【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、使用多种工艺来制作半导体装置，其中一些工艺将离子植入工件中。可使用各种离子源来产生离子。一种这样的机制是间接加热阴极(indirectly heated cathode，ihc)离子源。ihc离子源包括设置在阴极后面的丝极(filament)。阴极可维持在比丝极正值大的电压。当电流通过丝极时，丝极发射热离子电子(thermionic electron)，所述热离子电子朝向被充电到更大正值的阴极而加速。这些热离子电子用于对阴极进行加热，继而使得阴极将电子发射到离子源的腔室中。阴极设置在腔室的一端处。排斥极通常与阴极相对地设置在腔室的第二端上。
2、在某些实施例中，ihc离子源被配置成对带状离子束进行提取，其中带状离子束的宽度远大于带状离子束的高度。遗憾的是，在许多系统中，所提取带状离子束的角展度(angular spread)沿着其宽度不是均匀的。举例来说，带状离子束的中心附近的束角度的范围可能小于带状离子束的边缘附近的束角度的范围。在一些实施例中，束线中的附加组件(例如四极透镜)可用来尝试补偿这种不均匀性。这...
【技术保护点】
1.一种离子源，包括：
2.根据权利要求1所述的离子源，其中等离子体是在所述腔室内产生且所述腔室内的等离子体密度是不均匀的，且其中所述腔室中的第一区具有比第二区大的等离子体密度，且其中所述提取板的所述外表面与所述抑制电极的面朝所述提取板的所述表面之间的所述间隙在所述第一区附近比在所述第二区附近的所述间隙小。
3.根据权利要求2所述的离子源，其中所述等离子体密度在所述提取开孔的中心处比在所述提取开孔的边缘处大。
4.根据权利要求3所述的离子源，其中所述提取板的所述外表面是平整的且所述抑制电极的面朝所述提取板的所述表面是凸起的。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种离子源，包括：
2.根据权利要求1所述的离子源，其中等离子体是在所述腔室内产生且所述腔室内的等离子体密度是不均匀的，且其中所述腔室中的第一区具有比第二区大的等离子体密度，且其中所述提取板的所述外表面与所述抑制电极的面朝所述提取板的所述表面之间的所述间隙在所述第一区附近比在所述第二区附近的所述间隙小。
3.根据权利要求2所述的离子源，其中所述等离子体密度在所述提取开孔的中心处比在所述提取开孔的边缘处大。
4.根据权利要求3所述的离子源，其中所述提取板的所述外表面是平整的且所述抑制电极的面朝所述提取板的所述表面是凸起的。
5.根据权利要求3所述的离子源，其中所述提取板的所述外表面是凸起的且所述抑制电极的面朝所述提取板的所述表面是平整的。
6.根据权利要求3所述的离子源，其中所述提取板的所述外表面是凸起的且所述抑制电极的面朝所述提取板的所述表面是凸起的。
7.根据权利要求2所述的离子源，其中所述等离子体密度在所述提取开孔的边缘处比在所述提取开孔的中心处大。
8.根据权利要求7所述的离子源，其中所述提取板的所述外表面是平整的且所述抑制电极的面朝所述提取板的所述表面是凹陷的。
9.根据权利要求7所述的离子源，其中所述提取板的所述外表面是凹陷的且所述抑制电极的面朝所述提取板的所述表面是平整的或凹陷的。
10.根据权利要求1所述的离子源，其中所述等离子体产生器包括间接加热阴极。
11.根据权利要求1所述的离子源，其中等离子...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大·利坎斯奇，杰·T·舒尔，苏达卡尔·马哈林甘，尼文·克雷，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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