【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例涉及微电子装置设计及制造的领域。更特定来说，本公开涉及包含延伸到分层堆叠的导电结构的触点的微电子装置(例如，存储器装置，例如3d nand存储器装置)，所述分层堆叠包含与绝缘结构竖直交错的导电结构。本公开还涉及用于形成此类装置的方法及并有此类装置的系统。
技术介绍
1、存储器装置为电子系统提供数据存储。快闪存储器装置是各种存储器装置类型中的一者且在现代计算机及其它电装置中具有许多用途。常规快闪存储器装置可包含具有布置成行及列的大量电荷存储装置(例如，存储器胞元，例如非易失性存储器胞元)的存储器阵列。在nand架构类型的快闪存储器中，布置成列的存储器胞元串联耦合，且所述列的第一存储器胞元耦合到数据线(例如，位线)。在“三维nand”存储器装置(其在本文中也可称为“3d nand”存储器装置)中，不仅一类型的竖直存储器装置是以行及列方式布置成水平阵列的存储器胞元，而且水平阵列的层级彼此堆叠(例如，作为存储器胞元的竖直串)以提供存储器胞元的“三维阵列”。层级堆叠使导电材料与绝缘(例如，电介质)材料竖直交错。导电材料用作例如存储器胞元的存取线(例如，字线)的控制栅极。竖直结构(例如，包括通道结构及穿隧结构的支柱)沿着存储器胞元的竖直串延伸。串的漏极端邻近竖直结构(例如，支柱)的顶部及底部中的一者，而串的源极端邻近支柱的顶部及底部中的另一者。漏极端可操作地连接到位线，而源极端可操作地连接到源极结构(例如，源极板、源极线)。3d nand存储器装置还包含例如存取线(例如，字线)与装置的其它导电结构之间的电连接，使得可选择竖直串
2、一种形成此类电连接的方法包含形成在堆叠的层级的边缘(例如，邻近端)处具有“梯级”(或以其它方式称为“楼梯”)的所谓的“阶梯”结构。梯级界定装置的导电结构的接触区，例如可由分层堆叠的导电材料形成的存取线(例如，字线)。接触结构可形成为与梯级物理接触以提供对与梯级相关联的导电结构(例如，字线)的电接入。接触结构可经由导电路由线路与额外接触结构电连通，所述额外接触结构与源极/漏极区连通。
3、微电子装置制造工业的持续目标是可靠地制造微电子装置的特征使得装置如所预期般运作，包含导电特征(例如形成于分层堆叠中的接触结构及梯级)之间的有效电连通。然而，此继续带来挑战，尤其是因为未能准确地制造一个接触结构可能在常规装置设计中致使无法电接入对应导电结构(例如，字线)，且还可能致使装置特征的整个群组不能操作。
技术实现思路
1、公开一种微电子装置。所述微电子装置包括堆叠结构，所述堆叠结构包括布置成层级的绝缘结构及导电结构的竖直交错序列。所述层级中的每一者包括所述导电结构中的至少一者及所述绝缘结构中的至少一者。所述微电子装置还包括所述堆叠结构内的体育场型结构。所述体育场型结构中的至少一者包括具有由所述导电结构的群组提供的梯级的两个阶梯。梯级触点延伸到所述体育场型结构中的所述至少一者的所述两个阶梯的所述梯级。所述导电结构群组的每一导电结构具有在所述两个阶梯的所述梯级中的至少一者处与其接触的多于一个所述梯级触点。
2、还公开一种微电子装置，其包括堆叠结构、所述堆叠结构中的一系列体育场型结构及所述一系列体育场型结构中的所述体育场型结构的水平区域内的导电触点。所述堆叠结构包括与导电结构竖直交错且布置成层级的绝缘结构。所述一系列体育场型结构中的所述体育场型结构中的至少一者具有至少部分由所述层级的第一群组的所述导电结构界定的梯级。所述体育场型结构中的至少一个其它者具有至少部分由所述层级的第二群组的所述导电结构界定的额外梯级。所述层级的所述第一群组处于低于所述层级的所述第二群组的标高的标高。所述导电触点包括所述导电触点对及所述导电触点中的多个导电触点。所述导电触点的所述对中的每一者延伸到与所述导电触点的所述对的每一其它者不同的所述层级的所述第一群组的所述导电结构中的一者。所述导电触点中的所述多个导电触点各自延伸到与所述导电触点的所述多个导电触点中的每一其它者不同的所述层级的所述第二群组的所述导电结构中的一者。
3、此外，公开一种形成微电子装置的方法。所述方法包括在基底结构上形成分层堆叠。所述分层堆叠包括绝缘结构及其它结构的竖直交错序列。在所述分层堆叠中形成体育场型结构。所述体育场型结构中的每一者包含至少部分由一些所述其它结构的水平端界定的一或多个阶梯。在沟槽内形成竖直上覆于所述体育场型结构的至少一种电介质材料。穿过所述至少一种电介质材料形成接触开口。所述接触开口的至少一对竖直延伸到所述其它结构的共同者。在所述接触开口中的每一者中形成导电接触结构。
4、还公开一种电子系统。所述电子系统包括：三维存储器装置；至少一个处理器，其与所述三维存储器装置可操作地通信；及至少一个外围装置，其与所述至少一个处理器可操作地通信。所述三维存储器装置包括堆叠结构，所述堆叠结构包括与绝缘结构竖直交错且布置成层级的导电结构。一系列阶梯状体育场型结构界定于所述堆叠结构的块中。梯级触点对延伸穿过上覆于所述体育场型结构中的至少一者的电介质材料。梯级触点的所述对延伸到界定所述至少一个体育场型结构的至少一个梯级的所述导电结构的共同者。
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1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述体育场型结构中的所述至少一者的所述两个阶梯彼此成镜像。
3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述体育场型结构中的所述至少一者的所述两个阶梯包括朝向具有正斜率的第二阶梯下降的具有负斜率的第一阶梯。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述体育场型结构中的所述至少一者的所述两个阶梯包括朝向具有负斜率的第二阶梯上升的具有正斜率的第一阶梯。
5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述体育场型结构中的所述至少一者的所述两个阶梯各自具有正斜率或各自具有负斜率。
6.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述体育场型结构中的至少一个其它者具有由所述导电结构的额外群组提供的仅一个阶梯。
7.根据权利要求1所述的微电子装置，其中：
8.根据权利要求1所述的微电子装置，其中：
9.根据权利要求1所述的微电子装置，其中：
10.根据权利要求1所述的微电子装置，其中：
11.根据权利要求1到10中任一权利
12.根据权利要求11所述的微电子装置，其中所述梯级触点的所述至少一对的所述梯级触点在所述体育场型结构中的所述至少一者的共同者的水平区域内。
13.根据权利要求11所述的微电子装置，其中所述梯级触点的所述至少一对的所述梯级触点各自在所述体育场型结构中的所述至少一者的彼此不同者的水平区域内。
14.根据权利要求11所述的微电子装置，其中所述梯级触点的所述至少一对的所述梯级触点延伸到所述体育场型结构中的所述至少一者的所述两个阶梯的所述梯级的共同者。
15.根据权利要求14所述的微电子装置，其中所述导电接触结构安置于所述体育场型结构的水平相邻体育场型结构之间的所述堆叠结构的顶区的水平区域中。
16.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中在所述分层堆叠中形成所述体育场型结构包括：在所述分层堆叠的上标高中界定所述体育场型结构的阶梯轮廓；及
18.根据权利要求17所述的方法，其中：
19.根据权利要求16到18中任一权利要求所述的方法，其中所述接触开口中的每一者暴露所述其它结构中的一者的表面部分，且穿过所述至少一种电介质材料形成所述接触开口包括：
20.一种电子系统，其包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述体育场型结构中的所述至少一者的所述两个阶梯彼此成镜像。
3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述体育场型结构中的所述至少一者的所述两个阶梯包括朝向具有正斜率的第二阶梯下降的具有负斜率的第一阶梯。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述体育场型结构中的所述至少一者的所述两个阶梯包括朝向具有负斜率的第二阶梯上升的具有正斜率的第一阶梯。
5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述体育场型结构中的所述至少一者的所述两个阶梯各自具有正斜率或各自具有负斜率。
6.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述体育场型结构中的至少一个其它者具有由所述导电结构的额外群组提供的仅一个阶梯。
7.根据权利要求1所述的微电子装置，其中：
8.根据权利要求1所述的微电子装置，其中：
9.根据权利要求1所述的微电子装置，其中：
10.根据权利要求1所述的微电子装置，其中：
11.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的微电子装置，其中与所述导电结构的所述群组的所述导电结构中的一者共享电连通的所述梯级触点的至少一对还与上覆于所述堆叠结构的导电路由结构及完全竖直延伸穿过所述堆叠...
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