用于高温提取的先进FI叶片制造技术

提供了在基板被暴露到高温下的处理系统中传送基板的装置。还提供了用于传送基板的叶片。该叶片包括具有弓形横向凸缘的基部，自基部向外延伸且垂直于基部的第一指部，自基部向外延伸且与第一指部平行和与第一指部间隔开的第二指部，被构成为支撑基板且沿着弓形横向凸缘定位的第一支撑薄片，被构成为支撑基板且与第一指部耦连的第二支撑薄片，和被构成为支撑基板且与第二指部耦连的第三支撑薄片，其中弓形横向凸缘自第一指部外边缘向第二指部外边缘延伸。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术的各实施例 一般涉及在处理系统中传输基板的装置和方法。更特别 地，本专利技术的各实施例涉及被设计成降低基板上热应力的、与高温处理一起使 用的叶片。
技术介绍
基板制造工艺的效用通常通过两个相关且重要的因素测量，即器件产量和 拥有成本(CoO)。由于这些因素直接影响到制造电子器件的成本以及由此导 致的市面上器件制造商的竞争力，因此这些因素很重要。虽然受到很多因素的 影响，但是CoO很大程度上受到系统和室产量的影响，或者简单地受到使用 所需处理顺序处理的每小时基板数量的影响。在努力降低CoO的过程中，在 给定的组合工具结构限制和室处理时间的条件下，电子器件制造商通常化费大 量时间来努力改进处理顺序和室处理时间，以实现最大可能的基板产量。完成 处理顺序所花费的时间的大部分都用于在各处理室之间传送基板。半导体处理系统通常在单个平台上结合了大量处理室以进行几个连续处 理步骤而不需从高度受控处理环境移动基板。一旦用必须数量的室和辅助装置 构成了组合工具用于进行某些处理步骤，该系统就通常通过使用设置在系统中 的机械手移动基板通过室来处理大量基板。该机械手在机械手叶片上提供基板 的横向和旋转移动以从系统内的一个位置向另一个位置取回、传送和供应基 板。当前实际操作也包括使用机械臂从装载端向多室处理系统内的各处理室传 送基板。图1示出了现有技术叶片100，目前使用该叶片用于从处理室提取基 板。叶片100具有被第一横向凸缘(shoulder) 120和第二横向凸缘130限制 在任一侧上、通常为平坦的叶片(blade)表面IIO。平坦叶片表面110通常支 持基板。当前的处理方法通常需要在特定处理室中将基板暴露到超过55(TC的适 当处理温度下。在处理之后，从处理室中提取出热基板并将其设置在冷却位置。但是，从处理室中提取热基板和将热基板暴露到冷很多的气氛中己经导致了几 个问题，包括基板破裂、翘曲和其它缺陷。如图2中所示，图1的现有技术叶 片设计在基板上产生了大量的热应力。在热基板下大量平坦叶片表面110的大量材料减缓了基板和现有技术叶片ioo的冷却。结果，由于基板和叶片必须在基板和叶片能从处理室中去除之前从处理温度冷却到最小值55(TC，因此目前 的提取温度被限于55(TC且相应的基板产量受到限制。因此，需要允许提取温度大于55(TC同时降低基板破裂和翘曲发生的叶片。
技术实现思路
如权利要求所限定的本专利技术的实施例通常提供在处理系统中传送基板的 装置，基板在该处理系统中被暴露到高温下。在一个实施例中，该装置是固定 到机械手用来在处理系统的处理室之间传送诸如半导体基板这样的基板的叶 片。叶片被设成最小化基板下方的叶片表面面积，并由此相应地降低在从热的 处理室中提取基板之后在基板上产生的热应力。最小化在基板下方的机械手叶 片面积允许更快地冷却叶片材料。该叶片也被设计成降低与基板的边缘接触， 由此提供降低的基板颗粒污染。在一个实施例中，提供一种用于传送基板的叶片。该叶片包括具有弓形横 向凸缘的基部，自基部向外延伸且垂直于基部的第一指部，自基部向外延伸且 与第一指部平行和与第一指部间隔开的第二指部，被构成为支撑基板且沿着弓 形横向凸缘定位的第一支撑薄片(support tab ),被构成为支撑基板且与第一指 部耦连的第二支撑薄片，以及被构成为支撑基板且与第二指部耦连的第三支撑 薄片，其中弓形横向凸缘自第一指部的外边缘向第二指部的外边缘延伸。在某些实施例中，叶片还包括沿着基部的弓形横向凸缘定位的第四支撑薄片。在某 些实施例中，第一支撑薄片和第二支撑薄片距基部中心为等距的。在某些实施 例中，第一支撑薄片、第二支撑薄片和第三支撑薄片形成了支撑基板的口袋。 在某些实施例中，每一个支撑薄片都包括第一支撑表面和第二支撑表面。在某 些实施例中，第二支撑表面从第一支撑表面向内设置，且在第一支撑表面之下。 在某些实施例中，第一支撑薄片和第四支撑薄片被定位成距平行于第一指部和 第二指部并平分叶片的基部的中心的中心线在约15。至约20。之间。在某些实施例中，第二支撑薄片和第三支撑薄片被定位成距垂直于该中心线的水平线在约25°和至30°之间，该中心线平行于第一指部和第二指部且平分叶片的基部 的中心线。在另一实施例中，提供用于传送基板的u型叶片。该u型叶片包括具有弓形横向凸缘的基部，自基部向外延伸且垂直于基部的第一指部，自基部向外延 伸且与第一织补平行和与第一织补间隔开的第二指部，被构成为支撑基板且沿 着弓形横向凸缘定位的第一支撑薄片，被构成为支撑基板且与第一指部的倾斜 部分耦连的第二支撑薄片，被构成为支撑基板且与第二指部的倾斜部分耦连的 第三支撑薄片，以及沿着基部的弓形横向凸缘定位的第四支撑薄片。在再一实施例中，提供了一种用于处理基板的系统。该系统包括传送室， 与传送室耦连的一个或多个处理室，集中地设置在传送室内的机械手组件，以及耦连到机械手组件的叶片。u型叶片包括具有弓形横向凸缘的基部，自基部向外延伸且垂直于基部的第一指部，自基部向外延伸且与第一指部平行和与第 一指部间隔开的第二指部，被构成为支撑基板且沿着弓形横向凸缘定位的第一 支撑薄片，被构成为支撑基板且与第一指部耦连的第二支撑薄片，以及被构成 为支撑基板且与第二指部耦连的第三支撑薄片，其中弓形横向凸缘自第一指部 的外边缘向第二指部的外边缘延伸。附图说明因此能更详细理解本专利技术上述特征的方式、本专利技术更加特定的描述、以上 的
技术实现思路
可通过参考实施例获得，于附图中示出了一些实施例。但是，将注 意附图仅示出了本专利技术的典型实施例，且由于本专利技术可允许其他等效实施例， 因此不应认为其限制了本专利技术的范围。图1示出了用于从处理室提取基板的现有技术叶片；图2描述了 IR照像测试，其示出了比较基板绘图作为图1现有技术叶片 的有限元件分析(FEA);图3是多室基板处理系统的顶视平面图4是根据在此描述的实施例的叶片的示意性透视图5是图4的叶片的示意性侧视图6是沿着图4的线6-6取得的示意性截面图-，图7是沿着图4的线7-7取得的示意性截面图8是根据在此描述的另一实施例的叶片的示意性透视图9是沿着图8的线9-9取得的示意性截面图10是沿着图8的线10-10取得的示意性截面图11描述了 IR照像测试，其示出了比较基板绘图作为根据在此描述的一 个实施例的叶片的FEA，为了便于理解，可能的情况下，己经使用相同参考数字表示图中共用的相 同的部件。将预期在一个实施例中的部件和/或处理步骤可有利地用在其他实 施例中而不需特别说明。具体实施方式如权利要求中列出的本专利技术的实施例一般提供了用于在处理系统中传送 基板的装置和方法，处理系统中，将基板暴露到高温下且希望快速冷却基板。 该装置可贴装到机械手上用于在处理系统中的处理室之间传送基板诸如半导 体晶片。将叶片设计成最小化基板下方的叶片表面积以降低从加热的处理室中 取出之后在基板上产生的热应力。最小化基板下方的叶片表面积允许基板和叶 片材料的更快冷却。也将叶片设计成降低与基板的边缘接触且由此提供降低的 基板颗粒污染。在此描述的实施例可有利地用在组合工具结构(cluster tool configuration) 中，该组合工具结构具有在单个基板处理室和/或多批类型处理室中处理基板 的能力。组合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于传送基板的叶片，其特征在于，包括：　具有弓形横向凸缘的基部；　自基部向外延伸且垂直于基部的第一指部；　自基部向外延伸且与第一指部平行和与第一指部间隔开的第二指部；　被构成为支撑基板且沿着弓形横向凸缘定位的第一 支撑薄片；　被构成为支撑基板且与第一指部耦连的第二支撑薄片；和　被构成为支撑基板且与第二指部耦连的第三支撑薄片，其中弓形横向凸缘自第一指部的外边缘向第二指部的外边缘延伸。

【技术特征摘要】
US 2007-10-31 60/984,1881.一种用于传送基板的叶片，其特征在于，包括具有弓形横向凸缘的基部；自基部向外延伸且垂直于基部的第一指部；自基部向外延伸且与第一指部平行和与第一指部间隔开的第二指部；被构成为支撑基板且沿着弓形横向凸缘定位的第一支撑薄片；被构成为支撑基板且与第一指部耦连的第二支撑薄片；和被构成为支撑基板且与第二指部耦连的第三支撑薄片，其中弓形横向凸缘自第一指部的外边缘向第二指部的外边缘延伸。2. 根据权利要求1所述的叶片，其特征在于，还包括沿着基部的弓形横向 凸缘定位的第四支撑薄片。3. 根据权利要求2所述的叶片，其特征在于，第一支撑薄片和第四支撑薄 片距基部中心为等距的。4. 根据权利要求1所述的叶片，其特征在于，每个支撑薄片都包括第一支 撑表面和第二支撑表面。5. 根据权利要求4所述的叶片，其特征在于，第二支撑表面从第一支撑表 面向内设置，且在第一支撑表面之下。6. 根据权利要求5所述的叶片，其特征在于，第一支撑薄片、第二支撑薄 片和第三支撑薄片的第一支撑表面形成了支撑基板的第一 口袋。7. 根据权利要求6所述的叶片，其特征在于，第一支撑薄片、第二支撑薄 片和第三支撑薄片的第二表面形成了支撑基板的第二 口袋。8. 根据权利要求2所述的叶片，其特征在于，第一支撑薄片和第四支撑薄 片被定位成距平行于第一指部和第二指部并平分叶片的基部的中心的中心线 在约15°至约20°之间。9. 根据权利要求8所述的叶片，其特征在于，第二支撑薄片和第三支撑薄 片被定位成距垂直于该中心线的水平线在约25°至约30°之间，该中心线平行 于第一指部和第二指部并平分叶片的基部的中心。10. 根据权利要求1所述的叶片，其特征在于，基板是半导体晶片。11. 根据权利要求l所述的叶片，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：迪内士卡纳瓦德，克雷格R梅茨纳，强德拉塞卡巴拉苏布拉曼亚姆，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：US[美国]