本发明提供能够使晶片搬送臂的移动距离变短，缩短处理时间，使所占空间变小的涂敷显影装置和涂敷显影方法。该涂敷显影装置具有液体处理单元（ＣＯＴＵ），其包括：使用药液对基板进行液体处理的液体处理部（ＣＯＴ）；与液体处理部（ＣＯＴ）对应设置，对...

本发明提供一种药液的气化效率高、且能向基板供给高浓度的疏水化气体、还能抑制药液发生变质的疏水化处理装置、疏水化处理方法以及存储介质。疏水化处理装置包括：气化面形成部，其表面位于气化室内；气化面加热部件，其用于加热该气化面形成部；药液供给...

本发明涉及检查用接触结构体，在探针支撑板上有效地形成多个贯通孔的同时减轻所述探针支撑板的质量。在探针支撑板（１２）上层叠有多个金属板（３０）和表面被研磨的绝缘板（３１）。各金属板（３０）和绝缘板（３１）上分别形成有用于让探针（１１）插通...

本发明提供一种聚合物除去装置和聚合物除去方法，能提高生产能力且能抑制伴随被处理基板的旋转产生的微粒和因热应力导致的聚合物的剥离，能除去以环状附着在被处理基板的周缘部上的聚合物。该聚合物除去装置对以环状附着在被处理基板（Ｗ）的周缘部上的聚...

将腔室(1)内的基座(2)的温度设定为规定温度，并供给处理 气体，对规定块数的晶片(W)形成Ti系膜，然后，在腔室(1)内不 存在晶片(W)的状态下，从喷淋头(10)向腔室(1)内喷出Cl2气 体作为清洁气体，对腔室(1)内进行清洁，此...

本发明提供一种成膜装置和成膜方法，包括：内部维持在减压空 间并且处理气体被供给在其中的处理容器；设置在处理容器的内部、 用于保持基板的基板保持部；以及由含高熔点金属和碳化合物构成、 设置在处理容器的内部、用于对基板进行加热的加热器。

本发明提供一种成膜装置和成膜方法，使旋转工作台旋转，使ＢＴＢＡＳ气体吸附在晶圆（Ｗ）上，接着向晶圆（Ｗ）表面供给Ｏ３气体，使其与吸附在晶圆（Ｗ）表面的ＢＴＢＡＳ气体发生反应而形成氧化硅膜时，在形成氧化硅膜之后，由活化气体喷射器对晶圆（Ｗ...

本发明提供液体处理装置和液体处理方法。液体处理装置（１０）包括：液体供给机构（１５）；供给管线（３０），其与液体供给装置相连接、且具有用于喷出被调节了温度的液体的喷出开口（３０ａ）；处理单元（５０），其用于支承供给管线的喷出开口；回流管...

本发明提供一种基板的液体处理装置和液体处理方法。该基板的液体处理装置及液体处理方法在对晶圆的周缘部分进行处理的情况下，能够充分地对基板进行高温处理，并且，能够充分地抑制微粒附着在基板的表面上。基板的液体处理装置（１）包括用于保持基板（Ｗ...

本发明提供一种在进行半导体晶片的电气特性检查时，能够监视除去被处理体所带的静电的去电装置来进行高可靠性的电气特性检查的去电装置的监视装置、去电装置的监视方法及去电装置的监视用程序。本发明的去电装置的监视装置（监视电路）是监视相对地移动主...

本发明提供液体处理装置和液体处理方法。该液体处理装置能够减少液体的使用量，并且，能够抑制被处理体之间的处理程度的偏差。液体处理装置（１０）具有主配管（２０）、与主配管（２０）连接的液体供给机构（４０）、设置在主配管上的主开闭阀（２２）、...

本发明提供一种即使在没有设置起重机构的工厂内也可以组装的输送机构的组装方法。该方法是一种用于输送输送物的输送机构的组装方法，该输送机构用于包括保持输送物的拾取单元、用于使拾取单元滑动的滑动单元、用于驱动滑动单元的驱动单元，在收容输送机构...

本发明提供一种能够使基板的面内温度均匀的基板载置机构和使用该基板载置机构的基板处理装置。基板载置机构（８４ａ、８４ｂ、８４ｃ）包括：基板载置台（８６），用于载置基板（Ｇ）；加热器（８７），其用于隔着基板载置台（８６）对基板（Ｇ）进行加热...

本发明提供一种等离子处理装置和等离子处理方法。该等离子装置和等离子方法能够抑制装置制造成本的增加，并且能够对等离子处理状态进行细微控制，从而能够提高等离子处理的面内均匀性。该等离子蚀刻装置具有：下部电极，兼用作载置基板的载置台；上部电极...

本发明提供一种即使阀芯的尺寸较大、阀芯的气密性也不易下降的闸阀以及使用了该闸阀的基板处理系统。该闸阀包括：阀芯，其被推压到用于搬入搬出被处理体的开口部的周围；推压部，其沿开口部呈环状地设置在阀芯上；主滑动件，其沿与开口部的开口面平行的方...

本发明提供一种检查装置的操作方法以及检查装置的操作程序，能够显著提高具有多个工作台的检查装置的检查效率。本发明的检查装置的操作方法，是在利用显示于多个显示器（１４）的各操作画面上的操作按钮，操作具备多个检查用工作台（１７）的检查装置（１...

本发明提供一种能够缩短被处理体在处理室中的再加热时间，并且即使输送多个被处理体，也能高精度地控制上述多个被处理体各自的温度的输送装置和处理系统。该输送装置包括：基座（５１）；被处理体支承体（５２），其用于支承被处理体（Ｇ），相对于上述基...

本发明提供一种能使对基板进行对位的容器内的用于基板对位的空间尽量缩小的基板对位机构、使用其的真空预备室和基板处理系统。在收容基板（Ｇ）的容器（８１）内对支承在基板支承部（９６、９７、９８）上的基板（Ｇ）进行对位的基板对位机构（８６）具有...

本发明涉及一种真空处理装置、真空处理装置的运行方法和存储介质。在具有保持真空气氛的处理容器和保持真空气氛的搬送室的真空处理装置中，抑制处理容器内的残留气体向搬送室的扩散，其中，该处理容器利用处理气体进行处理并具有搬送口，该搬送室通过闸室...

本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(3...