【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开大体上涉及用于半导体装置的处理设备，且更尤其是，涉及基于等离子的离子源。
技术介绍
1、在当今，等离子用于处理衬底，例如在电子装置中使用的衬底，用于例如衬底蚀刻、层沉积、离子注入以及其它工艺的应用。一些处理设备使用产生等离子以充当离子源的等离子腔室以用于衬底处理。离子光束可通过提取组合件提取且引导到邻近腔室中的衬底。
2、在各种商业系统中，一或多个天线可安置于等离子腔室内，且可称为内部天线。内部天线可容纳于由合适的介电材料形成的管状外壳内以充当介电窗。电力产生器可耦合到内部天线且可用于经由内部天线与等离子之间的电感耦合来点燃包围介电窗的等离子。
3、通常，等离子腔室和提取组合件的内部表面使用水冷却系统冷却以提供用于等离子产生的更一致、更均匀的环境。容纳内部天线的管状介电窗通常不冷却。介电窗可占等离子腔室内的内部表面的大致25％。因此，在无温度调节的情况下，介电窗可经受明显的温度变化，降低等离子腔室内的环境均一性且不利地影响从等离子腔室提取的离子光束。
4、关于这些和其它考虑因素，提供本公开。p>
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【技术保护点】
1.一种离子源，包括：
2.根据权利要求1所述的离子源，其中所述导电天线为中空管状主体。
3.根据权利要求1所述的离子源，进一步包括安置于所述等离子腔室内、邻近所述提取孔隙的用于通过所述提取孔隙提取成角离子光束的光束阻断器。
4.根据权利要求1所述的离子源，进一步包括耦合到所述等离子腔室的用于产生所述等离子的电力产生器。
5.一种处理系统，包括：
6.根据权利要求5所述的处理系统，其中所述温度调节系统包括：
7.根据权利要求5所述的处理系统，其中所述温度调节系统包括用于调节递送到所述导电天线的所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种离子源，包括：
2.根据权利要求1所述的离子源，其中所述导电天线为中空管状主体。
3.根据权利要求1所述的离子源，进一步包括安置于所述等离子腔室内、邻近所述提取孔隙的用于通过所述提取孔隙提取成角离子光束的光束阻断器。
4.根据权利要求1所述的离子源，进一步包括耦合到所述等离子腔室的用于产生所述等离子的电力产生器。
5.一种处理系统，包括：
6.根据权利要求5所述的处理系统，其中所述温度调节系统包括：
7.根据权利要求5所述的处理系统，其中所述温度调节系统包括用于调节递送到所述导电天线的所述气体的流量的流量控制器。
8.根据权利要求5所述的处理系统，其中所述温度调节系统包括用于监测所述介电外壳的所述温度的温度传感器。
9.根据权利要求5所述的处理系统，其中所述温度调节系统包括：
10.根据权利要求9所述的处理系统，其中如果所述介电外壳的所述温度高于目标温度，那么所述主控制器适用于引导所述流量控制器增加到所述导电天线的气体的所述流量。
11.根据权利要求9所述的处理系统，其中如果所述介电外壳的所述温度低于目标温度，那么所述主控制器适用于引导所述流量控制器减少到所述导电天线的气体的所述流量。
12.根据权利要求9所述的处理系统，其中如果所述介电外壳的所述温度高于目标温度，那么所述主控制器适用于引导所述引导所述加热器控制经由所述加热器减少或全部暂停所述气体的加热。
13.根据权利要求9所述的处理系统，其中如果所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚当·卡尔金斯，杰佛瑞·E·卡兰波特，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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