真空处理装置和真空处理装置的运行方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种真空处理装置、真空处理装置的运行方法和存储介质。在具有保持真空气氛的处理容器和保持真空气氛的搬送室的真空处理装置中，抑制处理容器内的残留气体向搬送室的扩散，其中，该处理容器利用处理气体进行处理并具有搬送口，该搬送室通过闸室与该处理容器的搬送口连接，并包括用于进行基板的交接的搬送机构。上述真空处理装置具有处理容器、上述搬送室、和闸阀，该闸阀设置于上述闸室，用于在上述处理容器内进行基板的处理时关闭上述搬送口，在对处理容器进行基板的交接时打开该搬送口。为了抑制处理容器内的残留气体向上述搬送室扩散，在闸室中设置有闸室惰性气体供给部和闸室排气口，以在面对该搬送口的位置形成惰性气体的气流。由此，能够抑制处理容器内的残留气体从搬送口扩散到搬送室。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种真空处理装置、真空处理装置的运行方法和存储介质，该真空处理装置具有对基板进行真空处理的处理容器，和通过间室与上述处理容器连接并具有用于进行基板的交接的搬送机构的搬送室。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，对作为被处理基板的半导体晶片(以下记作晶片)， 多进行干蚀刻或CVD (Chemical Vapor Deposition)等的使用处理气体的气体处理。作为进行这样的气体处理的处理装置，从以高生产能力处理多个晶片的观点出发，已知有具有搬送室(传输腔室)和多个处理模块的多腔室型的处理装置，其中，该搬送室设置有晶片的搬送机构，该处理模块由通过间室与该搬送室连接的处理容器(处理腔室)构成，并进行规定的气体处理。各处理容器具有晶片的搬送口，各搬送口通过设置在闸室的闸阀自由地开闭。在搬送室上设置有惰性气体的供给口和排气口，此外，在处理容器上设置有处理气体的供给口和排气口，这些搬送室和各处理容器内均被保持在真空状态。而且，在关闭间阀而断开两者的状态下，在处理容器内进行规定的气体处理，在搬送室和处理容器之间交接晶片的情况下，打开闸阀连通两者。但是，在这样的真空处理装置中，在处理容器内进行的处理结束后，在该处理容器内残留有处理气体或副生成气体等。如果在间阀打开时这些气体通过间室扩散至搬送室， 就会存在如下问题，即，成为污染的原因，或从附着在搬送室中的气体生成颗粒而污染晶片，或使搬送室内的部件发生腐蚀等，因此，必须高频度地定期地清洁搬送室。一直以来，为了防止上述那样的问题，需要使搬送室内维持在例如数十 数百1 左右。而且，当在搬送室和处理容器之间搬送晶片时，使处理容器内的压力(PO)比搬送室内的压力(PI)低(P0 < Pl)，在搬送室内和处理容器内之间形成规定的压力差之后再打开闸阀，以抑制处理容器内的气体向搬送室扩散。但是，如上所述，因为在搬送室内也进行排气，所以即使形成压力差，也存在惰性气体向该排气口流动的情况，和惰性气体不流向处理容器的搬送口，使得来自处理容器的气体的扩散不能够被充分地抑制的情况。虽然可以考虑进一步提高搬送室的压力，但是这会增大惰性气体的消费量而增加成本。进一步，也有搬送室内的压力被设定在惰性气体从粘性流向分子流转变的转变区域或分子流区域的情况， 惰性气体由于压力差而难以流动，在这种情况下，存在更容易引起来自处理容器的气体的扩散的问题。另外，在专利文献1中，记载有在闸阀的壳内设置有排气口的真空处理装置，但是专利文献1的专利技术的目的和本专利技术的目的不同。专利文献1 日本特开2001-291758号公报(0027段和图3)
技术实现思路
本专利技术是基于如上所述的情况而完成的，其目的在于提供一种真空处理装置、真空处理装置的运行方法和存储介质，该真空处理装置包括利用处理气体对基板进行处理的处理容器和通过间室与该处理容器的搬送口连接的搬送室，其中，搬送室还包括对上述处理容器进行基板的交接的搬送机构，在上述搬送口打开期间，该真空处理装置能够抑制处理容器内的残留气体向搬送室扩散。本专利技术是一种真空处理装置，其特征在于，包括处理容器，其具有基板的搬送口， 保持真空气氛并利用处理气体对基板进行处理；搬送室，其通过间室与该处理容器的上述搬送口连接，并包括通过上述搬送口对上述处理容器进行基板的交接的搬送机构，该搬送室保持真空气氛；闸阀，其设置于上述闸室，用于当在上述处理容器内进行基板的处理时关闭上述搬送口，当对处理容器进行基板的交接时打开该搬送口 ；以及设置在上述间室中分别的间室惰性气体供给部和间室排气口，其用于至少在上述搬送口打开期间，在面对该搬送口的位置形成惰性气体的气流，以抑制处理容器内的残留气体向上述搬送室扩散。本专利技术是一种真空处理装置，其特征在于在上述闸室内的闸阀关闭时，停止来自上述间室惰性气体供给部的惰性气体的供给。本专利技术是一种真空处理装置，其特征在于在搬送室中，设置有用于在该搬送室内形成惰性气体的气流的搬送室惰性气体供给部和搬送室排气口。本专利技术是一种真空处理装置，其特征在于在上述闸室内的闸阀关闭时，该闸室的闸室排气口被关闭。本专利技术是一种真空处理装置，其特征在于闸阀以配合搬送口的开闭而开闭闸室的闸室排气口的方式构成。本专利技术是一种真空处理装置，其特征在于闸阀在与闸室排气口重叠的位置具有开口部，使得当打开搬送口处于停止状态时，闸室的闸室排气口处于打开的状态。本专利技术是一种真空处理装置，其特征在于具有多个处理容器，各处理容器通过各个闸室多个地与共同的搬送室连接。本专利技术是一种真空处理装置，其特征在于，包括多个处理容器，其各自形成有基板的搬送口，并在真空气氛下利用处理气体对基板进行处理；共同的搬送室，其通过间室与这些多个处理容器的上述搬送口连接，并包括通过各搬送口对处理容器进行基板的交接的搬送机构，该搬送室保持真空气氛；闸阀，其设置于上述闸室，用于当在上述处理容器内对基板进行处理时关闭上述搬送口，当对处理容器进行基板的交接时打开该搬送口 ；设置在上述搬送室内的残留气体扩散防止用的第一搬送室惰性气体供给部和设置于上述间室的闸室排气口，它们用于在面对该搬送口的位置形成惰性气体的气流，以抑制上述处理容器内的残留气体向上述搬送室扩散；搬送室气流形成用的第二搬送室惰性气体供给部，其设置于上述搬送室，用于在该搬送室内形成惰性气体的气流；和搬送室排气用的搬送室排气口，其设置于上述搬送室，当在上述间室内形成惰性气体的气流时被关闭，在上述间阀被关闭时，上述闸室的闸室排气口被关闭。本专利技术是一种真空处理装置，其特征在于在每个搬送口处设置有上述残留气体扩散防止用的第一搬送室惰性气体供给部。本专利技术是一种真空处理装置，其特征在于上述残留气体扩散防止用的第一搬送室惰性气体供给部和搬送室气流形成用的第二搬送室惰性气体供给部被共用。本专利技术是一种真空处理装置的运行方法，其中，真空处理装置具备具有基板的搬送口的处理容器和保持真空气氛的搬送室，该搬送室通过间室与上述搬送口连接并包括经上述搬送口对上述处理容器进行基板的交接的搬送机构，该真空处理装置的运行方法的特征在于，包括在已通过设置在上述间室上的间阀关闭上述搬送口的状态下，在上述处理容器内，在真空气氛下，利用处理气体对基板进行处理的工序；和通过上述间阀打开上述搬送口，利用上述搬送机构从处理容器搬出基板的工序，其中，至少在上述搬送口打开的期间， 通过分别设置在上述间室的间室惰性气体供给部和间室排气口，在面对该搬送口的位置形成惰性气体的气流，以抑制处理容器内的残留气体向上述搬送室扩散。本专利技术是一种真空处理装置的运行方法，其特征在于当上述闸室内的闸阀关闭时，停止来自上述间室惰性气体供给部的惰性气体的供给。本专利技术是一种真空处理装置的运行方法，其特征在于包括通过设置在搬送室的搬送室惰性气体供给部和搬送室排气口，在该搬送室内形成惰性气体的气流的工序。本专利技术是一种真空处理装置的运行方法，其特征在于当上述闸室内的闸阀关闭时，该闸室的闸室排气口被关闭。本专利技术是一种真空处理装置的运行方法，该真空处理装置具备具有基板的搬送口的处理容器，和保持真空气氛的搬送室，其中，该搬送室通过间室与上述搬送口连接并包括经上述搬送口对上述处理容器进行基板的交接的搬送机构，该真空处理装置的运行方法的特征在于，包括在已通本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种真空处理装置，其特征在于，包括：多个处理容器，其各自形成有基板的搬送口，并在真空气氛下利用处理气体对基板进行处理；保持真空气氛的共同的搬送室，该搬送室通过闸室与这些多个处理容器的所述搬送口连接，并包括通过各搬送口对处理容器进行基板的交接的搬送机构；闸阀，其设置于所述闸室，用于当在所述处理容器内对基板进行处理时关闭所述搬送口，当对处理容器进行基板的交接时打开该搬送口：设置在所述搬送室内的残留气体扩散防止用的第一搬送室惰性气体供给部和设置于所述闸室的闸室排气口，它们用于在面对该搬送口的位置形成惰性气体的气流，以抑制所述处理容器内的残留气体向所述搬送室扩散；搬送室气流形成用的第二搬送室惰性气体供给部，其设置于所述搬送室，用于在该搬送室内形成惰性气体的气流；和搬送室排气用的搬送室排气口，其设置于所述搬送室，当在所述闸室内形成惰性气体的气流时被关闭，在所述闸阀被关闭时，所述闸室的闸室排气口被关闭。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山口博史，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP