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本发明提供蚀刻方法、蚀刻装置、计算机程序以及记录介质。该蚀刻方法是对形成在被处理体表面上的、介电常数小于ＳｉＯ↓［２］膜的介电常数的蚀刻对象膜实施蚀刻处理的蚀刻方法。该蚀刻方法包括将被处理体（Ｓ）载置在可真空排气的处理容器（１２）内的载置台...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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