The utility model discloses a single-phase half bridge power module crimping device based on at least comprises crimping full controlled devices and crimping diode, radiator, crimp type full controlled devices, pressure pressing shaped radiator coaxial type diode series, with the success rate; the two ends of the power series respectively through up and down the insulator pressed by a pressing mechanism, the power series and insulators used in electrical isolation pressing mechanism, pressing mechanism for crimping and supporting power on; the pressure control device is ETO, or IGTO, or IGCT, or IEGT; wherein, the direct current bus, positive input the negative DC input busbar, busbar and radiator connected electrical connection, connect one end of the bus as the confluence of the AC output terminal; the utility model adopts crimping single string type, modular design is easy to be combined into more complex The power structure can be applied to a variety of power electronic devices.
【技术实现步骤摘要】
一种基于压接式器件的单相半桥功率模块
本技术涉及一种基于压接式器件的单相半桥功率模块,属于大功率变流器功率模块
技术介绍
中高压大功率变流器是利用电力电子器件的通断作用将工频交流电变换成为电压和频率可变的交流电,在电力、冶金、船舶、市政、石化、水泥、矿山等行业具有广泛的应用。目前,中高压大功率变流器通常使用压接式器件,比如:ETO(Emitterturn-offThyristor,发射极关断晶闸管),IGTO(IntegratedGateTurn-offThyristor,集成门极可关断晶闸管),IGCT(IntergratedGateCommutatedThyristor,集成门极换向晶闸管),IEGT(InjectionEnhancedGateTransistor,栅极注入增强型晶体管),压接式二极管等,压接式二极管等,而基于压接式器件的功率模块是中高压大功率变流器的核心部件。所以设计一种空间体积小、功率密度高、结构紧凑、模块化的功率模块是非常必要的。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种基于压接式器件的单相半桥功率模块,采用单串式的压接方式,空间体积小、功率密度高、结构紧凑,模块化的设计便于组合成更复杂的功率结构,易于电气连接和维护。为实现上述目的,本技术的技术解决方案是:一种基于压接式器件的单相半桥功率模块,其特征在于:至少包括压接式全控器件、压接式二极管、散热器,压接式全控器件、压接式二极管、散热器同轴压装形成功率串;功率串的两端分别通过上下绝缘子压装于压装机构内,绝缘子用于将功率串和压装机构进行电气隔离,压装机构用于压接、支撑功率串;所述压 ...
【技术保护点】
一种基于压接式器件的单相半桥功率模块,其特征在于:至少包括压接式全控器件、压接式二极管、散热器,压接式全控器件、压接式二极管、散热器同轴压装形成功率串;功率串的两端分别通过上下绝缘子压装于压装机构内,绝缘子用于将功率串和压装机构进行电气隔离,压装机构用于压接、支撑功率串;所述压接式全控器件为ETO,或者为IGTO,或者为IGCT,或者为IEGT。
【技术特征摘要】
1.一种基于压接式器件的单相半桥功率模块,其特征在于:至少包括压接式全控器件、压接式二极管、散热器,压接式全控器件、压接式二极管、散热器同轴压装形成功率串;功率串的两端分别通过上下绝缘子压装于压装机构内,绝缘子用于将功率串和压装机构进行电气隔离,压装机构用于压接、支撑功率串;所述压接式全控器件为ETO,或者为IGTO,或者为IGCT,或者为IEGT。2.如权利要求1所述的一种基于压接式器件的单相半桥功率模块,其特征在于:所述功率串内部的电气连接通过直流正极输入母排(10)、直流负极输入母排(11)、第一连接母排(15)、第二连接母排(16)、第三连接母排(17)和散热器实现。3.如权利要求2所述的一种基于压接式器件的单相半桥功率模块,其特征在于:所述直流正极输入母排(10)和直流负极输入母排(11)用于连接外部缓冲电路或者直流电源,三个连接母排的一端汇合到一起作为交流输出端。4.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:王多平,唐健,任毅,廖晖,边晓光,肖文静,胡凡荣,
申请(专利权)人:中国东方电气集团有限公司,
类型:新型
国别省市:四川,51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。