术特征摘要】
1.一种40W荧光灯驱动装置，由桥式整流电路（1）、滤波电路（2）、自振半桥驱动芯片（3）、降压电路（4）、RC网络（5）、半桥电路（6）、40W荧光灯电路（7）共同组成，其特征在于:a).由四个IN4148整流二极管构成桥式整流电路（1），由47uF/250V铝电解电容构成滤波电路（2），由IR2153芯片构成自振半桥驱动芯片（3），由91K欧姆金属膜电阻、24uF/16V铝电解电容构成降压电路（4），由13K欧姆金属膜电阻、0.001uF/50V陶瓷电容构成RC网络（5），由两个IRF720场效应管构成半桥电路（6），由TDKBE-30-1.2mH电感、0.01uF/630V聚丙烯金属化薄膜电容构成40W荧光灯电路（7）；b).四个IN4148整流二极管两两串联再并联接成桥式整流，四个IN4148整流二极管两两串联的两个中间点接220VAC电源，四个IN4148整流二极管两两串联再并联的负极端口、正极端口分别接47uF/250V铝电解电容的正极端口、负极端口，实现桥式整流和滤波功能；c).91K欧姆金属膜电阻的第一端口、第二端口分别接47uF/250V铝电解电容的正极端口、24uF/16V铝电解电容的正极端口，24uF/16V铝电解电容的负极端口接47uF/250V铝电解电...

【专利技术属性】
技术研发人员：周曼，邹志勇，倪福全，
申请(专利权)人：四川农业大学，
类型：新型
国别省市：四川,51