原料气体的供给系统以及成膜装置制造方法及图纸

原料气体供给系统（６），对成为减压环境的气体使用系统（２）供给原料气体。系统具有：存留液体原料或者固体原料的原料罐（４０）、一端与原料罐连接而另一端与气体使用系统连接的原料通路（４６）、向原料罐内供给运载气体的运载气体供给机构（５４）、在原料通路的中途设置的开闭阀（４８，５０）、加热原料通路以及开闭阀的加热器（６４）、控制加热器的温度控制部（９２）。原料通路以及上述开闭阀使用具有良好导热性的金属材料形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在半导体晶片等被处理体的表面形成薄膜的成膜装置以及向其供给原料气体的供给系统，特别是涉及对将蒸汽压力低且不易蒸发的原料汽化来供给有用的半 导体器件用的原料气体的供给系统以及成膜装置。
技术介绍
—般地，在制造半导体器件时，为了制造所期望的器件，要在半导体晶片上反复进 行成膜处理和图案蚀刻处理等各种处理。如今，按照对半导体器件的更高集成化以及高细 微化的要求，线幅和孔径都愈加微细化。对于配线材料和嵌入材料，根据各种尺寸的微细 化，产生将电阻进一步降低的必要。因此，存在使用电阻非常小且廉价的铜和钨的趋势(例 如，JP2000-77365A、 JP2000-178734A)。使用铜作为配线材料和嵌入材料时，考虑与其下层 的贴合性和金属的散热抑制效果等，一般使用钽金属(Ta)和氮化钽膜(TaN)等作为阻挡 层。另一方面，使用钨作为配线材料和嵌入材料时，考虑与其下层的贴合性和金属的散热抑 制效果等，一般使用钛膜(Ti)和氮化钛膜(TiN)等作为阻挡层。 上述的Ta膜Ti膜或者包含这些金属的膜例如以如下方式形成。首先，例如在存留 固体原料的原料罐内进行加热来使上述固体原料升华，形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种原料气体的供给系统，对成为减压环境的气体使用系统供给原料气体，其特征在于，　　具备：　　存留液体原料或者固体原料的原料罐；　　一端与上述原料罐连接、另一端与上述气体使用系统连接的原料通路；　　与上述原料罐连接、边进行流量控制边向上述原料罐内供给运载气体的运载气体供给机构；　　在上述原料通路的中途设置的开闭阀；　　加热上述原料通路以及上述开闭阀的加热器；　　控制上述加热器的温度控制部，　　上述原料通路以及上述开闭阀分别利用具有良好的导热性的金属材料来形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：原正道，五味淳，前川伸次，山本薰，多贺敏，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]