磁记录介质用铝基板制造技术

本发明专利技术的磁记录介质用铝基板在铝板的双面成膜有厚度6.0μm以上且15.0μm以下的SiO2膜，上述SiO2膜具有450MPa以上且1000MPa以下的压缩应力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及被用作磁记录介质的基板且成膜有适合在高温下形成磁性膜的SiO2膜的铝基板。
技术介绍
在计算机等各种电子设备中使用的磁记录介质在非磁性的基板上形成有成为记录层的磁性膜。磁记录介质用的基板被要求轻质且具有高硬度、并且具有平滑的表面和耐损伤性。因此，作为非磁性且轻质、而且利用镜面加工等能够容易地得到平滑表面的材料，使用了铝板。而且，成膜有用于确保铝板的表面硬度和耐损伤性的Ni－P镀膜的基板(以下，有时称作“镀Ni－P铝基板”)被广泛用作磁记录介质用基板。近年来，磁记录介质的大容量化已经取得进展，正在开发飞跃性地提高记录密度的下一代磁记录介质。作为提高记录密度的技术，边利用激光加热记录介质边记录数据的热辅助记录方式等受到注目。在适于热辅助记录方式的磁记录介质的制造过程中，有时因磁性膜的成膜温度等制造时的热历程而使基板温度达到300℃以上、进而达到350℃以上，对磁记录介质用基板要求较高的耐热性。因此，铝板的耐热性也得到改善，例如如专利文献1或专利文献2所公开的那样提出了各种500℃以上的高温耐热性优异的铝板。在目前广泛使用的镀Ni－P铝基板的情况下，成为母材的铝板具有370℃以上的耐热性。然而，若将Ni－P镀膜加热到300℃以上，则发生结晶化而变得具有磁性，因此，事实上仅能够应对至300℃左右，Ni－P镀膜的耐热温度在制造磁记录介质方面受到很大制约。因此，作为能够代替Ni－P镀膜的皮膜，例如研究了如专利文献3或专利文献4所公开的非晶质SiO2膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第5325869号公报专利文献2：日本特开2013－151737号公报专利文献3：日本专利第2552682号公报专利文献4：日本特公昭53－37202号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题SiO2膜由于非磁性、具有高硬度且耐热性也优异的性质而受到注目。然而，就SiO2膜而言，若为了确保耐损伤性而将其厚膜化，则产生在300℃左右的加热下会在SiO2膜产生龟裂或SiO2膜从铝板剥离等耐热性的问题。因此，还尚未提出如上述那样的兼具耐损伤性和耐热性的SiO2膜，对于在热辅助记录方式等之类的磁记录领域中的利用成为制约。本专利技术是着眼于如上所述的情况而完成的专利技术，其目的在于提供成膜有具有耐热性和耐损伤性优异的特性的SiO2膜的磁记录介质用铝基板。用于解决课题的手段可以解决上述课题的本专利技术的磁记录介质用铝基板具有如下主旨：其是在双面成膜有SiO2膜的铝基板，上述SiO2膜的膜厚为6.0μm以上且15.0μm以下，并且上述SiO2膜具有450MPa以上且1000MPa以下的压缩应力。另外，本专利技术的磁记录介质用铝基板还具有如下要旨：其是在双面成膜有膜厚为6.0μm以上且15.0μm以下、并且具有450MPa以上且1000MPa以下的压缩应力的SiO2膜的铝基板，上述SiO2膜为将铝板的温度加热到200℃以上且370℃以下而利用气相成膜法成膜的SiO2膜。上述气相成膜法为等离子体CVD法也是本专利技术的优选实施方式。专利技术效果本专利技术的磁记录介质用铝基板成膜有具有规定的膜厚和压缩应力的SiO2膜，因此具有耐热性和耐损伤性优异的特性。附图说明图1为实施例中制作的中空圆盘状磁盘的俯视图。图2为记录了翘曲量的测定方向的中空圆盘状磁盘的俯视图。图3为表示膜厚与损伤深度的关系的图表。具体实施方式以下，对本专利技术进行说明，在本专利技术中“铝板”是指成膜SiO2膜前的状态。“铝基板”是指成膜SiO2膜后的状态，在本说明书中有时简称作“基板”。予以说明，在本专利技术中，“铝”包括纯铝、铝合金。另外，“成膜时的铝板的温度”为成膜SiO2膜时的铝板本身的温度，其是对铝板设置热电偶而测定的温度。在本说明书中有时简称作“成膜温度”。予以说明，在本专利技术中，为了测定铝板或铝基板的温度，有时使成膜SiO2膜、磁性膜等时的装置、气氛等的设定温度与铝板或铝基板的温度不一致。例如，在本专利技术的实施例中，为了对成膜有SiO2膜的铝基板的耐热性进行评价，而预先对铝基板安装热电偶，并调查加热炉内的温度与铝基板的温度的关系，并按照使铝基板的温度达到模拟制造过程的热历程的温度的方式设定加热炉的温度。因此，有时加热炉的温度与铝基板的温度不一致。如上述那样，就SiO2膜而言，若为了确保耐损伤性而将其厚膜化，则在300℃左右的加热下会在SiO2膜产生龟裂或剥离，因此难以兼具耐损伤性和耐热性。本专利技术人等通过研究发现：为了对SiO2膜赋予与Ni－P镀膜同等的耐损伤性，只要使SiO2膜的膜厚为6.0μm以上即可，而且，还能通过改良SiO2膜的压缩应力来改善耐热性。本专利技术人等从各种角度对在将SiO2膜厚膜化的情况下产生龟裂或剥离的原因反复进行了深入研究。其结果可知：在高温环境下因铝板的热膨胀而对SiO2膜负载拉伸应力，但是越使SiO2膜厚膜化，对拉伸应力的屈服强度越降低，因此在300℃左右产生龟裂或剥离。即，已知：铝的热膨胀系数大致为24×10－6/K左右，且在上升400℃的温度时进行约1％的线膨胀。另一方面，已知SiO2的热膨胀系数大致为1×10－7～1×10－6/K左右的热膨胀系数，SiO2的线膨胀为铝的线膨胀的数十分之一左右。因此，因铝板与SiO2膜的热膨胀差而对SiO2膜作用拉伸力。由于厚膜化的SiO2膜对拉伸力的屈服强度降低，因此导致在300℃左右超出断裂强度，容易产生SiO2膜的龟裂或剥离。为此，本专利技术人等为了抑制由上述热膨胀所致的SiO2膜的龟裂或剥离而反复进行了研究。其结果发现：通过提高在室温下对SiO2膜作用的压缩应力，从而降低因热膨胀所致的拉伸应力的负荷，能够抑制SiO2膜的龟裂或剥离。由此完成本专利技术。即，在对成膜有作用了压缩应力的SiO2膜的铝基板进行加热的情况下，随着铝基板的热膨胀而SiO2膜被拉伸。然而，即使在室温下在SiO2膜中所产生的压缩应力导致热膨胀，也是作用在使压缩状态松弛的方向上，因此，抑制实际对SiO2膜负载的拉伸力。认为其结果为：与以往相比，更难以产生SiO2膜的龟裂或剥离，显示优选350℃以上、更优选400℃以上、进一步优选500℃以上的耐热性。以下，对本专利技术的磁记录介质用铝基板的构成进行具体地说明。[SiO2膜的膜厚：6.0μm以上且15.0μm以下]若SiO2膜较薄，则即使硬度变高，作为保护膜发挥功能的耐损伤性也不充分，在磁记录介质容易产生缺陷。为了即使在制造时或使用时受到冲击也会赋予能够抑制损伤、凹陷等物理性缺陷的程度的充分的耐损伤性，SiO2膜的膜厚需要为6.0μm以上。SiO2膜的膜厚优选为7.5μm以上、更优选为9.0μm以上。另一方面，从提高耐损伤性的观点出发，膜厚的上限并无特别限定，但是，若SiO2膜的膜厚变得过厚，则对由热膨胀所致的拉伸应力的屈服强度降低，因此为15.0μm以下、优选为13.0μm以下。予以说明，在为了确保所需的表面平滑性而对SiO2膜进行研磨的情况下，期望还考虑研磨量而确定所要成膜的SiO2膜的膜厚、并按照使研磨后的膜厚达到上述范围的方式进行设定。[SiO2膜的压缩应力：450MPa以上且1000MPa以下]在对SiO2膜作用的压缩应力低的情况下，若铝基板的温度达到300℃左右，则因热膨胀而产生在SiO2膜产生龟裂或从铝基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质用铝基板，其特征在于，其为在双面成膜有SiO2膜的铝基板，所述SiO2膜的膜厚为6.0μm以上且15.0μm以下，并且所述SiO2膜具有450MPa以上且1000MPa以下的压缩应力。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.17 JP 2014-0537301.一种磁记录介质用铝基板，其特征在于，其为在双面成膜有SiO2膜的铝基板，所述SiO2膜的膜厚为6.0μm以上且15.0μm以下，并且所述SiO2膜具有450MPa以上且1000MPa以下的压缩应力。2.一种磁记录...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木哲雄，藤原直也，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：发明
国别省市：日本;JP