一体烧结气体排出孔而成的簇射极板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种一体烧结气体排出孔而成的簇射极板及其制造方法。为了防止等离子体的逆流，配置在簇射极板的纵孔内的气体排出孔构件（陶瓷构件或多孔质气体流通体）被无间隙地一体烧结结合，在使用簇射极板时不会自纵孔脱落、且自各纵孔排出的气体排出量无偏差，能够更完全地防止等离子体发生逆流，并可高效地激励等离子体的簇射极板。簇射极板（１０５）配置在等离子体处理装置的处理室（１０２）中，为了在处理室（１０２）中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的许多个纵孔（１０５）内，一体烧结结合地配置具有多个直径为２０μｍ～７０μｍ的气体排出孔的陶瓷构件和／或具有最大气孔直径为７５μｍ以下的沿气体流通方向连通的气孔的多孔质气体流通体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用在等离子体处理装置、特别是使用在微波等离子体处理装置中的簇射极板以及其制造方法、和使用了该簇射极板的等离子体处理装置、等离子体处理方法以及电子装置的制造方法。
技术介绍
等离子体处理工序以及等离子体处理装置对于制造近年的被称作所谓的深亚微米元件或深亚四分之一微米元件的具有0.1μm、或0.1μm以下的栅极长的超微细化半导体装置、对于制造包含液晶显示装置的高分辨率平面显示装置是不可或缺的技术。作为用于制造半导体装置、液晶显示装置的等离子体处理装置，  自以往就一直使用各种的等离子体激励方式，特别是通常使用平行平板型高频激励等离子体处理装置或电感耦合型等离子体处理装置。但是，由于上述以往的等离子体处理装置形成的等离子体不均匀，并且电子密度高的区域被限定，因此具有很难以较大的处理速度、即生产率对被处理基板整面进行均匀的处理的问题。该问题特别是在处理较大直径的基板的情况时较严重。而且在上述以往的等离子体处理装置中，存在因电子温度高而使形成在被处理基板上的半导体元件损坏、另外因飞溅到处理室壁上导致严重的金属污染等若干本质上的问题。因此在以往的等离子体处理装置中，一直难以满足本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种簇射极板，该簇射极板配置于等离子体处理装置，为了在上述等离子体处理装置内产生等离子体而排出等离子体激励用气体，　在作为等离子体激励用气体的排出路径的多个纵孔内，设有陶瓷构件和／或多孔质气体流通体，该陶瓷构件具有多个直径为２０μｍ～７０μｍ的气体排出孔，该多孔质气体流通体具有最大气孔直径为７５μｍ以下的沿气体流通方向连通的气孔，上述陶瓷构件和／或上述多孔质气体流通体被与上述簇射极板一体地烧结结合。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-10-23 287934/20061.一种簇射极板，该簇射极板配置于等离子体处理装置，为了在上述等离子体处理装置内产生等离子体而排出等离子体激励用气体，在作为等离子体激励用气体的排出路径的多个纵孔内，设有陶瓷构件和/或多孔质气体流通体，该陶瓷构件具有多个直径为20μm～70μm的气体排出孔，该多孔质气体流通体具有最大气孔直径为75μm以下的沿气体流通方向连通的气孔，上述陶瓷构件和/或上述多孔质气体流通体被与上述簇射极板一体地烧结结合。2.根据权利要求1所述的簇射极板，上述簇射极板由陶瓷材料构成，且上述陶瓷构件和上述多孔质气体流通体由介电损耗在5×10-3～1×10-5的范围内的陶瓷材料构成。3.根据权利要求1或2所述的簇射极板，上述陶瓷构件的气体排出孔的长度与直径的长径比(长度/直径)为20以上。4.根据权利要求1或2所述的簇射极板，由上述多孔质气体流通体的连通的气孔形成的气体流通路径中的狭路的气孔直径为10μm以下。5.一种簇射极板的制造方法，该制造方法用于制造权利要求1～4中任一项所述的簇射极板，将对上述陶瓷构件的原料粉末进行成型而加工成规定形状后得到的粉末成形体、粉末成形体的脱脂体、预烧结体或烧结体和/或对多孔质气体流通体的原料粉末进行成型而加工成规定形状后得到的粉末成形体、粉末成形体的脱脂体、预烧结体或烧结体安装到对簇射极板的原料粉末进行成型而加工形成有纵孔的生坯体的纵孔内，之后将上述陶瓷构件的粉末成形体、粉末成形体的脱脂体、预烧结体或烧结体和/或上述多孔质气体流通体的粉末成形体、粉末成形体的脱脂体、预烧结体或烧结体与该生坯体同时进行烧结。6.一种簇射极板的制造方法，该制造方法用于制...

【专利技术属性】
技术研发人员：桶作正广，大见忠弘，后藤哲也，松冈孝明，野泽俊久，井口敦智，石桥清隆，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，国立大学法人东北大学，
类型：发明
国别省市：JP[日本]