【技术实现步骤摘要】
在各种实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计及制造的领域。更具体地，本公开涉及微电子装置、存储器装置及电子系统。
技术介绍
1、微电子装置设计者通常期望通过减小微电子装置内的个别特征的尺寸及通过减小相邻特征之间的分离距离来提高所述特征的集成水平或密度。另外，微电子装置设计者通常寻求设计不仅紧凑而且提供性能优势以及简化设计的架构。
2、微电子装置的一个实例是存储器装置。存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部集成电路。存在许多类型的存储器装置，包含但不限于非易失性存储器装置(例如，nand快闪存储器装置)。一种提高非易失性存储器装置中的存储器密度的方式是利用竖直存储器阵列(也被称为“三维(3d)存储器阵列”)架构。常规竖直存储器阵列包含竖直延伸穿过包含导电材料及绝缘材料的层级的一或多个堆叠结构的存储器单元串。每一存储器单元串可包含耦合到其的至少一个选择装置。与具有晶体管的常规平面(例如，二维)布置的结构相比较，通过在裸片上向上(例如，竖直)构建阵列，此配置容许更多数目个切换装置(例如，晶体管)位于单位裸片面积(即，...
【技术保护点】
1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括：
3.根据权利要求2所述的微电子装置，其中：
4.根据权利要求3所述的微电子装置，其中：
5.根据权利要求4所述的微电子装置，其中：
6.根据权利要求5所述的微电子装置，其中所述导电接触结构的所述两个额外行在所述第二方向上与所述额外介电狭槽结构中的所述三者中的所述两者基本上对准。
7.根据权利要求3所述的微电子装置，其中：
8.根据权利要求7所述的微电子装置，其中：
9.根据权利要求1至8中任一...
【技术特征摘要】
1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括：
3.根据权利要求2所述的微电子装置，其中：
4.根据权利要求3所述的微电子装置，其中：
5.根据权利要求4所述的微电子装置，其中：
6.根据权利要求5所述的微电子装置，其中所述导电接触结构的所述两个额外行在所述第二方向上与所述额外介电狭槽结构中的所述三者中的所述两者基本上对准。
7.根据权利要求3所述的微电子装置，其中：
8.根据权利要求7所述的微电子装置，其中：
9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述块中的所述至少一者的所述水平区域内的所述额外介电狭槽结构包括：
10.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述块中的所述至少一者进一步包括至少一个下体育场结构，所述至少一个下体育场结构竖直下伏于所述上体育场结构且具有包括竖直下伏于所述堆叠结构的所述层级的所述上群组的所述堆叠结构的所述层级的至少一个下群组的边缘的额外台阶。
11.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述进一步介电狭槽结构与在所述第二方向上水平相邻于所述块中的所述至少一者的介电狭槽结构中的两者水平相交。
12.一种微电子装置，其包括：
13.根据权利要求12所述的微电子装置，其中所述块中的所述至少一者在其水平区域内具有所述额外介电狭槽结构中的三者，所述额外介电狭槽结构中的所述三者界定所述块中的所述至少一者的所述子块中的四者。
14.根据权利要求13所述的微电子...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐丽芳，H·N·贾殷，I·V·恰雷，R·J·希尔，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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