【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例涉及半导体衬底，且更尤其，涉及三维半导体装置结构。
技术介绍
1、基于集成电路的半导体技术演进的趋势为半导体裸片内的装置密度的增加，和装置功能的增加。在诸如动态随机存储器(dynamic random access memory；dram)的存储器装置的情况下，提高用于给定裸片区域的dram芯片的存储器大小的一个因素是个别存储器胞元的胞元大小的缩小。胞元大小的缩小与多个众所周知的问题相关联。
2、设想增加给定裸片区域内的存储器大小的一种方法为制造三维存储器，诸如三维(three dimensional；3d)dram。在这一情况下，多个存储器胞元可在与半导体裸片的主平面正交的“竖直”方向上一个接一个地堆叠于层中。关于这类装置的形成的一个问题是寻址存储器阵列中的所有胞元的能力。举例来说，dram存储器可布置成块或子阵列，其中用于3ddram子阵列的给定层堆叠的每一字线将具有接触件以连接字线与子阵列中的控制电路。因此，对于具有n个层的3d dram存储器堆叠，在字线之每一行中需要总共n个字线接触件。因而，用于诸如在邻近于子阵列的外围区中布置这一字线接触架构的区可能消耗给定存储器子阵列的(二维、平面内)装置区域的大部分。此外，这一外围字线区域的大小将随着3ddram存储器阵列或子阵列内的层数目n而增加。因此，随着层数目增加，外围字线区域将趋向于消耗3d dram中的总dram区域的较大部分。
3、关于这些和其它考虑因素来提供本公开。
技术实现思路
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2、在另一实施例中，一种制造三维装置的方法可包含在衬底上设置包括多组n个单元堆叠的存储器堆叠，其中给定单元堆叠包括隔离层、牺牲层和有源层。方法还可包含图案化存储器堆叠以形成布置成阵列的多个存储器块。因而，给定存储器块可包含：胞元区，胞元区包括布置于多组n个存储器胞元层中的三维存储器胞元阵列；以及阶梯区，阶梯区安置成邻近于胞元区的至少第一侧，阶梯区包括耦合到三维存储器胞元阵列的信号线组合件。
3、在另一实施例中，一种三维动态随机存取存储器可包含布置成阵列的多个存储器块。给定存储器块可包含胞元区，胞元区包括布置于多组n个存储器胞元层中的三维存储器胞元阵列。胞元区可更包括沿着第一方向延伸的第一多个位线和布置于多组n个存储器胞元层内且沿着不同于第一方向的第二方向延伸的第二多个字线。给定存储器块还可包含阶梯区，阶梯区安置成邻近于胞元区的至少第一侧，阶梯区包括连接到三维存储器胞元阵列的第二多个字线的字线组合件。
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1.一种存储器装置架构，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置架构，其中所述信号线组合件包括字线组合件，且其中所述阶梯区更包括：
3.根据权利要求2所述的存储器装置架构，其中所述最上部字线结构连接到所述胞元区的给定存储器胞元层的给定存储器胞元行。
4.根据权利要求2所述的存储器装置架构，其中，在给定台阶内，所述字线结构包括：
5.根据权利要求2所述的存储器装置架构，其中所述多个存储器胞元中的给定存储器胞元包括沿着第一方向的存储器胞元宽度，且其中在所述阶梯区的给定台阶中，所述最上部字线结构具有沿着所述第一方向的与所述存储器胞元宽度相当的字线宽度。
6.根据权利要求1所述的存储器装置架构，其中所述多个存储器胞元层中的给定存储器胞元层包括：
7.根据权利要求6所述的存储器装置架构，其中所述信号线组合件在所述牺牲层内从所述阶梯区延伸到所述胞元区中。
8.根据权利要求6所述的存储器装置架构，其中：
9.根据权利要求1所述的存储器装置架构，
10.根据权利要求9所述的存储器装置架构
11.一种制造三维装置的方法，包括：
12.根据权利要求11所述的制造三维装置的方法，其中所述阶梯区通过刻蚀所述存储器堆叠以形成多组n个台阶来形成。
13.根据权利要求11所述的制造三维装置的方法，所述图案化所述存储器堆叠包括：
14.根据权利要求13所述的制造三维装置的方法，所述图案化所述存储器堆叠更包括：
15.根据权利要求14所述的制造三维装置的方法，所述图案化所述存储器堆叠更包括：
16.根据权利要求11所述的制造三维装置的方法，其中所述信号线组合件包括字线组合件，且其中所述阶梯区更包括：
17.根据权利要求11所述的制造三维装置的方法，其中所述三维存储器胞元阵列的给定存储器胞元包括电容器，所述方法更包括：
18.一种三维动态随机存取存储器，包括：
19.根据权利要求18所述的三维动态随机存取存储器，其中所述阶梯区更包括：
20.根据权利要求18所述的三维动态随机存取存储器，其中所述最上部字线结构连接到所述多组n个存储器胞元层中的给定存储器胞元层的给定存储器胞元行。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储器装置架构，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置架构，其中所述信号线组合件包括字线组合件，且其中所述阶梯区更包括：
3.根据权利要求2所述的存储器装置架构，其中所述最上部字线结构连接到所述胞元区的给定存储器胞元层的给定存储器胞元行。
4.根据权利要求2所述的存储器装置架构，其中，在给定台阶内，所述字线结构包括：
5.根据权利要求2所述的存储器装置架构，其中所述多个存储器胞元中的给定存储器胞元包括沿着第一方向的存储器胞元宽度，且其中在所述阶梯区的给定台阶中，所述最上部字线结构具有沿着所述第一方向的与所述存储器胞元宽度相当的字线宽度。
6.根据权利要求1所述的存储器装置架构，其中所述多个存储器胞元层中的给定存储器胞元层包括：
7.根据权利要求6所述的存储器装置架构，其中所述信号线组合件在所述牺牲层内从所述阶梯区延伸到所述胞元区中。
8.根据权利要求6所述的存储器装置架构，其中：
9.根据权利要求1所述的存储器装置架构，
10.根据权利要求9所述的存储器装置架构，其中所述信号线组合件包括字线组合件，其中给定存储器胞元包括沿着第一方向的存储器胞元宽度，且其中在所述阶梯区...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜昌锡，弗瑞德·费许伯恩，北岛知彦，姜盛冠，索尼·瓦吉斯，李吉镛，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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