一种半导体的成膜技术制造技术

本发明专利技术可能是一种半导体设备，包含氟化绝缘膜和直接沉积在包括含氟绝缘膜上的ＳｉＣＮ膜，其中在ＳｉＣＮ膜中的氮密度从氟化绝缘膜和ＳｉＣＮ膜界面降低。在本发明专利技术中，靠近ＳｉＣＮ膜和ＣＦＸ膜的界面具有高抗氟性，并且作为一个整体具有低介电常量，ＳｉＣＮ膜可以形成为一个硬掩膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在基板上的成膜技术。该方法适用于半导体设备，液晶显示设备，有机 EL元件。
技术介绍
在电子设备的生产过程中，如半导体器件，液晶显示设备，有机电致发光(EL)元 件，成膜过程是形成一个导电膜或绝缘膜于一个基板表面上的制造工艺。等离子膜形成过 程，即使用等离子体形成膜于基板上的过程是这个膜形成过程。例如，当在基板上形成一个 CF膜，并进一步形成绝缘膜于CF膜上的形成过程中，出现了一个问题，在CF中的氟原子扩 散于绝缘膜中，从而CF膜和绝缘膜之间的接触降低了 。此外，还出现了一个问题，当CF膜 和绝缘膜在成膜过程中需进行热处理，由于氟原子在绝缘膜中扩散，绝缘膜被腐蚀，导致该 绝缘膜剥离。 另外，上述等离子体成膜过程通常是通过一个等离子膜形成装置完成。近年来，微 波等离子体成膜装置，由一个微波场产生的等离子形成膜，已经被广泛用作为一种等离子 体成膜装置。根据这种微波等离子成膜装置，比作传统成膜装置的高密度等离子体能够被 获得，因此成膜过程，对于基板，可以在短时间内有效完成。 上述微波等离子体由成膜仪器提供，例如，将基板放入处理容器。并且在处理容器 的上半部分，设置有径向线缝隙天线，并且淋浴板得以通过微波从径向天线以供应气体。进 一步说，微波等离子体成膜装置采用了一种替代材料气体用于膜，其来自处理容器的壁表 面。 作为一种等离子体处理方法。 一种膜形成用微波等离子体成膜装置，例如，下面已 经知道的。例如，日本发布尚未审查的专利申请号2005-093737，披露了一种等离子体处理 方法，在基板上成膜，其能够形成高品质的膜，在低温下，短时间内通过优化一定数量的自 由基离子的数量，补充给基板。另外，如日本发布的未通过审查的2006-324023号专利申请 中，披露一种等离子体成膜装置能够尽量减少淋浴板的变形或扭曲，通过保持淋浴板的理 想温度板，并改善淋浴板平面温度的一致性。 另外，如日本发布的未通过审查的2005-150612号专利申请中，披露等离子体 成膜装置，在高频波馈电测范围内，即等离子生成区，在其被输入处理容器之前，适当地 产生一种等离子，其可防止等离子激活气体等离子化。进一步说，国际出版未经审查的 2000-74127号专利申请中，披露等离子过程设备，其可保持等离子体稳定性，不论用于该过 程的气体类型，因为没有膜附着在微波所接触部分的绝缘体淋浴板表面上用于处理的气体 的解离或约束。 但是，通过使用上述文件所描述的技术，在提高基板上膜的热阻，或防止膜的过度 裂开，不能得到充分的实现。因此，出现了一个问题，在基板上形成的膜之间的接触性能退 化的问题。此外，对于在基材上形成的膜，在各种条件功能性的特点提出了一个需求。进一步说，对于生产成本，冗长的制造过程及节省材料成本也提出了要求。
技术实现思路
—方面本专利技术是一种半导体器件，其包含一种氟化绝缘膜和直接沉积在氟化绝缘膜上的SiCN膜，其中在SiCN薄膜中的氮的密度在氟化绝缘膜和SiCN膜的接触面度降低。 氮的浓度可能会逐渐减少。可通过在分成多个分隔的容器里进行离子气体反应制造出SiCN薄膜。可通过调整进入多个分隔的气体流量比来制造SiCN薄膜。 形成SiCN薄膜内侧的流量比可能会不同于形成SiCN薄膜外侧的流量比。当形成的SiCN薄膜表面时，该容器可能包括较高区域和较低区域，并且气体流进较高区域的总量可能多于流进较低区域的气体总量。 该容器可能包括上游地区和较低的地区，进入该地区大量减少气体量可能比上进 入时，形成了 SiCN薄膜内陆地区流动的气体量更大。 一种上瘾的气体可能流入较高区域并 且材料气体可能流入较低区域。气体流量比可能会调整跟着时间。 在本专利技术中，SiCN薄膜，其有高抗氟，接近利用CFX膜界面，并且具有低介电常量， 作为一个整体可以形成为一种硬掩膜。 在一个实施例中，当上述方法可用于进一步形成膜于基板上的膜上时，从而可以 预防过度膜解离。当膜过于解离时，这成为一种蚀刻类，并且不能促进膜形成。当膜过度解 离被预防时，该膜成为一种形成类，从而膜之间的接触性得以改进。另外，该膜形成所用的 上述有效方法提高了耐热性(允许的温度限制)。 进一步说，通过使用上述方法，各种不同特点的膜可以形成。并且可通过上述方法，可以形成各种组成成分的膜。因此，膜的特性和组成成分是可以被控制的。 进一步说，在一个实施例中，当类型相同的气体用于上述方法中时，彼此分解条件是不同的。因此，如果不同类型的气体被利用，气体成分可以共存在一个区域内。因此，低成本的气体可能被利用，以取代高成本气体。此外，可形成具有的结构类似于利用高成本气体形成的膜。 通过随时调整利用上述方法的气体流量比，可形成更多特性的膜和有更多组成成 分的膜。从而，膜的特性和膜组成成分可以更有效地被控制。此外，生产成本可降低，通过 利用低成本的材料，取代高成本材料。 通过使用上述方法得以改变气体的流量比，膜表面成分和内部成分是可以改变 的。例如，当膜表面结构是高介电常数和高机械强度，但是，其可能被设置成在机械强度和 电常数方面相对较低。进一步说，为了提高机械强度或膜的热强度，二次成膜过程即所谓的 治愈一般是用于低K材料，然而，这样的一个过程可以通过使用上述方法消除。附图说明 图1和2示图，显示一种微波等离子体处理装置结构，其是根据本专利技术的第一种具 体化。 图3是透视视图，显示一种生产气体供给装置的结构，用于图1和2中的微波等离 子体处理装置。 图4是仰视图，显示一种磁盘状导体构成了图3中的生产气图供给装置的一部分。 专利技术详述 —种CVD装置，用于产生使用RLSA的等离子区，在下文解释。图1和2图示一种 微波等离子体处理装置10的结构，其是根据本专利技术的第一个具体化。 参考图l，微波等离子体处理装置IO包括处理容器11和台架13，其被用于处理容 器11来支持基板12，得以通过一个静电卡盘处理，其中台架13最好是用A1N(氮化铝)或 八1203 (氧化铝)组成，通过热等静压(HIP)作用。在处理容器ll中，有至少两个或最好大 于或等于3个排气口 111A在空间IIA中，空间11A等距离的围绕在台架13周围，因此台架 13上的基板12轴向对称。处理容器ll是经排气口 111A排出达到低气压，使用渐次的导螺 杆泵，这些稍候解释。 处理容器11最好是含铝的奥氏体不锈钢制作，而且会形成氧化铝保护膜在内壁 表面通过一个氧化过程。进一步说，还会形成一个磁盘状高密度A1203淋浴板14，通过热等 静压形成，在处理容器中11中外壁的一部份中，对应于基板12，作为外壁的一部份，其中淋 浴板14包括大量的喷嘴孔14A。通过热等静压过程形成的A1203淋浴板14是使用添加剂 ￥203形成的，并且具有0. 03%或更少的多孔性。这意味着，氧化铝淋浴板可充分地克服毛孔 或小孔，并有一个非常大的，而不会大到氮化铝导热系数是陶瓷的30W/mK。 淋浴板14安装在处理容器11上，通过一个密封环11化，并且一个高密度八1203盖 板15，也是用形成余热等静压的方法，通过密封环111T安置在淋浴板14上。淋浴板14与 凹陷14B结合在一起，连接各自的喷嘴孔14A，从而形成等离子体通道，在侧面于是和盖板 15相连，其中凹陷14B也与另本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体设备，包含：一种氟化绝缘膜；及一种直接沉积在该氟化绝缘膜上的ＳｉＣＮ薄膜，其中，在ＳｉＣＮ膜中的氮的密度依据氟化绝缘膜和ＳｉＣＮ膜之间的界面降低。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：松岡孝明，川村剛平，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]